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公开(公告)号：CN101855798A
公开(公告)日：2010-10-06
申请号：CN200880115311.5
申请日：2008-10-31
Applicant: 日亚化学工业株式会社
IPC: H01S5/22
CPC classification number: H01S5/168 , B82Y20/00 , H01S5/0021 , H01S5/028 , H01S5/0283 , H01S5/0425 , H01S5/166 , H01S5/2086 , H01S5/2214 , H01S5/222 , H01S5/3214 , H01S5/34333 , H01S2301/176 , H01S2301/18 , H01S2304/04
Abstract: 本发明的目的在于提供在高输出的半导体激光器元件中，也能够将共振器端面处的放热限于最小限度，能够提高COD电平，并且能够得到良好的FFP形状，且可靠性高、长寿命的半导体激光器元件。该半导体激光器元件具有：层叠体，其由第一导电型半导体层、活性层及第二导电型半导体层构成；由绝缘体构成的第二埋入层，其具有与所述第二导电型半导体层接触且与共振器方向平行的带状的槽部，在所述槽部的共振器端面侧埋入有由电介质构成的第一埋入层，在所述槽部的内侧埋入有导电层。
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公开(公告)号：CN119812939A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202411399591.4
申请日：2024-10-09
Applicant: 日亚化学工业株式会社
Abstract: 提供电力转换效率较高的半导体激光元件。半导体激光元件具有包含活性层的半导体层叠部与设于该半导体层叠部上的电极，并具有波导构造，半导体层叠部包括：(i)包含衍射光栅的第一区域；以及(ii)第二区域，具有折射率n21的纤芯区域与设于该纤芯区域的两侧的折射率n22的包层区域，以多个横向模式使激光束传播，在俯视时，第一区域上从第二区域入射的光传播，包含折射率为n1的中央区域与位于该中央区域的外侧的周边区域，在与周边区域的至少一部分重叠的位置设置电流屏蔽构造。
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公开(公告)号：CN101855798B
公开(公告)日：2013-02-27
申请号：CN200880115311.5
申请日：2008-10-31
Applicant: 日亚化学工业株式会社
IPC: H01S5/22
CPC classification number: H01S5/168 , B82Y20/00 , H01S5/0021 , H01S5/028 , H01S5/0283 , H01S5/0425 , H01S5/166 , H01S5/2086 , H01S5/2214 , H01S5/222 , H01S5/3214 , H01S5/34333 , H01S2301/176 , H01S2301/18 , H01S2304/04
Abstract: 本发明的目的在于提供在高输出的半导体激光器元件中，也能够将共振器端面处的放热限于最小限度，能够提高COD电平，并且能够得到良好的FFP形状，且可靠性高、长寿命的半导体激光器元件。该半导体激光器元件具有：层叠体，其由第一导电型半导体层、活性层及第二导电型半导体层构成；由绝缘体构成的第二埋入层，其具有与所述第二导电型半导体层接触且与共振器方向平行的带状的槽部，在所述槽部的共振器端面侧埋入有由电介质构成的第一埋入层，在所述槽部的内侧埋入有导电层。
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公开(公告)号：CN105490161B
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN201610019680.0
申请日：2012-07-04
Applicant: 日亚化学工业株式会社
IPC: H01S5/0234 , H01S5/042 , H01S5/22 , B82Y20/00
Abstract: 本发明提供一种能够抑制向下连接接合时的倾斜，且散热性较高的隆脊型半导体激光元件，其具备：基板；设置于基板上且在基板的相反侧的面上具有隆脊的半导体部；设置于隆脊上的电极；设置于隆脊的两侧的半导体部上的绝缘膜；及设置于电极上的焊垫电极；且该半导体激光元件将焊垫电极侧作为安装面侧，该半导体激光元件在绝缘膜上延伸设置有焊垫电极，在半导体部与焊垫电极之间的与上述隆脊分离的一部分设置有隔板部。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103608986A
公开(公告)日：2014-02-26
申请号：CN201280029817.0
申请日：2012-07-04
Applicant: 日亚化学工业株式会社
CPC classification number: H01S5/22 , B82Y20/00 , H01L24/32 , H01S5/0014 , H01S5/0021 , H01S5/0202 , H01S5/0224 , H01S5/02272 , H01S5/02476 , H01S5/028 , H01S5/0425 , H01S5/34333 , H01S2301/173 , H01S2301/176
Abstract: 本发明提供一种能够抑制向下连接接合时的倾斜，且散热性较高的隆脊型半导体激光元件，其具备：基板；设置于基板上且在基板的相反侧的面上具有隆脊的半导体部；设置于隆脊上的电极；设置于隆脊的两侧的半导体部上的绝缘膜；及设置于电极上的焊垫电极；且该半导体激光元件将焊垫电极侧作为安装面侧，该半导体激光元件在绝缘膜上延伸设置有焊垫电极，在半导体部与焊垫电极之间的与上述隆脊分离的一部分设置有隔板部。
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公开(公告)号：CN103840370B
公开(公告)日：2018-02-09
申请号：CN201310611160.5
申请日：2013-11-26
Applicant: 日亚化学工业株式会社
Inventor： 枡井真吾
IPC: H01S5/343
CPC classification number: H01S5/34 , B82Y20/00 , H01S5/021 , H01S5/0213 , H01S5/2009 , H01S5/2018 , H01S5/2031 , H01S5/22 , H01S5/3013 , H01S5/3202 , H01S5/34333
Abstract: 本发明实现提高了内部量子效率的氮化物半导体激光器元件。在氮化物半导体激光器元件中，在n型半导体层和p型半导体层之间具有活性层，上述n型半导体层具有n侧光导层，上述活性层具有2个以上阱层和设置在上述阱层之间的至少1个势垒层，上述势垒层具有带隙能量比上述n侧光导层的带隙能量高的势垒层，上述p型半导体层具有带隙能量比上述活性层中所含所有势垒层高的电子势垒层，具备配置在上述2个以上阱层之中最接近上述p型半导体层的阱层即最终阱层与上述电子势垒层之间的p侧光导层，上述p侧光导层具有：配置在上述最终阱层侧且带隙能量比上述n侧光导层低的第一区域和配置在上述电子势垒层侧且带隙能量比上述n侧光导层高的第二区域。
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公开(公告)号：CN105490161A
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201610019680.0
申请日：2012-07-04
Applicant: 日亚化学工业株式会社
CPC classification number: H01S5/22 , B82Y20/00 , H01L24/32 , H01S5/0014 , H01S5/0021 , H01S5/0202 , H01S5/0224 , H01S5/02272 , H01S5/02476 , H01S5/028 , H01S5/0425 , H01S5/34333 , H01S2301/173 , H01S2301/176
Abstract: 本发明提供一种能够抑制向下连接接合时的倾斜，且散热性较高的隆脊型半导体激光元件，其具备：基板；设置于基板上且在基板的相反侧的面上具有隆脊的半导体部；设置于隆脊上的电极；设置于隆脊的两侧的半导体部上的绝缘膜；及设置于电极上的焊垫电极；且该半导体激光元件将焊垫电极侧作为安装面侧，该半导体激光元件在绝缘膜上延伸设置有焊垫电极，在半导体部与焊垫电极之间的与上述隆脊分离的一部分设置有隔板部。
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公开(公告)号：CN103608986B
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201280029817.0
申请日：2012-07-04
Applicant: 日亚化学工业株式会社
CPC classification number: H01S5/22 , B82Y20/00 , H01L24/32 , H01S5/0014 , H01S5/0021 , H01S5/0202 , H01S5/0224 , H01S5/02272 , H01S5/02476 , H01S5/028 , H01S5/0425 , H01S5/34333 , H01S2301/173 , H01S2301/176
Abstract: 本发明提供一种能够抑制向下连接接合时的倾斜，且散热性较高的隆脊型半导体激光元件，其具备：基板；设置于基板上且在基板的相反侧的面上具有隆脊的半导体部；设置于隆脊上的电极；设置于隆脊的两侧的半导体部上的绝缘膜；及设置于电极上的焊垫电极；且该半导体激光元件将焊垫电极侧作为安装面侧，该半导体激光元件在绝缘膜上延伸设置有焊垫电极，在半导体部与焊垫电极之间的与上述隆脊分离的一部分设置有隔板部。
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公开(公告)号：CN103840370A
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201310611160.5
申请日：2013-11-26
Applicant: 日亚化学工业株式会社
Inventor： 枡井真吾
IPC: H01S5/343
CPC classification number: H01S5/34 , B82Y20/00 , H01S5/021 , H01S5/0213 , H01S5/2009 , H01S5/2018 , H01S5/2031 , H01S5/22 , H01S5/3013 , H01S5/3202 , H01S5/34333
Abstract: 本发明实现提高了内部量子效率的氮化物半导体激光器元件。在氮化物半导体激光器元件中，在n型半导体层和p型半导体层之间具有活性层，上述n型半导体层具有n侧光导层，上述活性层具有两个以上阱层和设置在上述阱层之间的至少一个势垒层，上述势垒层具有带隙能量比上述n侧光导层的带隙能量高的势垒层，上述p型半导体层具有带隙能量比上述活性层中所含所有势垒层高的电子势垒层，具备配置在上述两个以上阱层之中最接近上述p型半导体层的阱层即最终阱层与上述电子势垒层之间的p侧光导层，上述p侧光导层具有：配置在上述最终阱层侧且带隙能量比上述n侧光导层低的第一区域和配置在上述电子势垒层侧且带隙能量比上述n侧光导层高的第二区域。
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