多横模式半导体激光元件
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118867838A

    公开(公告)日:2024-10-29

    申请号:CN202410511547.1

    申请日:2024-04-26

    Inventor: 小川尚史

    Abstract: 本发明提供一种每个横模的振荡波长的偏差小的多横模式半导体激光元件,其具有半导体层叠部,半导体层叠部包括有源层并具有波导结构,半导体层叠部具有:(i)折射率n1的第一区域,其包括第一衍射光栅;(ii)第二区域,其具有折射率n21的第一芯区域和设置在该第一芯区域的两侧的折射率n22的第一包覆层区域,以多个横模使激光传播;(iii)从第二区域射出的激光以由折射率n1、折射率n21和折射率n22确定的最大扩散角Θmax1在第一区域中传播,在与半导体层叠部的层叠方向正交且包括激光的光轴的截面中,与第一衍射光栅的周期方向正交的方向的第一区域的两端部分别位于从第一区域侧的第一芯区域的射出端面的两端以最大扩散角Θmax1扩展的虚拟线的外侧。

    半导体激光元件
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119812939A

    公开(公告)日:2025-04-11

    申请号:CN202411399591.4

    申请日:2024-10-09

    Abstract: 提供电力转换效率较高的半导体激光元件。半导体激光元件具有包含活性层的半导体层叠部与设于该半导体层叠部上的电极,并具有波导构造,半导体层叠部包括:(i)包含衍射光栅的第一区域;以及(ii)第二区域,具有折射率n21的纤芯区域与设于该纤芯区域的两侧的折射率n22的包层区域,以多个横向模式使激光束传播,在俯视时,第一区域上从第二区域入射的光传播,包含折射率为n1的中央区域与位于该中央区域的外侧的周边区域,在与周边区域的至少一部分重叠的位置设置电流屏蔽构造。

    光电路、使用该光电路的光传感器和移动体

    公开(公告)号:CN118339490A

    公开(公告)日:2024-07-12

    申请号:CN202280078978.2

    申请日:2022-11-24

    Abstract: 本发明提供一种使谐振器与光波导稳定地光耦合的光电路以及使用该光电路的光传感器。光电路(10)包括光波导(23)和谐振器(11),所述光波导(23)具有形成在基板或半导体层(21)上的脊部(231),所述谐振器(11)具有光环绕面(111),且配置成使所述光环绕面(111)的一部分隔着第一间隙(51)与所述脊部(231)的上表面相对,所述光环绕面(111)的一部分和与所述光环绕面(111)的一部分相对的所述脊部(231)的上表面之间的距离(G)比倏逝波渗出的距离短。

    半导体激光元件
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117526083A

    公开(公告)日:2024-02-06

    申请号:CN202310967070.3

    申请日:2023-08-02

    Abstract: 本发明提供一种振荡波长的偏差小的横向多模型半导体激光元件。该半导体激光元件具备:基板;半导体层部,其具备包含活性层的波导,并且配置在基板上;波导包含:宽幅部,其具备衍射光栅;窄幅部,其波导宽度比宽幅部窄,并且在活性层产生的光以横向多模传播;波导具备:第一端面,其包含窄幅部的端面;第二端面,其位于第一端面的相反侧;宽幅部具备第一区域,其与窄幅部连续地连接,并且波导宽度从第一端面侧朝向第二端面侧变宽。

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