Patent search ap:("日亚化学工业株式会社") AND inv:"广瀬量平" Page 1

1.

发明公开
半导体激光元件审中-公开

公开(公告)号：CN119812939A

公开(公告)日：2025-04-11

申请号：CN202411399591.4

申请日：2024-10-09

Applicant: 日亚化学工业株式会社

Inventor： 广瀬量平 , 枡井真吾 , 小川尚史

IPC: H01S5/12 , H01S5/20

Abstract: 提供电力转换效率较高的半导体激光元件。半导体激光元件具有包含活性层的半导体层叠部与设于该半导体层叠部上的电极，并具有波导构造，半导体层叠部包括：(i)包含衍射光栅的第一区域；以及(ii)第二区域，具有折射率n21的纤芯区域与设于该纤芯区域的两侧的折射率n22的包层区域，以多个横向模式使激光束传播，在俯视时，第一区域上从第二区域入射的光传播，包含折射率为n1的中央区域与位于该中央区域的外侧的周边区域，在与周边区域的至少一部分重叠的位置设置电流屏蔽构造。

Patent Agency Ranking