公开(公告)号：CN120014407A

公开(公告)日：2025-05-16

申请号：CN202510010746.9

申请日：2025-01-03

Applicant: 无锡学院

Inventor： 左官芳 ,  沙彦佑 ,  岳培生 ,  李昊 ,  杨广捷 ,  张鑫 ,  刘嘉林 ,  杜明星 ,  梁嘉乐 ,  张子豪 ,  阮义阳 ,  崔博智 ,  孙慧

IPC: G06V10/82 ,  G06V10/20 ,  G06N3/0464 ,  G06N3/08

Abstract: 本发明提供一种基于改进的YOLOv8模型的目标识别方法，涉及图像识别的技术领域。首先，获取待识别的图像并进行预处理。接着，构建改进的YOLOv8模型；在原有的YOLOv8模型的基础上，所述改进的YOLOv8模型增加了用于增强特征表达能力的C2f_SENet模块和用于提高多尺度目标检测能力的Dyhead_DCNv3模块。对改进的YOLOv8模型进行训练，得到训练好的改进的YOLOv8模型。最后，将进行预处理后的图像输入至训练好的改进的YOLOv8模型，得到目标识别结果。本发明提高了现有的YOLOv8模型目标识别的准确率和效率，应用于光照强度过高或者过低、电动车被遮挡等复杂情况下，提高电梯中电动车识别的准确率和效率。

公开(公告)号：CN120076461A

公开(公告)日：2025-05-30

申请号：CN202510511511.8

申请日：2025-04-23

Applicant: 无锡学院 ,  无锡市德科立光电子技术股份有限公司

Inventor： 黄紫馨 ,  于庆南 ,  冯婉婷 ,  梁嘉乐 ,  仲悦 ,  刘一芝 ,  顾诗雨 ,  王雷 ,  甘宜霖 ,  巫君杰 ,  徐颢桉 ,  王伟 ,  桂桑 ,  郭业才

IPC: H10F71/00 ,  H10F77/60

Abstract: 本发明提供了一种侧面喷涂石墨烯薄膜的光芯片的制备方法及光芯片，涉及半导体技术领域。本发明的方法包括：将待喷涂石墨烯的光芯片放置于金属片上，衬底与金属片直接接触，并引出导线接地；在光芯片侧面放置两片挡板，挡板中间设有与光芯片侧面等长宽的镂空部分，光芯片通过镂空部分固定在挡板上；将石墨烯粉末和空气通过供粉管和供气管进入喷枪，产生带电和不带电的石墨烯粉末；通过喷嘴引导粉末飞向光芯片侧面，使带电石墨烯粉末附着于其上；最后将光芯片置于烤箱中烘烤，冷却至室温，使石墨烯薄膜固化。该方法使用的设备简单、操作方便，能有效增大SOA芯片的散热面积，提高散热效率，降低功耗，提升半导体光放大器的效率。

公开(公告)号：CN120048807A

公开(公告)日：2025-05-27

申请号：CN202510511387.5

申请日：2025-04-23

Applicant: 无锡学院 ,  无锡市德科立光电子技术股份有限公司

Inventor： 张扬 ,  王伟 ,  张永宏 ,  章星瑜 ,  王光辉 ,  梁嘉乐 ,  王雷 ,  顾诗雨 ,  巫君杰 ,  于庆南 ,  刘罡 ,  桂桑 ,  郭业才

IPC: H01L23/367 ,  C23C16/27 ,  H01L21/48 ,  H01L23/373

Abstract: 本发明提供了一种光芯片的CVD金刚石散热结构及其制备方法，涉及热沉片技术领域，结构包括多片热沉片；所述热沉片设置在光模块芯片顶层封装材料砷化镓上；各个所述热沉片之间设置有横向间距和纵向间距；各个所述热沉片构成栅格式结构。本发明借助砷化镓的电子特性和光电特性将其作为光刻基底，借助金刚石的高导热性将其作为热沉片生长在光模块芯片上。本发明在光模块芯片上添加金刚石热沉片可以满足大功率器件的散热需求，显著提高芯片的散热效果，有效地降低光模块芯片的温度，从而降低器件的损耗。

公开(公告)号：CN119943786A

公开(公告)日：2025-05-06

申请号：CN202510361070.8

申请日：2025-03-26

Applicant: 无锡学院 ,  无锡市德科立光电子技术股份有限公司

Inventor： 景希权 ,  巫君杰 ,  包中浩 ,  仲悦 ,  王伟 ,  梁嘉乐 ,  王雷 ,  牛春强 ,  章星瑜 ,  刘罡 ,  于庆南 ,  郭业才 ,  桂桑

IPC: H01L23/473 ,  H01L23/367

Abstract: 本发明提供了一种芯片界面微流道水冷散热器，涉及芯片散热技术领域，包括芯片、盖板，所述芯片的背部设置所述盖板，所述盖板的下板体设置有散热结构；所述散热结构包括水冷散热结构及散热鳍板，所述盖板的下板体设置所述水冷散热结构，所述水冷散热结构为发散转角式结构，且所述水冷散热结构的进水口设置在与芯片中心相对应的位置，出水口设置在水冷散热结构的四周；所述散热鳍板设置在水冷散热结构的下侧。本发明通过改变流道几何分布控制水流速度，加速中心芯片热源散热速度，可对芯片进行良好散热。

公开(公告)号：CN119270441A

公开(公告)日：2025-01-07

申请号：CN202411378710.8

申请日：2024-09-30

Applicant: 无锡学院 ,  无锡市德科立光电子技术股份有限公司

Inventor： 章星瑜 ,  于庆南 ,  龚雅茹 ,  胡培显 ,  顾昕 ,  王雷 ,  毕海青 ,  梁嘉乐 ,  王伟 ,  郭业才 ,  张永宏

IPC: G02B6/42 ,  G02F1/39

Abstract: 本发明公开了一种半导体光放大器和石墨烯的散热阵列微结构及其制备方法，包括从上到下依次设置的半导体光放大器芯片、石墨烯散热基板和热沉，所述半导体光放大器芯片的下表面与石墨烯散热基板的上表面通过第一键合层进行键合，所述石墨烯散热基板的下表面通过第二键合层进行键合。本发明采用二维石墨烯材料，其热导率为2000‑5000 W/m•k，可以大大提高SOA散热能力；同时，对键合面采取了独特的微型阵列结构处理，可至少增大20%左右的接触面积，大大提高了热传递速率；本发明改善了SOA的散热能力，进一步提高了SOA的性能和可靠性，为5G时代的光纤通信发展增加技术保障。