公开(公告)号：CN116936363A

公开(公告)日：2023-10-24

申请号：CN202210363482.1

申请日：2022-04-08

Applicant: 无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 缪海生 ,  武慧慧 ,  徐少辉

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3105 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明涉及一种采用应力记忆技术的NMOSFET制造方法及NMOSFET，所述方法包括：获取晶圆，所述晶圆形成有NMOSFET的栅极、源极区及漏极区；在所述晶圆的表面形成覆盖所述栅极、源极区及漏极区的应力层，所述应力层的材质包括氮硅化合物；对所述应力层进行第一次紫外线光照处理，紫外线波长为172nm±20nm；对所述应力层进行第二次紫外线光照处理，紫外线波长为200nm～320nm；对所述应力层进行热处理。本发明通过两次紫外线光照处理，分别进行脱氢和Si‑N‑Si的强交联反应，能够避免Vt出现hump，并且可以提升电子迁移率，从而提高NMOSFET性能。本发明相对于传统工艺还能够节省一道光刻和刻蚀工序。

公开(公告)号：CN119490162A

公开(公告)日：2025-02-21

申请号：CN202311051064.X

申请日：2023-08-18

Applicant: 无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 缪海生 ,  武慧慧 ,  张建栋

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/00 ,  B81B7/02

Abstract: 本申请涉及一种半导体结构的制备方法。该半导体结构的制备方法包括：提供盖帽层；于所述盖帽层上形成沟槽；于所述沟槽内形成吸气剂材料，并采用处理气体对所述吸气剂材料进行表面处理，其中，执行该步骤至少两次，以形成具有微孔的吸气剂层。本申请不仅可以形成具有微孔的吸气剂层，而且可以使吸气剂层中的微孔数量较多，提高吸气剂层的表面积，从而提高了吸气剂层的吸气能力。

公开(公告)号：CN117995751A

公开(公告)日：2024-05-07

申请号：CN202211337509.6

申请日：2022-10-28

Applicant: 无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 缪海生 ,  许超奇 ,  武慧慧 ,  徐少辉

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供的深沟槽填充方法中，提供的基底中形成有深沟槽，深沟槽的下部侧壁上形成有栅极，深沟槽的上部侧壁上覆盖有绝缘层，绝缘层在深沟槽的顶部开口中限定出第一开口，第一开口暴露深沟槽底面的部分基底；通过SACVD工艺在基底上形成预填充层，预填充层保形地覆盖栅极、绝缘层、以及第一开口暴露的深沟槽的底面；通过等离子体轰击深沟槽的顶部，形成上大下小的第二开口，且第二开口的底部高于浅沟槽隔离结构的底面；通过HDPCVD工艺在基底上形成填充材料层，且深沟槽内的填充材料层中具有低于浅沟槽隔离结构底面的空洞。如此，可以有效地控制空洞在深沟槽中的位置，使得空洞位于浅沟槽隔离结构的下方。