公开(公告)号：CN115547808A

公开(公告)日：2022-12-30

申请号：CN202110727547.1

申请日：2021-06-29

Applicant: 无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 缪海生 ,  徐少辉 ,  冯冰

IPC: H01L21/02 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明涉及一种钴硅薄膜的制备方法和用于制备钴硅薄膜的半导体结构，该钴硅薄膜的制备方法包括在硅衬底上形成富硅氧化物层，在富硅氧化物层上形成钴金属层，在钴金属层上形成第一反应层，然后进行硅化处理，由于第一反应层的第一物质从富氧化硅物层中吸收氧原子的能力大于硅材料和钴材料，因此第一物质可以从富硅氧化层中吸收氧原子，钴金属层中的钴原子与富硅氧化层中的硅原子反应，当钴金属层中的钴原子消耗完富硅氧化层中的硅原子后，将继续扩散，并与硅衬底反应，形成界面光滑和致密分布的CoSi2薄膜。上述方法可以形成具有光滑的界面和致密分布的CoSi2薄膜，降低了CoSi2薄膜的粗糙度，减小了器件的漏电流，解决了器件漏电流过大的问题。

公开(公告)号：CN116936363A

公开(公告)日：2023-10-24

申请号：CN202210363482.1

申请日：2022-04-08

Applicant: 无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 缪海生 ,  武慧慧 ,  徐少辉

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3105 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明涉及一种采用应力记忆技术的NMOSFET制造方法及NMOSFET，所述方法包括：获取晶圆，所述晶圆形成有NMOSFET的栅极、源极区及漏极区；在所述晶圆的表面形成覆盖所述栅极、源极区及漏极区的应力层，所述应力层的材质包括氮硅化合物；对所述应力层进行第一次紫外线光照处理，紫外线波长为172nm±20nm；对所述应力层进行第二次紫外线光照处理，紫外线波长为200nm～320nm；对所述应力层进行热处理。本发明通过两次紫外线光照处理，分别进行脱氢和Si‑N‑Si的强交联反应，能够避免Vt出现hump，并且可以提升电子迁移率，从而提高NMOSFET性能。本发明相对于传统工艺还能够节省一道光刻和刻蚀工序。

公开(公告)号：CN115910784A

公开(公告)日：2023-04-04

申请号：CN202110962402.X

申请日：2021-08-20

Applicant: 无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 吴赛 ,  黄仁瑞 ,  方勇智 ,  徐少辉

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供一种垂直晶体管及其制作方法，所述制作方法包括：提供一基底，于所述基底中形成至少一沟槽；在所述沟槽的内表面上沉积衬垫层；于所述沟槽的底部形成填充物；选择性地去除邻接所述填充物的一区段的所述衬垫层以显露所述沟槽的侧壁的开口；基于所述开口刻蚀显露的所述沟槽的侧壁，以形成嵌入所述沟槽的侧壁中的凹槽。本发明还提供一种垂直晶体管，所述垂直晶体管包括：基底，所述基底中形成有至少一沟槽，所述沟槽的中部形成有嵌入所述沟槽侧壁的凹槽，所述凹槽中填充有栅极层；隔离结构，所述隔离结构将垂直晶体管分成至少两个间隔设置的垂直晶体管元胞。本发明提供的垂直晶体管能够有效提高集成电路的集成度和运行速度。

公开(公告)号：CN117995751A

公开(公告)日：2024-05-07

申请号：CN202211337509.6

申请日：2022-10-28

Applicant: 无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 缪海生 ,  许超奇 ,  武慧慧 ,  徐少辉

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供的深沟槽填充方法中，提供的基底中形成有深沟槽，深沟槽的下部侧壁上形成有栅极，深沟槽的上部侧壁上覆盖有绝缘层，绝缘层在深沟槽的顶部开口中限定出第一开口，第一开口暴露深沟槽底面的部分基底；通过SACVD工艺在基底上形成预填充层，预填充层保形地覆盖栅极、绝缘层、以及第一开口暴露的深沟槽的底面；通过等离子体轰击深沟槽的顶部，形成上大下小的第二开口，且第二开口的底部高于浅沟槽隔离结构的底面；通过HDPCVD工艺在基底上形成填充材料层，且深沟槽内的填充材料层中具有低于浅沟槽隔离结构底面的空洞。如此，可以有效地控制空洞在深沟槽中的位置，使得空洞位于浅沟槽隔离结构的下方。