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公开(公告)号：CN111585440B
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN201910119043.4
申请日：2019-02-18
Applicant: 东南大学 , 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H02M3/335
Abstract: 本发明涉及一种有源钳位反激变换器的控制系统及方法，所述方法包括：对变压器副边侧的输出电压、整流二极管的电流、励磁电感的电流进行采样；根据整流二极管的电流采样结果，得到整流二极管的峰值电流相对于前一时刻的变化量，作为峰值电流差值；通过误差补偿器将采样得到的输出电压与参考电压比较并进行误差补偿，得到补偿电流；将峰值电流差值和补偿电流叠加后输入比较器的第一输入端，励磁电感的电流输入比较器的第二输入端；驱动模块根据比较器的输出对主开关管和钳位开关管进行开关控制。本发明能够加快有源钳位反激变换器的负载调整速度。
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公开(公告)号：CN115825171A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202111095154.X
申请日：2021-09-17
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: G01N27/22
Abstract: 本发明涉及一种双电容湿度传感器，所述双电容湿度传感器具有垂直参考电容和水平湿敏电容，双电容结构能有效提高产品的校准精度，并且，所述垂直参考电容以导电掺杂衬底作为下电极，垂直参考电容的上电极同层设置有水平湿敏电容的正电极和负电极，寄生电容小，灵敏度高，可以节约制作成本，并且产品稳定性好，便于量产。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117524854A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202210905523.5
申请日：2022-07-29
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L21/033
Abstract: 本发明涉及一种利用剥离工艺进行图形转移的方法及半导体器件结构，所述方法包括：获取基底，基底上形成有台阶结构；在台阶结构的侧面形成侧墙结构；在基底上、台阶结构上及侧墙结构上形成光刻胶层；使用具有目标材料图形的光刻版对光刻胶层进行曝光，然后对光刻胶层进行显影；形成目标材料层，所述目标材料层覆盖光刻胶层露出的基底、台阶结构及侧墙结构且在光刻胶层的边缘断开；去除光刻胶层，基底、台阶结构及侧墙结构上具有目标材料图形的目标材料层被保留。本发明通过在台阶结构的侧面形成平缓的侧墙结构，使得目标材料层在侧墙结构的位置不易断开，目标材料可以获得预期的连续结构，从而能够使得剥离工艺适用于台阶结构。
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公开(公告)号：CN116264659A
公开(公告)日：2023-06-16
申请号：CN202111536878.3
申请日：2021-12-15
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种MEMS结构及其制造方法，所述MEMS结构的制造方法包括：获取基底；在所述基底上形成具有多条空心隧道的牺牲层；在所述牺牲层上形成结构层；图案化所述结构层形成所需的结构，包括在各所述空心隧道的正上方分别形成与各空心隧道对应的腐蚀孔；通过各所述腐蚀孔腐蚀所述牺牲层，形成空腔。本发明通过在牺牲层中设置多条空心隧道，使得牺牲层腐蚀时腐蚀剂能够进入隧道从而加快腐蚀速率。并且由于腐蚀剂在任意位置进入隧道后就能在隧道的整个长度方向上扩散开，因此只设置少量的腐蚀孔就能够将预定腐蚀区域的牺牲层腐蚀完全，避免因设置密集的腐蚀孔而影响结构层的强度。
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公开(公告)号：CN116137250A
公开(公告)日：2023-05-19
申请号：CN202111356718.0
申请日：2021-11-16
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L21/762
Abstract: 本发明提供了一种SON器件及其制造方法，所述SON器件的制造方法包括：形成阵列排布的第一深槽于核心区的衬底中，以及形成环绕第一深槽的至少一圈第二深槽于外围区的衬底中，每一圈包含多个第二深槽，最靠近核心区的一圈第二深槽与核心区最外侧的第一深槽的间距大于相邻两个第一深槽的间距；执行退火工艺，以使得阵列排布的第一深槽之间连通形成为封闭的第一空腔，以及使得第二深槽形成为环绕第一空腔的至少一圈第二空腔。本发明的技术方案能够确保第一空腔的边缘封口，且能降低第一空腔顶部的应力膜与第一空腔外围的衬底之间的高度差。
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公开(公告)号：CN111585440A
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN201910119043.4
申请日：2019-02-18
Applicant: 东南大学 , 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H02M3/335
Abstract: 本发明涉及一种有源钳位反激变换器的控制系统及方法，所述方法包括：对变压器副边侧的输出电压、整流二极管的电流、励磁电感的电流进行采样；根据整流二极管的电流采样结果，得到整流二极管的峰值电流相对于前一时刻的变化量，作为峰值电流差值；通过误差补偿器将采样得到的输出电压与参考电压比较并进行误差补偿，得到补偿电流；将峰值电流差值和补偿电流叠加后输入比较器的第一输入端，励磁电感的电流输入比较器的第二输入端；驱动模块根据比较器的输出对主开关管和钳位开关管进行开关控制。本发明能够加快有源钳位反激变换器的负载调整速度。
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公开(公告)号：CN215828359U
公开(公告)日：2022-02-15
申请号：CN202122249243.7
申请日：2021-09-16
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
Abstract: 本实用新型涉及一种MEMS芯片的TO封装结构。该TO封装结构中，在TO管座和MEMS芯片之间设置了垫片，TO管座上具有第一贯通孔、垫片上具有第二贯通孔，它们彼此上下贯通并与MEMS芯片的背腔连通，不影响MEMS芯片的工作，并且，所述第一贯通孔的径向尺寸较所述第二贯通孔和所述MEMS芯片的背腔开口的径向尺寸大。所述第二贯通孔的径向尺寸设置得较所述第一贯通孔小，在第二贯通孔上设置的MEMS芯片不容易倾斜，且增加MEMS芯片的粘接面积，使MEMS芯片更稳固，因此可以提高封装效率和良率，而且不会显著增加封装成本。
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