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发明公开
利用剥离工艺进行图形转移的方法及半导体器件结构审中-实审

公开(公告)号：CN117524854A

公开(公告)日：2024-02-06

申请号：CN202210905523.5

申请日：2022-07-29

Applicant: 无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 胡永刚 , 胡永强 , 张丽平 , 周伍清 , 蔡华洁

IPC: H01L21/033

Abstract: 本发明涉及一种利用剥离工艺进行图形转移的方法及半导体器件结构，所述方法包括：获取基底，基底上形成有台阶结构；在台阶结构的侧面形成侧墙结构；在基底上、台阶结构上及侧墙结构上形成光刻胶层；使用具有目标材料图形的光刻版对光刻胶层进行曝光，然后对光刻胶层进行显影；形成目标材料层，所述目标材料层覆盖光刻胶层露出的基底、台阶结构及侧墙结构且在光刻胶层的边缘断开；去除光刻胶层，基底、台阶结构及侧墙结构上具有目标材料图形的目标材料层被保留。本发明通过在台阶结构的侧面形成平缓的侧墙结构，使得目标材料层在侧墙结构的位置不易断开，目标材料可以获得预期的连续结构，从而能够使得剥离工艺适用于台阶结构。

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