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公开(公告)号：CN118828337A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202310436878.9
申请日：2023-04-21
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H04R31/00
Abstract: 本发明涉及一种MEMS麦克风及其制造方法，所述方法包括：获取晶圆，所述晶圆包括基板、位于所述基板的第一主面的振膜、以及所述振膜上的牺牲层；在所述牺牲层上形成背板层；在所述背板层上形成具有背板图案的刻蚀阻挡层，并刻蚀形成背板；继续向下刻蚀，使所述牺牲层被部分去除，所述牺牲层被刻蚀的深度达到预设深度；对所述基板的第二主面进行图案化，形成背腔；所述第二主面为所述基板的与所述第一主面相对的一面；释放所述牺牲层，残留的牺牲层结构作为所述振膜和背板之间的支撑层。本发明在背板刻蚀完成后继续向下刻蚀牺牲层，使牺牲层在背板声孔的位置被部分去除，从而减小了牺牲层作用在晶圆上的应力，能够改善晶圆翘曲。
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公开(公告)号：CN114697841A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202011630953.8
申请日：2020-12-30
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种MEMS麦克风及其振膜结构，所述振膜结构包括：第一振膜，为导电材质，所述第一振膜的边缘用于与MEMS麦克风的支撑层连接；第二振膜，为导电材质，宽度小于所述第一振膜的宽度从而不与所述MEMS麦克风的支撑层接触；以及连接件，为导电材质，第一端连接所述第一振膜，第二端连接所述第二振膜；在所述第一振膜和第二振膜中，所述第二振膜用于朝向所述MEMS麦克风的背板设置。本发明当MEMS麦克风工作中的声压作用在振膜结构上时，第一振膜发生振动，并通过连接件带动第二振膜振动，第二振膜无论中间还是边缘区域与背板之间的距离都是相同的，所以振动时电容变化更具线性，可以减少麦克风的总谐波失真。
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公开(公告)号：CN110092345B
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN201810096459.4
申请日：2018-01-31
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种MEMS器件及其制备方法，所述MEMS器件包括：基底，所述基底包括测试区与非测试区，所述测试区与非测试区之间设有挖空的隔离槽，所述隔离槽环绕所述测试区设置；连接结构，所述测试区通过所述连接结构与所述非测试区相连接，所述连接结构为薄膜结构或硅悬臂梁结构。上述MEMS器件，设有隔离槽，该隔离槽环绕设置于测试区外边，其测试区通过且仅通过特定的连接结构与基底材料的其他区域(即非测试区)相连接。采用上述结构，该连接结构不会将非测试区形变形成的力传递到测试区，以消除非测试区的形变对上述MEMS器件测试时的影响，使测试结果更准确。
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公开(公告)号：CN111924794A
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN201910392505.X
申请日：2019-05-13
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
Abstract: 本申请涉及一种MEMS器件，包括衬底依次叠设于衬底上的第一牺牲层、第一导电薄膜、第二牺牲层和第二导电薄膜，其中，第二牺牲层开设有空腔；还包括开设有第一通孔的限幅层和开设有第二通孔的隔离层，第一通孔的正投影位于第二通孔内且第一通孔的孔径小于第二通孔的孔径，限幅层的正投影与空腔的开口区域部分重合，第一通孔的正投影与空腔开口区域部分重合，限幅层位于第一导电薄膜与第一牺牲层之间且隔离层位于限幅层与第一导电薄膜之间，和/或，位于第二导电薄膜上且隔离层位于限幅层与第二导电薄膜之间。上述MEMS期间，通过设置限幅层，在不影响导电薄膜应力的前提下，可以限制导电薄膜的形变程度，从而保护器件。
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公开(公告)号：CN106303867B
公开(公告)日：2019-02-01
申请号：CN201510244099.4
申请日：2015-05-13
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
Inventor： 胡永刚
IPC: H04R19/04
Abstract: 一种MEMS麦克风，包括叠加层，叠加层贴于用做振膜的上极板或下极板的中间区域，相当于增加了振膜中间的厚度，可以有效限制振膜中心区域的变形。当振膜发生振动而移动时，与传统结构麦克风相比，振膜的中间区域显得更为平整；在振膜移动相同距离的情况下，振膜中间区域较为平整的电容结构显然电容较大，即电容的变化量更大，从而使灵敏度更高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107465983A
公开(公告)日：2017-12-12
申请号：CN201610389572.2
申请日：2016-06-03
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
Inventor： 胡永刚
CPC classification number: H04R19/04 , H04R31/00 , H04R2400/11
Abstract: 本发明涉及一种MEMS麦克风，包括基板、下电极层、牺牲层、应力层和上电极层，基板的中部设有第一开口，下电极层横跨于基板上；牺牲层、应力层、上电极层依次层叠在下电极层上，并在牺牲层、应力层上开设第二开口；应力层的厚度与基板的翘曲程度相匹配。上述MEMS麦克风，可根据半导体基板的翘曲或形变程度改变应力层的厚度，使应力层的厚度或应力与基板的翘曲程度相匹配，通过改变应力层的厚度和应力，进而对基板施加与基板变形方向相反的力，以减轻或消除基板的变形。此外，还提供一种MEMS麦克风的制备方法，该制备方法可以与现有MEMS麦克风制造工艺完美兼容、便于生产、成本低、成品率高。
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公开(公告)号：CN111924794B
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN201910392505.X
申请日：2019-05-13
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
Abstract: 本申请涉及一种MEMS器件，包括衬底依次叠设于衬底上的第一牺牲层、第一导电薄膜、第二牺牲层和第二导电薄膜，其中，第二牺牲层开设有空腔；还包括开设有第一通孔的限幅层和开设有第二通孔的隔离层，第一通孔的正投影位于第二通孔内且第一通孔的孔径小于第二通孔的孔径，限幅层的正投影与空腔的开口区域部分重合，第一通孔的正投影与空腔开口区域部分重合，限幅层位于第一导电薄膜与第一牺牲层之间且隔离层位于限幅层与第一导电薄膜之间，和/或，位于第二导电薄膜上且隔离层位于限幅层与第二导电薄膜之间。上述MEMS期间，通过设置限幅层，在不影响导电薄膜应力的前提下，可以限制导电薄膜的形变程度，从而保护器件。
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公开(公告)号：CN107465983B
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN201610389572.2
申请日：2016-06-03
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
Inventor： 胡永刚
Abstract: 本发明涉及一种MEMS麦克风，包括基板、下电极层、牺牲层、应力层和上电极层，基板的中部设有第一开口，下电极层横跨于基板上；牺牲层、应力层、上电极层依次层叠在下电极层上，并在牺牲层、应力层上开设第二开口；应力层的厚度与基板的翘曲程度相匹配。上述MEMS麦克风，可根据半导体基板的翘曲或形变程度改变应力层的厚度，使应力层的厚度或应力与基板的翘曲程度相匹配，通过改变应力层的厚度和应力，进而对基板施加与基板变形方向相反的力，以减轻或消除基板的变形。此外，还提供一种MEMS麦克风的制备方法，该制备方法可以与现有MEMS麦克风制造工艺完美兼容、便于生产、成本低、成品率高。
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公开(公告)号：CN111908420A
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN201910383273.1
申请日：2019-05-09
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: B81C1/00
Abstract: 本申请涉及一种MEMS器件制备方法，包括：提供衬底，在衬底的正面形成第一牺牲层，在第一牺牲层上形成功能结构；对衬底的背面进行刻蚀形成沟槽，刻蚀停止于第一牺牲层，沟槽相互连通且围合成封闭图形，衬底被沟槽包围的部分作为支撑结构；及刻蚀第一牺牲层，支撑结构随着与支撑结构相接触的第一牺牲层被刻蚀掉而脱落，形成背腔。上述制备方法，在第二步衬底刻蚀过程中仅形成较小面积的沟槽，使得沟槽上方结构承受应力的能力较强，在后续工序中不容易变形或破裂，提高产品良率。
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公开(公告)号：CN117524854A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202210905523.5
申请日：2022-07-29
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L21/033
Abstract: 本发明涉及一种利用剥离工艺进行图形转移的方法及半导体器件结构，所述方法包括：获取基底，基底上形成有台阶结构；在台阶结构的侧面形成侧墙结构；在基底上、台阶结构上及侧墙结构上形成光刻胶层；使用具有目标材料图形的光刻版对光刻胶层进行曝光，然后对光刻胶层进行显影；形成目标材料层，所述目标材料层覆盖光刻胶层露出的基底、台阶结构及侧墙结构且在光刻胶层的边缘断开；去除光刻胶层，基底、台阶结构及侧墙结构上具有目标材料图形的目标材料层被保留。本发明通过在台阶结构的侧面形成平缓的侧墙结构，使得目标材料层在侧墙结构的位置不易断开，目标材料可以获得预期的连续结构，从而能够使得剥离工艺适用于台阶结构。
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