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公开(公告)号：CN115825171A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202111095154.X
申请日：2021-09-17
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: G01N27/22
Abstract: 本发明涉及一种双电容湿度传感器，所述双电容湿度传感器具有垂直参考电容和水平湿敏电容，双电容结构能有效提高产品的校准精度，并且，所述垂直参考电容以导电掺杂衬底作为下电极，垂直参考电容的上电极同层设置有水平湿敏电容的正电极和负电极，寄生电容小，灵敏度高，可以节约制作成本，并且产品稳定性好，便于量产。
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公开(公告)号：CN118129917A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202211534174.7
申请日：2022-12-02
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种热电堆传感器及其校准测试方法和装置，所述热电堆传感器包括：热电堆；环境温度传感单元；放大单元，与热电堆连接，将热电堆输出的电信号进行放大处理；模数转换器，与放大单元及环境温度传感单元连接，对放大单元输出的电信号进行模数转换，得到热电堆信号；还用于对环境温度传感单元输出的电信号进行模数转换，得到环境温度信号；存储器，用于存储温度校准系数；数字信号处理单元，与模数转换器连接，根据热电堆信号、环境温度信号及温度校准系数得到被测目标温度数据；热电堆传感器的前述各元器件集成在同一管芯中。本发明将热电堆传感器的元器件集成在同一管芯中，实现低成本、高可靠性的目的。
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公开(公告)号：CN116137250A
公开(公告)日：2023-05-19
申请号：CN202111356718.0
申请日：2021-11-16
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L21/762
Abstract: 本发明提供了一种SON器件及其制造方法，所述SON器件的制造方法包括：形成阵列排布的第一深槽于核心区的衬底中，以及形成环绕第一深槽的至少一圈第二深槽于外围区的衬底中，每一圈包含多个第二深槽，最靠近核心区的一圈第二深槽与核心区最外侧的第一深槽的间距大于相邻两个第一深槽的间距；执行退火工艺，以使得阵列排布的第一深槽之间连通形成为封闭的第一空腔，以及使得第二深槽形成为环绕第一空腔的至少一圈第二空腔。本发明的技术方案能够确保第一空腔的边缘封口，且能降低第一空腔顶部的应力膜与第一空腔外围的衬底之间的高度差。
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公开(公告)号：CN114518186B
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202011301093.3
申请日：2020-11-19
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种电容压力传感器及其制备方法，包括：将基体衬底形成有绝缘介质层的一面与键合衬底键合，基体衬底与键合衬底之间未设置绝缘介质层的位置形成空腔结构；在基体衬底上形成与基体衬底电连接的第一电极，在键合衬底上形成与键合衬底电连接的第二电极；其中，基体衬底作为电容压力传感器的第一极板，键合衬底作为电容压力传感器的第二极板。本申请将基体衬底作为电容压力传感器的第一极板，键合衬底作为电容压力传感器的第二极板，处于第一极板和第二极板之间的空腔结构可充当电容压力传感器两个电极之间的电介质材料，与现有技术相比，本申请制备电容压力传感器的工艺简单，且便于批量生产。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117979805A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202211292032.4
申请日：2022-10-21
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种热电堆红外传感器及其制造方法，所述热电堆红外传感器包括MEMS单元，所述MEMS单元包括：多个热电偶，每个热电偶包括热结端和冷结端，各所述热电偶串联连接形成热电堆；红外吸收层，覆盖各所述热电偶，所述红外吸收层为包括硅氧化物和硅的氮化物的复合层；其中，各所述热电偶的附近设有若干贯穿所述红外吸收层的释放孔，每个热电偶的热结端附近的释放孔密度高于冷结端附近的释放孔密度，且对于若干所述热电偶的热结端，其附近的释放孔设有凹入释放孔侧壁的第一空腔。本发明采用硅氧化物和硅的氮化物的复合层作为红外吸收层，易于制造，且通过第一空腔聚集红外能量来提高红外吸收率，因此具有较高的红外吸收率。
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公开(公告)号：CN114518186A
公开(公告)日：2022-05-20
申请号：CN202011301093.3
申请日：2020-11-19
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种电容压力传感器及其制备方法，包括：将基体衬底形成有绝缘介质层的一面与键合衬底键合，基体衬底与键合衬底之间未设置绝缘介质层的位置形成空腔结构；在基体衬底上形成与基体衬底电连接的第一电极，在键合衬底上形成与键合衬底电连接的第二电极；其中，基体衬底作为电容压力传感器的第一极板，键合衬底作为电容压力传感器的第二极板。本申请将基体衬底作为电容压力传感器的第一极板，键合衬底作为电容压力传感器的第二极板，处于第一极板和第二极板之间的空腔结构可充当电容压力传感器两个电极之间的电介质材料，与现有技术相比，本申请制备电容压力传感器的工艺简单，且便于批量生产。
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公开(公告)号：CN118999799A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202310553982.6
申请日：2023-05-16
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
Abstract: 本申请涉及一种MEMS热电堆红外探测器。该MEMS热电堆红外探测器包括热电组件，所述热电组件包括：壳体，具有容纳腔；所述容纳腔具有相对设置的第一腔口和第二腔口；红外透镜，装配于所述第一腔口处；热端载体，装配于所述第一腔口处，且位于所述红外透镜靠近所述容纳腔的一侧；所述热端载体用于吸收所述红外透镜所聚焦的红外线；冷端载体，装配于所述第二腔口处；多个热偶连接件，各所述热偶连接件的一端与所述热端载体连接，另一端与所述冷端载体连接。这样，当一个热偶连接件出现断裂或断触后，其他热偶连接件还可以进行工作，从而改善了热偶连接件出现断裂或断触易造成测量精准度差或失效的问题。
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公开(公告)号：CN215828359U
公开(公告)日：2022-02-15
申请号：CN202122249243.7
申请日：2021-09-16
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
Abstract: 本实用新型涉及一种MEMS芯片的TO封装结构。该TO封装结构中，在TO管座和MEMS芯片之间设置了垫片，TO管座上具有第一贯通孔、垫片上具有第二贯通孔，它们彼此上下贯通并与MEMS芯片的背腔连通，不影响MEMS芯片的工作，并且，所述第一贯通孔的径向尺寸较所述第二贯通孔和所述MEMS芯片的背腔开口的径向尺寸大。所述第二贯通孔的径向尺寸设置得较所述第一贯通孔小，在第二贯通孔上设置的MEMS芯片不容易倾斜，且增加MEMS芯片的粘接面积，使MEMS芯片更稳固，因此可以提高封装效率和良率，而且不会显著增加封装成本。
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公开(公告)号：CN218491480U
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN202221978804.5
申请日：2022-07-28
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
Abstract: 本申请涉及基座封装治具，治具本体设有工作区域且设有至少二个卡槽结构；卡槽结构呈优弧弓形，卡槽结构具有容纳区，通过优弧弓形限定晶体管外形封装部件的位移；治具本体还设有定位区域，定位区域用于限定治具本体的位移。为微电子机械系统的晶体管外形封装部件进行了优化设计，可应用于TO‑5基座封装且根据规格尺寸的不同设计，还可应用于其他规格基座封装，一次能够处理多个晶体管外形封装部件，且有效地固定基座，一方面实现了晶体管外形封装部件尤其是TO‑5基座的自动化封装，从而提升了封装效率；另一方面有利于规避人工封装的一致性问题，从而提升了产品的良率；再一方面由于卡槽结构的可扩展性，提升了基座封装治具的适用范围，易于推广应用。
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