-
公开(公告)号：CN104662644B
公开(公告)日：2018-11-27
申请号：CN201380047457.1
申请日：2013-09-26
Applicant: 斯克林集团公司
IPC: H01L21/304 , B08B3/02 , G21K5/00 , G21K5/02 , G21K5/10 , H05F1/00 , H05F3/06 , B01J4/00 , B05C11/08 , B05C11/10
Abstract: 本发明的处理液供给装置(100)用于从喷出口(53)喷出处理液，来将该处理液供给至处理对象物(W)，包括：第一管(51)，能够使处理液在内部流动，该第一管的内部与所述喷出口(53)相连通；X射线照射单元(62)，用于向在所述第一管(51)内存在的处理液照射X射线。所述第一管(51)的管壁上具有开口(52)，所述开口(52)被窗构件(71)堵塞，所述窗构件(71)由能够使X射线透过的材料形成，所述X射线照射单元(62)，经由所述窗构件(71)向在所述第一管(51)内存在的处理液照射X射线。
-
公开(公告)号：CN103077907B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201210369837.4
申请日：2012-09-28
Applicant: 斯克林集团公司
CPC classification number: H01L21/67028
Abstract: 在基板处理装置（1）中，通过由二氧化碳溶解单元（62）控制二氧化碳向纯水的溶解量，使除电液的电阻率成为目标电阻率。接着，通过除电液供给部（6）向基板（9）上供给电阻率比SPM液的电阻率大的除电液，使除电液充满基板（9）的整个上表面（91），从而使基板（9）比较缓慢地除电。并且，在结束了除电处理之后，通过处理液供给部（3）向基板（9）上供给SPM液来进行SPM处理。由此，能防止进行SPM处理时大量的电荷从基板（9）向SPM液急剧移动的情况，能防止基板（9）的损伤。另外，通过将除电液的电阻率维持在目标电阻率，能在基板（9）不发生损伤的范围内，提高基板（9）的除电效率，并缩短除电处理所需要的时间。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104662644A
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201380047457.1
申请日：2013-09-26
Applicant: 斯克林集团公司
IPC: H01L21/304 , B08B3/02 , G21K5/00 , G21K5/02 , G21K5/10 , H05F1/00 , H05F3/06 , B01J4/00 , B05C11/08 , B05C11/10
CPC classification number: G03F1/82 , G21K5/10 , H01L51/0004 , H01L21/02052 , H01L21/67051 , H01L21/67057 , H01L21/6776
Abstract: 本发明的处理液供给装置(100)用于从喷出口(53)喷出处理液，来将该处理液供给至处理对象物(W)，包括：第一管(51)，能够使处理液在内部流动，该第一管的内部与所述喷出口(53)相连通；X射线照射单元(62)，用于向在所述第一管(51)内存在的处理液照射X射线。所述第一管(51)的管壁上具有开口(52)，所述开口(52)被窗构件(71)堵塞，所述窗构件(71)由能够使X射线透过的材料形成，所述X射线照射单元(62)，经由所述窗构件(71)向在所述第一管(51)内存在的处理液照射X射线。
-
公开(公告)号：CN104205304B
公开(公告)日：2017-08-22
申请号：CN201280072046.3
申请日：2012-09-07
Applicant: 斯克林集团公司
IPC: H01L21/304 , H01L21/306
CPC classification number: H01L21/6704 , H01L21/67051 , H01L21/67057 , H01L21/67751
Abstract: 基板处理装置(1)具有：基板保持单元(5)，其将基板保持为水平姿势；板(8)，其具有水平且平坦的液体保持面(11)，所述液体保持面(11)具有与被所述基板保持单元(5)保持的基板的主面相同或比该主面大的大小，且与所述基板的主面的下方相向；处理液供给单元(20)，其用于向所述液体保持面(5)供给处理液；移动单元(29)，其使所述基板保持单元(5)以及所述板(8)相对移动，来使基板的主面与液体保持面接近或分离；控制单元(50)。控制单元(50)控制所述处理液供给单元(20)以及所述移动单元(29)，执行通过所述处理液供给单元(20)向所述液体保持面(11)供给处理液，在所述液体保持面上形成处理液液膜的处理液液膜形成工序、通过所述移动单元(29)使所述基板的主面与所述液体保持面(11)接近，由此使基板的主面与所述处理液液膜接触的接触工序、在执行所述接触工序后维持处理液与所述基板的主面接触的状态的接触维持工序。
-
公开(公告)号：CN103915364B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201310741211.6
申请日：2013-12-27
Applicant: 斯克林集团公司
CPC classification number: H01L21/6715 , H01L21/02057 , H01L21/6704 , H01L21/67051
Abstract: 在基板处理装置（10）中，随着液温上升而电阻率逐渐减少的除静电液的温度由温度调整部61）调整，除静电液的电阻率大于在单张处理装置（1）的处理中利用的处理液（SPM液）的电阻率。除静电液贮存在除静电液贮存部71。然后，在盒体73内保持的多张基板（9）浸渍在除静电液贮存部（71）内的除静电液中，基板（9）的两侧的整个主面与除静电液相接触。由此，基板（9）比较缓慢地被除静电。并且，在除静电处理以及利用基板干燥部（75）进行的干燥处理结束后，在单张处理装置1中向基板的上表面（91）上供给SPM液来进行SPM处理。由此，防止在SPM处理时大量电荷从基板向SPM液快速移动，能够防止基板（9）损伤。
-
公开(公告)号：CN103367203B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201310081042.8
申请日：2013-03-14
Applicant: 斯克林集团公司
CPC classification number: H01L21/67023 , B08B3/04 , H01L21/02057 , H01L21/30604 , H01L21/67075 , H01L21/6708 , H01L21/67115 , H01L21/68764
Abstract: 本发明提供一种处理基板的基板处理装置和基板处理方法。基板处理装置具有：第一处理液供给部，其向基板的上表面的中央部供给第一处理液；基板旋转机构，其使基板旋转；气体供给部及抽吸部，其变更腔室内部空间的压力。在基板处理装置中，在使腔室的内部空间处于加压环境的状态下，一边使基板旋转，一边向基板的上表面上连续地供给第一处理液，由此进行蚀刻处理。由此，与在常压下相比，能够抑制基板上的第一处理液被汽化，从而能够抑制基板的温度因汽化热而沿着从基板的中央部到外周部的方向变低。其结果，能够提高在利用第一处理液进行蚀刻处理时的基板的上表面的温度的均匀性，从而能够提高对基板的上表面整体的蚀刻处理的均匀性。
-
公开(公告)号：CN103367202B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201310081025.4
申请日：2013-03-14
Applicant: 斯克林集团公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/306
CPC classification number: H01L21/02019 , H01L21/02282 , H01L21/30608 , H01L21/6708 , H01L21/67115 , H01L21/6715
Abstract: 本发明提供一种处理基板的基板处理装置和基板处理方法。基板处理装置具有：第一处理液供给部，其向基板的上表面的中央部供给第一处理液；基板旋转机构，其使基板旋转；气体供给部及抽吸部，其变更腔室的内部空间的压力。在基板处理装置中，在使腔室的内部空间处于减压环境的状态下，通过一边使基板旋转，一边向基板的上表面供给第一处理液，来使第一处理液在上表面上从中央部向外周部快速扩散。由此，与在常压下相比，能够在更短的时间内利用第一处理液覆盖基板的上表面。另外，利用抽吸部来从基板的边缘附近抽吸第一处理液，由此能够在更短的时间内利用第一处理液覆盖基板的上表面。其结果，能够缩短处理基板所需的时间。
-
-
-
-
-
-
Search Results
7
records
(took 0.019 seconds)
