公开(公告)号：CN116169105A

公开(公告)日：2023-05-26

申请号：CN202310196813.1

申请日：2023-03-03

Applicant: 扬州大学 ,  华东光电集成器件研究所 ,  扬州扬福科技有限公司

Inventor： 刘洋 ,  苏亚慧 ,  吴晨成 ,  鞠莉娜 ,  薛玉雄 ,  曹荣幸 ,  翟建青

IPC: H01L23/367 ,  H01L23/485 ,  H01L23/498 ,  H01L23/528 ,  H01L23/538 ,  H01L23/373 ,  H01L23/31 ,  H01L21/48 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明公开了一种高导热堆叠芯片结构及制备方法，堆叠结构将硅片直立起来，利用硅片侧面焊盘以及侧面焊球与基板相连，硅片与硅片之间通过正面与背面的焊盘以及焊球进行连接，如此形成一种硅片直立排列的结构。芯片直立排列结构相较于传统的三维堆叠结构，散热效果明显更好，各芯片的温度更均匀，没有出现传统三维堆叠结构中自下而上芯片温度逐渐升高的情况。

公开(公告)号：CN118870781A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202411071517.X

申请日：2024-08-06

Applicant: 扬州大学

Inventor： 郑澍 ,  吴晨成 ,  薛玉雄 ,  朱睿 ,  曹生珠 ,  郑建东 ,  刘洋

IPC: H05K9/00

Abstract: 一种具有宽吸波频带、耐高温的堆叠薄膜结构及其制备方法，步骤如下：在聚乙烯基层上通过光刻方法制备第一金属导电层；然后使用旋涂法在第一金属导电层上制备第一聚酰胺介质层；在第一聚酰胺介质层上通过光刻方法制备第二金属导电层，使用旋涂法在第二金属导电层上制备第二聚酰胺介质层，然后在第二聚酰胺介质层上制备第三金属导电层，使用旋涂法在第三金属导电层上制备第三聚酰胺介质层，第一金属导电层到第三金属导电层中上一层的电导率大于下一层的电导率；使用旋涂法在聚酰胺介质层上制备聚酰亚胺保护层。本发明制备的薄膜结构防护效果更佳，提高了吸波薄膜的耐高温性能及其使用寿命和安全性。

公开(公告)号：CN118829180A

公开(公告)日：2024-10-22

申请号：CN202411077328.3

申请日：2024-08-07

Applicant: 扬州大学

Inventor： 郑澍 ,  吴晨成 ,  薛玉雄 ,  刘洋

IPC: H05K9/00 ,  H01Q17/00

Abstract: 一种MXene/AgNW图案化吸波薄膜结构及其制备方法，步骤如下：步骤一、将CNF溶液、Ti3C2Tx‑MXene的去离子水分散体、AgNW在去离子水中的分散体依次经过真空抽滤，组装完成后经后处理，得到自下而上分别为CNF层、MXene层和AgNW层的薄膜；步骤二、通过激光烧蚀的方法对AgNW层进行图案化处理，所述图案为周期性图案；步骤三、然后在图案化处理后的薄膜上过滤CNF溶液，过滤完全后经后处理得到最终结构，自下而上分别为CNF层、MXene层、AgNW层和CNF层。本发明通过MXene与AgNw独立成层的方法，能够解决直接掺杂带来的导电性能下降问题。通过激光烧蚀技术，对薄膜进行图案化加工，能够进一步提高其吸波能力。通过在薄膜上下表面增加纳米纤维素（CNF）层的方法，能够提高薄膜的力学性能。

公开(公告)号：CN117074918A

公开(公告)日：2023-11-17

申请号：CN202311077992.3

申请日：2023-08-25

Applicant: 扬州大学

Inventor： 刘洋 ,  徐鑫 ,  赵雪薇 ,  邢朝洋 ,  单光宝 ,  李兴冀 ,  薛玉雄 ,  夏阳晶 ,  吴晨成

IPC: G01R31/28 ,  G01N21/84

Abstract: 本发明公开了一种辐照条件下电迁移现象测试装置及测试方法，所述测试装置包括测试板，所述测试板包括芯片、设在芯片下方或下方的基板，以及焊接在芯片和基板之间的焊球组；辐射源，所述辐射源相对于测试板垂直布置，所述辐射源直接照射在测试板的焊球上；恒流源，所述恒流源与测试板连接并形成通电回路，所述测试板的焊球组中的位于两个端点的焊球处于上述通电回路中，作为电迁移现象的观测点，中间焊球处于通电回路之外，作为未通电的环境参考点。本发明可以对同一样品进行多次测试，可对样品的微观组织形貌进行观测。本发明方法为三维封装互连技术在航天领域的应用提供了重要的技术保障，能够提高互连结构在空间环境下的可靠性。