公开(公告)号：CN114284144A

公开(公告)日：2022-04-05

申请号：CN202111325098.4

申请日：2021-11-10

Applicant: 扬州大学

Inventor： 杨金彭 ,  汤庆苏 ,  梁维新 ,  杨兆峰 ,  杨梦凡

IPC: H01L21/329 ,  H01L29/06 ,  H01L29/36 ,  H01L29/861 ,  G06F30/20

Abstract: 本发明公开了一种二极管的制造方法及其制造的二极管，其中方法包括：S1：设置二极管模型的衬底层和外延材料参数，建立二极管物理模型；S2：改变二极管物理模型的有源区的受主离子的浓度梯度因子，模拟不同浓度梯度因子下的反向击穿电压，获得浓度梯度因子与反向击穿电压的关系曲线图；S3：从浓度梯度因子与反向击穿电压的关系曲线图中获取最大反向击穿电压对应的浓度梯度因子范围；S4：制定并模拟二极管的制作流程，获得使二极管的有源区的受主离子的浓度梯度因子落入浓度梯度因子范围内的工艺参数；S5：按照二极管的制作流程及获得工艺参数制造二极管。上述方法制造的二极管，在相同厚度的外延层下具有最优的反向击穿电压，有最优的抗雪崩能力。

公开(公告)号：CN116404048A

公开(公告)日：2023-07-07

申请号：CN202310275991.3

申请日：2023-03-21

Applicant: 扬州大学

Inventor： 杨金彭 ,  汤庆苏

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/0747

Abstract: 本发明提供了一种优化的HIT太阳能电池结构，该结构中含有正面缓冲钝化层，所述正面缓冲钝化层的材料为a‑SiGe:H，其厚度为3‑10nm；所述HIT结构为：丝网印刷银前栅/TCO层/正面p型非晶硅薄膜/正面缓冲钝化层/n型单晶硅衬底/背面本征非晶硅钝化层/背面n型非晶硅薄膜/TCO层/金属背电极。本发明研究了在HIT太阳能电池中，引入a‑SiGe:H代替a‑Si:H层等其他材料作为正面缓冲钝化层，在实际应用时高低温变化及厚度变换与效率的关系，本发明通过选择合适的材料，优化了电池性能，降低了工艺难度，有利于推进HIT太阳能电池产业化发展。

公开(公告)号：CN115275033A

公开(公告)日：2022-11-01

申请号：CN202210830363.2

申请日：2022-07-15

Applicant: 扬州大学

Inventor： 杨金彭 ,  汤庆苏 ,  陈斌

IPC: H01L51/50 ,  H01L51/56 ,  H01L51/54

Abstract: 本发明公开了一种利用杂化异质结实现有机半导体器件欧姆接触的方法，所述有机半导体器件包括金属电极层，电子注入层，发光层，空穴传输层，过渡金属氧化物层，超薄插入层和ITO层，所述插入层材料为C60、NTCDA或TCTA，插入层的厚度为3‑10nm；所述实现该有机半导体器件欧姆接触的方法通过在过渡金属氧化物层表面采样热蒸发法蒸镀插入层，从而形成异质结界面层，实现有机光电器件界面层欧姆注入，提升半导体光电器件的性能，此外，利用非掺杂层来构筑的欧姆注入界面有利于提升器件的稳定性。