公开(公告)号：CN114284144A

公开(公告)日：2022-04-05

申请号：CN202111325098.4

申请日：2021-11-10

Applicant: 扬州大学

Inventor： 杨金彭 ,  汤庆苏 ,  梁维新 ,  杨兆峰 ,  杨梦凡

IPC: H01L21/329 ,  H01L29/06 ,  H01L29/36 ,  H01L29/861 ,  G06F30/20

Abstract: 本发明公开了一种二极管的制造方法及其制造的二极管，其中方法包括：S1：设置二极管模型的衬底层和外延材料参数，建立二极管物理模型；S2：改变二极管物理模型的有源区的受主离子的浓度梯度因子，模拟不同浓度梯度因子下的反向击穿电压，获得浓度梯度因子与反向击穿电压的关系曲线图；S3：从浓度梯度因子与反向击穿电压的关系曲线图中获取最大反向击穿电压对应的浓度梯度因子范围；S4：制定并模拟二极管的制作流程，获得使二极管的有源区的受主离子的浓度梯度因子落入浓度梯度因子范围内的工艺参数；S5：按照二极管的制作流程及获得工艺参数制造二极管。上述方法制造的二极管，在相同厚度的外延层下具有最优的反向击穿电压，有最优的抗雪崩能力。