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公开(公告)号：CN111421133A
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：CN202010235411.4
申请日：2020-03-30
Applicant: 扬州大学
Abstract: 本发明公开了一种银纳米片团簇阵列及其制备方法，基于廉价成熟的胶体球模板技术，结合热蒸发工艺与简单置换反应，可控合成了银纳米片团簇阵列，并且能对团簇尺寸及周期性、纳米片尺寸进行调控。获得的银纳米片团簇阵列结构独特，所述制备方法具有简单、无污染、成本低、能量产等优点，有望得到实际应用。
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公开(公告)号：CN116404048A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202310275991.3
申请日：2023-03-21
Applicant: 扬州大学
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0747
Abstract: 本发明提供了一种优化的HIT太阳能电池结构，该结构中含有正面缓冲钝化层，所述正面缓冲钝化层的材料为a‑SiGe:H，其厚度为3‑10nm；所述HIT结构为：丝网印刷银前栅/TCO层/正面p型非晶硅薄膜/正面缓冲钝化层/n型单晶硅衬底/背面本征非晶硅钝化层/背面n型非晶硅薄膜/TCO层/金属背电极。本发明研究了在HIT太阳能电池中，引入a‑SiGe:H代替a‑Si:H层等其他材料作为正面缓冲钝化层，在实际应用时高低温变化及厚度变换与效率的关系，本发明通过选择合适的材料，优化了电池性能，降低了工艺难度，有利于推进HIT太阳能电池产业化发展。
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公开(公告)号：CN115275033A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210830363.2
申请日：2022-07-15
Applicant: 扬州大学
Abstract: 本发明公开了一种利用杂化异质结实现有机半导体器件欧姆接触的方法，所述有机半导体器件包括金属电极层，电子注入层，发光层，空穴传输层，过渡金属氧化物层，超薄插入层和ITO层，所述插入层材料为C60、NTCDA或TCTA，插入层的厚度为3‑10nm；所述实现该有机半导体器件欧姆接触的方法通过在过渡金属氧化物层表面采样热蒸发法蒸镀插入层，从而形成异质结界面层，实现有机光电器件界面层欧姆注入，提升半导体光电器件的性能，此外，利用非掺杂层来构筑的欧姆注入界面有利于提升器件的稳定性。
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公开(公告)号：CN111421133B
公开(公告)日：2022-01-21
申请号：CN202010235411.4
申请日：2020-03-30
Applicant: 扬州大学
Abstract: 本发明公开了一种银纳米片团簇阵列及其制备方法，基于廉价成熟的胶体球模板技术，结合热蒸发工艺与简单置换反应，可控合成了银纳米片团簇阵列，并且能对团簇尺寸及周期性、纳米片尺寸进行调控。获得的银纳米片团簇阵列结构独特，所述制备方法具有简单、无污染、成本低、能量产等优点，有望得到实际应用。
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公开(公告)号：CN111636057A
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN202010410257.X
申请日：2020-05-15
Applicant: 扬州大学
IPC: C23C16/26 , C23C14/24 , C23C14/20 , C01B32/194 , C01B32/186 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种银三角形纳米颗粒阵列/单层石墨烯薄膜复合材料，其步骤为：在铜箔上生长单层石墨烯膜；其次，组装单层PS球模板并将其转移至附有单层石墨烯的铜箔上；然后，利用热蒸发沉积银，沉积过程中样品保持静止；最后，去除PS球即可获得单层石墨烯膜上的银三角形纳米颗粒阵列。本发明在单层石墨烯上可控生长银三角形纳米颗粒阵列，结合了银三角形纳米颗粒阵列和单层石墨烯各自优势及二者的协同作用，具有很强的SERS性能，由于是在生长石墨烯的铜箔上原位合成，避免了石墨烯的破损，保证了其完整性和洁净性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111636065B
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202010410212.2
申请日：2020-05-15
Applicant: 扬州大学
Abstract: 本发明公开了一种银三角环纳米颗粒阵列/单层石墨烯薄膜复合材料及其制备方法，其步骤为：在铜箔上生长单层石墨烯膜；其次，组装单层PS球模板并将其转移至附有单层石墨烯的铜箔上；然后，利用热蒸发沉积银，沉积过程中样品保持匀速转动；最后，去除PS球即可获得单层石墨烯膜上的银三角环纳米颗粒阵列。本发明在单层石墨烯上可控生长银纳米环颗粒阵列，结合了银纳米环阵列和单层石墨烯各自优势及二者的协同作用，有优异的SERS性能，同时是在生长石墨烯的铜箔上原位合成的，避免了石墨烯的破损，保证了其完整性和洁净性。
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公开(公告)号：CN111349892B
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202010213049.0
申请日：2020-03-24
Applicant: 扬州大学
Abstract: 本发明公开了一种银叠加三角形纳米颗粒阵列及其制备方法，将热蒸发工艺和简单成熟的单层聚苯乙烯（PS）球模板相结合，通过对模板处理和两次银沉积，获得了银叠加三角形纳米颗粒阵列。该制备方法具有简单、绿色、重现性好和结构可调等优点，这种结构独特的银纳米颗粒阵列有望在光电等领域得到实用，比如其优异的表面增强拉曼散射性能可应用于环境有机污染物痕量检测上。
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公开(公告)号：CN114284144A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202111325098.4
申请日：2021-11-10
Applicant: 扬州大学
IPC: H01L21/329 , H01L29/06 , H01L29/36 , H01L29/861 , G06F30/20
Abstract: 本发明公开了一种二极管的制造方法及其制造的二极管，其中方法包括：S1：设置二极管模型的衬底层和外延材料参数，建立二极管物理模型；S2：改变二极管物理模型的有源区的受主离子的浓度梯度因子，模拟不同浓度梯度因子下的反向击穿电压，获得浓度梯度因子与反向击穿电压的关系曲线图；S3：从浓度梯度因子与反向击穿电压的关系曲线图中获取最大反向击穿电压对应的浓度梯度因子范围；S4：制定并模拟二极管的制作流程，获得使二极管的有源区的受主离子的浓度梯度因子落入浓度梯度因子范围内的工艺参数；S5：按照二极管的制作流程及获得工艺参数制造二极管。上述方法制造的二极管，在相同厚度的外延层下具有最优的反向击穿电压，有最优的抗雪崩能力。
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公开(公告)号：CN111646426A
公开(公告)日：2020-09-11
申请号：CN202010410223.0
申请日：2020-05-15
Applicant: 扬州大学
Abstract: 本发明公开了一种制备碳纳米链@金网络膜的方法，本发明将化学与物理方法相结合，两步工艺合成了碳纳米链@金网络膜，其中碳纳米链（直径和长度）和金膜（厚度和颗粒尺寸）可通过相应工艺参数进行调控。此合成方法具有普适、绿色、成本低、易于大量合成等优点，由于结构独特，网络膜展现出优异的表面增强拉曼散射性能。
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公开(公告)号：CN111636065A
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN202010410212.2
申请日：2020-05-15
Applicant: 扬州大学
Abstract: 本发明公开了一种银三角环纳米颗粒阵列/单层石墨烯薄膜复合材料及其制备方法，其步骤为：在铜箔上生长单层石墨烯膜；其次，组装单层PS球模板并将其转移至附有单层石墨烯的铜箔上；然后，利用热蒸发沉积银，沉积过程中样品保持匀速转动；最后，去除PS球即可获得单层石墨烯膜上的银三角环纳米颗粒阵列。本发明在单层石墨烯上可控生长银纳米环颗粒阵列，结合了银纳米环阵列和单层石墨烯各自优势及二者的协同作用，有优异的SERS性能，同时是在生长石墨烯的铜箔上原位合成的，避免了石墨烯的破损，保证了其完整性和洁净性。
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