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公开(公告)号：CN107070410B
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN201710238977.0
申请日：2017-04-13
Applicant: 成都信息工程大学 , 上海智浦欣微电子有限公司
Abstract: 公开了一种动态电源放大器，包括放大电路、为放大电路提供正电源和负电源的电源提供装置以及控制电源提供装置的模式控制电路。动态放大器的正电源负电源可以随着输出信号而动态变化，减小了放大器输出晶体管的功率损耗，从而提高放大器的效率。
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公开(公告)号：CN107026618B
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN201710238938.0
申请日：2017-04-13
Applicant: 成都信息工程大学 , 上海智浦欣微电子有限公司
Abstract: 公开了一种高效率放大器及控制其电源的方法。高效率放大器包括放大电路，为放大电路提供正电源和负电源的电源提供装置和控制电源提供装置的模式控制电路。高效率放大器的正电源负电源可以随着输出信号而变化，减小了放大器输出晶体管的功率损耗，从而提高放大器的效率。
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公开(公告)号：CN107992142B
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN201711472091.9
申请日：2017-12-29
Applicant: 上海智浦欣微电子有限公司
IPC: G05F1/56
Abstract: 公开了一种模拟集成电路领域的高电源抑制比基准电流源，该基准电流源具有启动电路、基准单元和反馈电路，包括控制端、电源端、基准提供端和接地端，其控制端接收控制信号VCON，其电源端耦接至外部电源VCC，其基准提供端提供一与绝对温度成正比的PTAT电流。该基准电流源具有很高的电源抑制比。
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公开(公告)号：CN107918432B
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN201711472109.5
申请日：2017-12-29
Applicant: 上海智浦欣微电子有限公司
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明公开了一种模拟集成电路领域的高电源抑制比基准电压源，该基准电压源具有启动电路、基准单元和反馈电路，包括控制端、电源端、偏置端、基准提供端和接地端，其控制端接收控制信号VCON，其电源端耦接至外部电源VCC，其偏置端提供偏置电压VBA，其基准提供端提供一基准电压VREF。该基准电压源具有很高的电源抑制比。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108052154B
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN201810110308.X
申请日：2018-02-05
Applicant: 成都信息工程大学
IPC: G05F3/26
Abstract: 公开了一种无运放高阶低温漂带隙基准电路，包括启动电路、偏置电路、正温度系数电路、负温度系数电路、正温度系数补偿电路、负温度系数补偿电路，该无运放高阶低温漂带隙基准电路采用无运放电路结构，采用BJT电流镜提高了输出基准电压的电源抑制比(PSRR)。本发明提供的电路具有12V～36V的宽电压输入、0～7V的可调宽输出电压、在‑75℃～125℃的温度范围内产生温度系数为5ppm/℃的基准电压，功耗极低35mW和高阶温度补偿的特征。
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公开(公告)号：CN108169592A
公开(公告)日：2018-06-15
申请号：CN201711346413.5
申请日：2017-12-15
Applicant: 成都信息工程大学
Abstract: 本发明提供了一种智能检测电路及智能检测方法。所述电路包括恒流源子电路、标准电流对比子电路、负载电流检测电路、标准电流检测电路、故障判断电路、声光报警子电路、电力切换子电路。本发明主要用于纯感性负载设备的电力供应前检测，能够及时检测出设备的漏电、短路情况，即刻发出声光报警并且不会为设备提供电力供应，直到故障排除后再次进行检测，检测通过后才可以启动设备，可以很好的保护设备，避免由于疏忽导致的漏电、短路情况出现，保护人员及设备安全。
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公开(公告)号：CN107967020A
公开(公告)日：2018-04-27
申请号：CN201711473465.9
申请日：2017-12-29
Applicant: 成都信息工程大学 , 四川海创天芯科技有限公司 , 四川悠服科技有限公司
IPC: G05F1/56
CPC classification number: G05F1/56
Abstract: 公开了一种模拟集成电路领域的低压基准源，包括三个电阻和七个晶体管。该低电压基准源结构简单，可以工作于1.2V以下电压，可以用于产生与绝对温度成正比电流，也可以与负温度系数电压(电流)组合以产生基准电压源。
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公开(公告)号：CN106952665A
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：CN201710156190.X
申请日：2017-03-16
Applicant: 成都信息工程大学
CPC classification number: G11C17/18 , G06F12/1408 , G06F12/1416
Abstract: 本发明提出了一种访问OTP（一次可编程）存储器的电路，通过配置访问OTP存储器指令产生对应访问OTP存储器的接口时序，实现对OTP存储器的编程、读取、唤醒、复位、睡眠操作。同时，在对OTP存储器编程操作中，针对对OTP编程地址的冗余处理及在编程操作中采取对同一个地址多次施加脉冲电压进行编程，采用编程算法模块电路对编程算法进行控制，极大程度解决了访问OTP存储器时容易出现编程出错的问题，大大提高了OTP存储器的可靠性，最大程度实现对OTP存储器利用。
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公开(公告)号：CN108345344B
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN201810384734.2
申请日：2018-04-26
Applicant: 成都信息工程大学
IPC: G05F3/26
Abstract: 本发明涉及一种基于CMOS工艺的具有电阻补偿的带隙基准电路，属于模拟集成电路领域，具体涉及一种具有电阻补偿的带隙基准电路。本发明包括：带隙基准核心电路和补偿电流产生电路，其中补偿电流产生电路包括电流乘法器电路、IPTAT产生电路、IPTAT2产生电路、IPTAT4产生电路和Iout产生电路。本发明通过电路的巧妙转换，而无需采用多种工艺制造，在原理上使用类似电阻补偿方式进行补偿，但是实现并不需要真实电阻，从工艺的角度相比其他采用多种工艺的电阻补偿方式大大减少加工成本，解决了电阻对工艺的依赖性问题。并且本发明采用一种电阻方式进行补偿，大大提高了带隙基准的温度系数特性。
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