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公开(公告)号：CN109885537A
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201910132372.2
申请日：2019-02-22
Applicant: 成都信息工程大学
Abstract: 本发明提供了一种日志显示方法、系统及计算机可读存储介质，包括，根据显示时间段的设置显示，显示日志图标及时间轴；所述时间轴横向或纵向设置；每一个所述日志图标代表一条日志，日志图标在时间轴上的对应位置对应日志的时间戳；识别鼠标所指向或选取的日志图标，并显示在所述时间轴上对应位置的时间信息，和/或显示对应日志的日志信息；所述选取包括但不限于点击选取和/或框选。与现有技术相比，根据显示的时间轴图像，便于选择要观察的时间段，根据时间段直观地选取要查看的日志，从而便于实现日志的时序分析，从而便于分析相关协作过程和状态的变化。
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公开(公告)号：CN109270637B
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN201811311609.5
申请日：2018-11-06
Applicant: 成都信息工程大学
IPC: G02B6/35
Abstract: 本发明公开了一种采用光驱动控制的MEMS光开关，包括第一基片、第二基片；第一基片上集成有通信光纤、移动式微反射镜、静电执行器，所述静电执行器包括一对电极；第一基片与第二基片相键合后在所述第一基片与第二基片之间形成一密闭腔室，所述密闭腔室内设置有第一对金属面，所述的第一对金属面中，其中的一个金属面为具有光电效应的第一光电子发射金属面，另一个金属面为用于接收光电子的第一光电子接收金属面；所述密闭腔室上设置有其光线射向第一光电子发射金属面驱动光纤；所述的一对电极分别通过第一导线、第二导线与所述第一光电子发射金属面、第一光电子接收金属面对应连接。本发明实现了纯光线驱动模式下的光路切换。
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公开(公告)号：CN108198853B
公开(公告)日：2020-02-07
申请号：CN201810174388.5
申请日：2018-03-02
Applicant: 成都信息工程大学
IPC: H01L29/06 , H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 本发明公开了一种双通道变掺杂LDMOS器件及其制造方法，该器件包括P型衬底，P型衬底中形成有相邻的深N阱和P阱，深N阱的顶部形成多段深度相同且相互间隔的P型帽层，在多段P型帽层下方的深N阱中形成有至少一层注入埋层，深N阱远离P阱的一侧形成有N+漏极，P阱上形成有N+源极和P+源极，在深N阱与P阱交界区域上方的P型衬底上形成有多晶硅栅，多晶硅栅与深N阱和P阱绝缘隔离，其中，注入埋层包括由上至下的N型埋层和P型埋层，多段P型帽层的掺杂浓度互不相同。本发明能够在同样击穿电压前提下，获得更低的比导通电阻。
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公开(公告)号：CN108172623A
公开(公告)日：2018-06-15
申请号：CN201810174517.0
申请日：2018-03-02
Applicant: 成都信息工程大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7816 , H01L29/0623 , H01L29/66681
Abstract: 本发明公开了一种高能注入埋层双通道LDMOS器件及其制造方法，该器件包括P型衬底，P型衬底中形成有相邻的深N阱和P阱，从深N阱的顶部至内部依次形成有P型帽层和至少一层注入埋层，深N阱远离P阱的一侧形成有N+漏极，P阱上形成有N+源极和P+源极，在深N阱与P阱交界区域上方的P型衬底上形成有多晶硅栅，多晶硅栅与深N阱和P阱绝缘隔离，其中，注入埋层包括由上至下的N型埋层和P型埋层。本发明能够在同样击穿电压前提下，获得更低的比导通电阻。
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公开(公告)号：CN107918432A
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201711472109.5
申请日：2017-12-29
Applicant: 成都信息工程大学 , 四川海创天芯科技有限公司 , 四川悠服科技有限公司
IPC: G05F1/56
CPC classification number: G05F1/56
Abstract: 本发明公开了一种模拟集成电路领域的高电源抑制比基准电压源，该基准电压源具有启动电路、基准单元和反馈电路，包括控制端、电源端、偏置端、基准提供端和接地端，其控制端接收控制信号VCON，其电源端耦接至外部电源VCC，其偏置端提供偏置电压VBA，其基准提供端提供一基准电压VREF。该基准电压源具有很高的电源抑制比。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107992142A
公开(公告)日：2018-05-04
申请号：CN201711472091.9
申请日：2017-12-29
Applicant: 成都信息工程大学 , 四川海创天芯科技有限公司 , 四川悠服科技有限公司
IPC: G05F1/56
Abstract: 公开了一种模拟集成电路领域的高电源抑制比基准电流源，该基准电流源具有启动电路、基准单元和反馈电路，包括控制端、电源端、基准提供端和接地端，其控制端接收控制信号VCON，其电源端耦接至外部电源VCC，其基准提供端提供一与绝对温度成正比的PTAT电流。该基准电流源具有很高的电源抑制比。
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公开(公告)号：CN109270637A
公开(公告)日：2019-01-25
申请号：CN201811311609.5
申请日：2018-11-06
Applicant: 成都信息工程大学
IPC: G02B6/35
Abstract: 本发明公开了一种采用光驱动控制的MEMS光开关，包括第一基片、第二基片；第一基片上集成有通信光纤、移动式微反射镜、静电执行器，所述静电执行器包括一对电极；第一基片与第二基片相键合后在所述第一基片与第二基片之间形成一密闭腔室，所述密闭腔室内设置有第一对金属面，所述的第一对金属面中，其中的一个金属面为具有光电效应的第一光电子发射金属面，另一个金属面为用于接收光电子的第一光电子接收金属面；所述密闭腔室上设置有其光线射向第一光电子发射金属面驱动光纤；所述的一对电极分别通过第一导线、第二导线与所述第一光电子发射金属面、第一光电子接收金属面对应连接。本发明实现了纯光线驱动模式下的光路切换。
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公开(公告)号：CN108198853A
公开(公告)日：2018-06-22
申请号：CN201810174388.5
申请日：2018-03-02
Applicant: 成都信息工程大学
IPC: H01L29/06 , H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 本发明公开了一种双通道变掺杂LDMOS器件及其制造方法，该器件包括P型衬底，P型衬底中形成有相邻的深N阱和P阱，深N阱的顶部形成多段深度相同且相互间隔的P型帽层，在多段P型帽层下方的深N阱中形成有至少一层注入埋层，深N阱远离P阱的一侧形成有N+漏极，P阱上形成有N+源极和P+源极，在深N阱与P阱交界区域上方的P型衬底上形成有多晶硅栅，多晶硅栅与深N阱和P阱绝缘隔离，其中，注入埋层包括由上至下的N型埋层和P型埋层，多段P型帽层的掺杂浓度互不相同。本发明能够在同样击穿电压前提下，获得更低的比导通电阻。
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公开(公告)号：CN108169592A
公开(公告)日：2018-06-15
申请号：CN201711346413.5
申请日：2017-12-15
Applicant: 成都信息工程大学
Abstract: 本发明提供了一种智能检测电路及智能检测方法。所述电路包括恒流源子电路、标准电流对比子电路、负载电流检测电路、标准电流检测电路、故障判断电路、声光报警子电路、电力切换子电路。本发明主要用于纯感性负载设备的电力供应前检测，能够及时检测出设备的漏电、短路情况，即刻发出声光报警并且不会为设备提供电力供应，直到故障排除后再次进行检测，检测通过后才可以启动设备，可以很好的保护设备，避免由于疏忽导致的漏电、短路情况出现，保护人员及设备安全。
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公开(公告)号：CN107967020A
公开(公告)日：2018-04-27
申请号：CN201711473465.9
申请日：2017-12-29
Applicant: 成都信息工程大学 , 四川海创天芯科技有限公司 , 四川悠服科技有限公司
IPC: G05F1/56
CPC classification number: G05F1/56
Abstract: 公开了一种模拟集成电路领域的低压基准源，包括三个电阻和七个晶体管。该低电压基准源结构简单，可以工作于1.2V以下电压，可以用于产生与绝对温度成正比电流，也可以与负温度系数电压(电流)组合以产生基准电压源。
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