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公开(公告)号:CN107992142B
公开(公告)日:2023-07-18
申请号:CN201711472091.9
申请日:2017-12-29
Applicant: 上海智浦欣微电子有限公司
IPC: G05F1/56
Abstract: 公开了一种模拟集成电路领域的高电源抑制比基准电流源,该基准电流源具有启动电路、基准单元和反馈电路,包括控制端、电源端、基准提供端和接地端,其控制端接收控制信号VCON,其电源端耦接至外部电源VCC,其基准提供端提供一与绝对温度成正比的PTAT电流。该基准电流源具有很高的电源抑制比。
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公开(公告)号:CN107918432B
公开(公告)日:2023-07-04
申请号:CN201711472109.5
申请日:2017-12-29
Applicant: 上海智浦欣微电子有限公司
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明公开了一种模拟集成电路领域的高电源抑制比基准电压源,该基准电压源具有启动电路、基准单元和反馈电路,包括控制端、电源端、偏置端、基准提供端和接地端,其控制端接收控制信号VCON,其电源端耦接至外部电源VCC,其偏置端提供偏置电压VBA,其基准提供端提供一基准电压VREF。该基准电压源具有很高的电源抑制比。
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