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公开(公告)号：CN108052154B
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN201810110308.X
申请日：2018-02-05
Applicant: 成都信息工程大学
IPC: G05F3/26
Abstract: 公开了一种无运放高阶低温漂带隙基准电路，包括启动电路、偏置电路、正温度系数电路、负温度系数电路、正温度系数补偿电路、负温度系数补偿电路，该无运放高阶低温漂带隙基准电路采用无运放电路结构，采用BJT电流镜提高了输出基准电压的电源抑制比(PSRR)。本发明提供的电路具有12V～36V的宽电压输入、0～7V的可调宽输出电压、在‑75℃～125℃的温度范围内产生温度系数为5ppm/℃的基准电压，功耗极低35mW和高阶温度补偿的特征。
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公开(公告)号：CN108169592A
公开(公告)日：2018-06-15
申请号：CN201711346413.5
申请日：2017-12-15
Applicant: 成都信息工程大学
Abstract: 本发明提供了一种智能检测电路及智能检测方法。所述电路包括恒流源子电路、标准电流对比子电路、负载电流检测电路、标准电流检测电路、故障判断电路、声光报警子电路、电力切换子电路。本发明主要用于纯感性负载设备的电力供应前检测，能够及时检测出设备的漏电、短路情况，即刻发出声光报警并且不会为设备提供电力供应，直到故障排除后再次进行检测，检测通过后才可以启动设备，可以很好的保护设备，避免由于疏忽导致的漏电、短路情况出现，保护人员及设备安全。
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公开(公告)号：CN107967020A
公开(公告)日：2018-04-27
申请号：CN201711473465.9
申请日：2017-12-29
Applicant: 成都信息工程大学 , 四川海创天芯科技有限公司 , 四川悠服科技有限公司
IPC: G05F1/56
CPC classification number: G05F1/56
Abstract: 公开了一种模拟集成电路领域的低压基准源，包括三个电阻和七个晶体管。该低电压基准源结构简单，可以工作于1.2V以下电压，可以用于产生与绝对温度成正比电流，也可以与负温度系数电压(电流)组合以产生基准电压源。
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公开(公告)号：CN106952665A
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：CN201710156190.X
申请日：2017-03-16
Applicant: 成都信息工程大学
CPC classification number: G11C17/18 , G06F12/1408 , G06F12/1416
Abstract: 本发明提出了一种访问OTP（一次可编程）存储器的电路，通过配置访问OTP存储器指令产生对应访问OTP存储器的接口时序，实现对OTP存储器的编程、读取、唤醒、复位、睡眠操作。同时，在对OTP存储器编程操作中，针对对OTP编程地址的冗余处理及在编程操作中采取对同一个地址多次施加脉冲电压进行编程，采用编程算法模块电路对编程算法进行控制，极大程度解决了访问OTP存储器时容易出现编程出错的问题，大大提高了OTP存储器的可靠性，最大程度实现对OTP存储器利用。
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公开(公告)号：CN108345344B
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN201810384734.2
申请日：2018-04-26
Applicant: 成都信息工程大学
IPC: G05F3/26
Abstract: 本发明涉及一种基于CMOS工艺的具有电阻补偿的带隙基准电路，属于模拟集成电路领域，具体涉及一种具有电阻补偿的带隙基准电路。本发明包括：带隙基准核心电路和补偿电流产生电路，其中补偿电流产生电路包括电流乘法器电路、IPTAT产生电路、IPTAT2产生电路、IPTAT4产生电路和Iout产生电路。本发明通过电路的巧妙转换，而无需采用多种工艺制造，在原理上使用类似电阻补偿方式进行补偿，但是实现并不需要真实电阻，从工艺的角度相比其他采用多种工艺的电阻补偿方式大大减少加工成本，解决了电阻对工艺的依赖性问题。并且本发明采用一种电阻方式进行补偿，大大提高了带隙基准的温度系数特性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113535086A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110782879.X
申请日：2021-07-12
Applicant: 成都信息工程大学
Abstract: 本发明公开了一种固态硬盘中重建的加速方法，增加了挂起队列管理模块，固态硬盘的Flash转换层模块提交映射数据块编号和映射数据表下刷信号到挂起队列管理模块，所述挂起队列管理模块完成映射数据块编号和映射数据表下刷信号的处理，并通过维护映射数据块的挂起队列，对映射数据源块进行暂存，保证其上的数据在映射数据表下刷前不丢失，以此来保证映射数据与Flash上存储的映射数据表同步；在固态硬盘重建过程中，查找到最新的映射数据表后，直接跳过映射数据块重建，进行用户数据区重建。该方法大大降低了重建的业务复杂度与时间消耗，从而达到重建加速的目的。
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公开(公告)号：CN108774057B
公开(公告)日：2021-02-23
申请号：CN201810719547.5
申请日：2018-07-03
Applicant: 成都信息工程大学
IPC: H01F1/36 , C04B35/26 , C04B35/622 , C04B35/64
Abstract: 本发明提供了一种用于LTCC环形器的NiCuZn旋磁铁氧体材料及其制备方法，属于磁性陶瓷材料制备领域。所述NiCuZn旋磁铁氧体材料由主料和二元复合掺杂构成，所述二元复合掺杂以MnO2和Bi2O3为原料，其中，MnO2的按照主料粉体质量的0.5wt％复合配置，Bi2O3的含量分别为所述主料粉体质量的0.0wt％，0.5wt％，1.0wt％，1.5wt％，2.0wt％，3.0wt％复合配置。同时，在制备用于LTCC环形器的NiCuZn旋磁铁氧体材料时采用新型烧结方法。本发明采用二元掺杂复合配置及新型烧结方法，进行旋磁性能调控制备的NiCuZn旋磁铁氧体材料，以解决在满足LTCC工艺之下，低温烧结中由于晶粒生长不充分，易出现多孔结构，导致密度低，空隙大，铁磁共振线宽高等技术难题。制备了很好旋磁性能的NiCuZn旋磁铁氧体材料，以广泛用于微波器件及微波电路系统中。
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公开(公告)号：CN109406990A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201811462919.7
申请日：2018-12-03
Applicant: 成都信息工程大学
Abstract: 本发明公开了一种芯片内置过温迟滞保护检测电路，包括PTAT电压产生电路，迟滞采样电路和温度迟滞检测电路。芯片内置过温迟滞保护检测电路通过基准源产生的温度漂移，利用电阻的分压原理使迟滞采样电路在同一温度下可以输出两个不同的门限电压，而不同的温度下的基准源电压值不同，通过基本的逻辑门电路，判断是否达到过温上限，产生并输出一个带有迟滞特性的控制信号，从而在实现带迟滞特性的过温保护的同时避免产生更多的功耗。本发明的一种芯片内置过温迟滞保护检测电路解决了当前现有技术的芯片工作在非正常温度的苛刻环境造成整个集成电路损坏的技术难题。进一步保护了芯片，具备很强的实用及商用价值。
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公开(公告)号：CN108052292A
公开(公告)日：2018-05-18
申请号：CN201711420007.9
申请日：2017-12-25
Applicant: 成都信息工程大学 , 四川海创天芯科技有限公司 , 四川悠服科技有限公司
Abstract: 本发明涉及存储技术领域，本发明实施例公开了一种固态硬盘的高温保护方法，所述方法包括:检测固态硬盘的温度，根据反馈的温度信息，合理高效地限制固态硬盘的带宽且保证了固态硬盘的其他性能指标。借此，本发明针对固态硬盘在一些特殊的应用场景如环境温度高达至40℃～100℃，避免了高温条件下固态硬盘进入异常模式，防止过高温度导致固态硬盘烧坏，造成数据丢失，大大增强了固态硬盘的可靠性，解决了固态硬盘在高温下的应用技术难点。
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公开(公告)号：CN107993687A
公开(公告)日：2018-05-04
申请号：CN201810029754.8
申请日：2018-01-12
Applicant: 成都信息工程大学
Abstract: 本发明提供了一种存储器电路，包括存储器阵列单元电路、行译码器电路、列译码器电路、页缓存电路、逻辑控制电路以及IO接口电路。在MLC NAND Flash存储器中嵌入ECC编解码电路，对MLC NAND Flash存储器编程操作时，编程的数据通过ECC编码器编码后将数据传送至MLC NAND Flash存储器阵列单元中；对MLC NAND Flsah存储器读取操作时，从MLC NAND Flash存储器的阵列单元读出的数据经过ECC解码器译码后读出至I/O口。MLC NAND Flash存储器中内嵌ECC模块，具备一定的纠正读写数据出错的能力，从而很大程度上解决了MLC NAND Flash存储器编程和读取操作中数据易出错的问题，降低了外部NAND Flash存储控制器的设计复杂度，提高了MLC NAND Flash存储器芯片的可靠性。
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