公开(公告)号：CN111354781B

公开(公告)日：2024-06-21

申请号：CN201911319805.1

申请日：2019-12-19

Applicant: 意法半导体(图尔)公司

Inventor： S·梅纳尔 ,  L·让

IPC: H01L29/08 ,  H01L29/74

Abstract: 本公开的实施例涉及垂直晶闸管。一种晶闸管由交替导电类型的第一半导体区域、第二半导体区域、第三半导体区域和第四半导体区域的垂直堆叠形成。第四半导体区域在晶闸管的栅极区中被中断。第四半导体区域进一步在连续通道中被中断，该连续通道从栅极区域朝向第四半导体区域的外部横向边缘纵向延伸。栅极金属层在晶闸管的栅极区之上延伸。阴极金属层在第四半导体区域之上但不在连续通道之上延伸。

公开(公告)号：CN111354781A

公开(公告)日：2020-06-30

申请号：CN201911319805.1

申请日：2019-12-19

Applicant: 意法半导体(图尔)公司

Inventor： S·梅纳尔 ,  L·让

IPC: H01L29/08 ,  H01L29/74

Abstract: 本公开的实施例涉及垂直晶闸管。一种晶闸管由交替导电类型的第一半导体区域、第二半导体区域、第三半导体区域和第四半导体区域的垂直堆叠形成。第四半导体区域在晶闸管的栅极区中被中断。第四半导体区域进一步在连续通道中被中断，该连续通道从栅极区域朝向第四半导体区域的外部横向边缘纵向延伸。栅极金属层在晶闸管的栅极区之上延伸。阴极金属层在第四半导体区域之上但不在连续通道之上延伸。

公开(公告)号：CN114678428A

公开(公告)日：2022-06-28

申请号：CN202111589027.5

申请日：2021-12-23

Applicant: 意法半导体(图尔)公司

Inventor： A·伊万 ,  L·让

IPC: H01L29/861 ,  H01L21/329 ,  H01L29/40 ,  H01L29/41

Abstract: 本公开涉及薄二极管。例如，一种包括二极管的装置。二极管的阳极包括第一区、第二区和第三区。第一区部分地覆盖第二区，并且具有的第一掺杂水平大于第二区的第二掺杂水平。第二区部分地覆盖第三区，并且具有的第二掺杂水平大于第三区的第三掺杂水平。第一绝缘层与第一区和第二区部分地重叠。

公开(公告)号：CN211929493U

公开(公告)日：2020-11-13

申请号：CN201922298435.X

申请日：2019-12-19

Applicant: 意法半导体(图尔)公司

Inventor： S·梅纳尔 ,  L·让

IPC: H01L29/08 ,  H01L29/74

Abstract: 本公开的实施例涉及晶闸管。一种晶闸管由交替导电类型的第一半导体区域、第二半导体区域、第三半导体区域和第四半导体区域的垂直堆叠形成。第四半导体区域在晶闸管的栅极区中被中断。第四半导体区域进一步在连续通道中被中断，该连续通道从栅极区域朝向第四半导体区域的外部横向边缘纵向延伸。栅极金属层在晶闸管的栅极区之上延伸。阴极金属层在第四半导体区域之上但不在连续通道之上延伸。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN217691182U

公开(公告)日：2022-10-28

申请号：CN202123264016.8

申请日：2021-12-23

Applicant: 意法半导体(图尔)公司

Inventor： A·伊万 ,  L·让

IPC: H01L29/861 ,  H01L21/329 ,  H01L29/40 ,  H01L29/41

Abstract: 本公开涉及电子装置，例如涉及薄二极管。例如，一种包括二极管的装置。二极管的阳极包括第一区、第二区和第三区。第一区部分地覆盖第二区，并且具有的第一掺杂水平大于第二区的第二掺杂水平。第二区部分地覆盖第三区，并且具有的第二掺杂水平大于第三区的第三掺杂水平。第一绝缘层与第一区和第二区部分地重叠。