公开(公告)号：CN109546640B

公开(公告)日：2020-10-27

申请号：CN201910011078.6

申请日：2016-02-29

Applicant: 意法半导体(图尔)公司

Inventor： J-M·西莫内 ,  C·巴龙

IPC: H02H9/04

Abstract: 本发明涉及对电话线路的过电压保护。一种结构保护SLIC电话线路接口免于低于负阈值或者高于正阈值的过电压。该结构包括被连接在第一线路和第二线路中的每个线路与参考电势之间的至少一个晶闸管。对于所有晶闸管，与在栅极侧的主电极对应的金属通过金属的整个表面与对应的半导体区域相接触。此外，每个晶闸管的栅极被直接连接到限定所述阈值之一的电压源。

公开(公告)号：CN106356827A

公开(公告)日：2017-01-25

申请号：CN201610113619.2

申请日：2016-02-29

Applicant: 意法半导体(图尔)公司

Inventor： J-M·西莫内 ,  C·巴龙

IPC: H02H9/04

CPC classification number: H04M1/745 ,  H01L27/0248 ,  H01L27/0262 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/74 ,  H02H9/041 ,  H02H9/043 ,  H04M3/005 ,  H04M3/18 ,  H04M19/08 ,  H04M2201/80

Abstract: 本发明涉及对电话线路的过电压保护。一种结构保护SLIC电话线路接口免于低于负阈值或者高于正阈值的过电压。该结构包括被连接在第一线路和第二线路中的每个线路与参考电势之间的至少一个晶闸管。对于所有晶闸管，与在栅极侧的主电极对应的金属通过金属的整个表面与对应的半导体区域相接触。此外，每个晶闸管的栅极被直接连接到限定所述阈值之一的电压源。

公开(公告)号：CN109546640A

公开(公告)日：2019-03-29

申请号：CN201910011078.6

申请日：2016-02-29

Applicant: 意法半导体(图尔)公司

Inventor： J-M·西莫内 ,  C·巴龙

IPC: H02H9/04

Abstract: 本发明涉及对电话线路的过电压保护。一种结构保护SLIC电话线路接口免于低于负阈值或者高于正阈值的过电压。该结构包括被连接在第一线路和第二线路中的每个线路与参考电势之间的至少一个晶闸管。对于所有晶闸管，与在栅极侧的主电极对应的金属通过金属的整个表面与对应的半导体区域相接触。此外，每个晶闸管的栅极被直接连接到限定所述阈值之一的电压源。

公开(公告)号：CN106356827B

公开(公告)日：2019-02-05

申请号：CN201610113619.2

申请日：2016-02-29

Applicant: 意法半导体(图尔)公司

Inventor： J-M·西莫内 ,  C·巴龙

IPC: H02H9/04

Abstract: 本发明涉及对电话线路的过电压保护。一种结构保护SLIC电话线路接口免于低于负阈值或者高于正阈值的过电压。该结构包括被连接在第一线路和第二线路中的每个线路与参考电势之间的至少一个晶闸管。对于所有晶闸管，与在栅极侧的主电极对应的金属通过金属的整个表面与对应的半导体区域相接触。此外，每个晶闸管的栅极被直接连接到限定所述阈值之一的电压源。

公开(公告)号：CN117767938A

公开(公告)日：2024-03-26

申请号：CN202311239578.8

申请日：2023-09-25

Applicant: 意法半导体(图尔)公司

Inventor： J-M·西莫内 ,  F·吉东

IPC: H03K19/0185 ,  H03K19/003

Abstract: 本公开涉及晶体管控制电路。用于控制第一晶体管的控制电路包括用于抑制瞬态电压的二极管。二极管的阴极耦接到第一晶体管的第一传导端子，并且二极管的阳极耦接到第一节点。第一电阻器耦接在第一节点与第一晶体管的控制端子之间。第二晶体管具有耦接到第一节点的控制端子、被配置为接收第一供电电压的第一传导端子，以及耦接到第一晶体管的控制端子的第二传导端子。

公开(公告)号：CN116073353A

公开(公告)日：2023-05-05

申请号：CN202310270990.X

申请日：2020-03-04

Applicant: 意法半导体股份有限公司 ,  意法半导体(图尔)公司

Inventor： J-M·西莫内 ,  S·恩古 ,  S·拉斯库纳

IPC: H02H9/04 ,  H01L29/12 ,  H01L29/16 ,  H01L29/20 ,  H01L29/06 ,  H01L29/861

Abstract: 本公开的各实施例涉及过电压保护设备。提供了过电压保护电路。在一些实施例中，过电压保护电路包括：第一二极管，该第一二极管由具有大于硅的带隙宽度的带隙宽度的第一半导体材料制成。第二二极管被包括，并且第二二极管与第一二极管电交叉耦合。第二二极管由与不同于第一半导体材料的第二半导体材料制成。

公开(公告)号：CN111668824A

公开(公告)日：2020-09-15

申请号：CN202010144570.3

申请日：2020-03-04

Applicant: 意法半导体股份有限公司 ,  意法半导体(图尔)公司

Inventor： J-M·西莫内 ,  S·恩古 ,  S·拉斯库纳

IPC: H02H9/04

Abstract: 本公开的各实施例涉及过电压保护设备。提供了过电压保护电路。在一些实施例中，过电压保护电路包括：第一二极管，该第一二极管由具有大于硅的带隙宽度的带隙宽度的第一半导体材料制成。第二二极管被包括，并且第二二极管与第一二极管电交叉耦合。第二二极管由与不同于第一半导体材料的第二半导体材料制成。

公开(公告)号：CN111668824B

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN202010144570.3

申请日：2020-03-04

Applicant: 意法半导体股份有限公司 ,  意法半导体(图尔)公司

Inventor： J-M·西莫内 ,  S·恩古 ,  S·拉斯库纳

IPC: H02H9/04

Abstract: 本公开的各实施例涉及过电压保护设备。提供了过电压保护电路。在一些实施例中，过电压保护电路包括：第一二极管，该第一二极管由具有大于硅的带隙宽度的带隙宽度的第一半导体材料制成。第二二极管被包括，并且第二二极管与第一二极管电交叉耦合。第二二极管由与不同于第一半导体材料的第二半导体材料制成。

公开(公告)号：CN115377183A

公开(公告)日：2022-11-22

申请号：CN202210486147.0

申请日：2022-05-06

Applicant: 意法半导体(图尔)公司

Inventor： J-M·西莫内 ,  D·儒弗 ,  F·拉努瓦

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/872 ,  H01L27/02

Abstract: 本公开涉及单向瞬态电压抑制器件，包括：单晶半导体衬底，掺杂有第一导电类型并且包括第一相对表面和第二相对表面；半导体区，掺杂有与第一导电类型相反的第二导电类型，从第一表面延伸到衬底中；第一导电电极，在第一侧上与半导体区接触；以及第二导电电极，在第二侧上与衬底接触；第一界面，在衬底与半导体区之间形成TVS二极管的结；以及第二界面，在第一导电电极与半导体区之间或在衬底与第二导电电极之间形成肖特基二极管的结。

公开(公告)号：CN218513459U

公开(公告)日：2023-02-21

申请号：CN202221064333.7

申请日：2022-05-06

Applicant: 意法半导体(图尔)公司

Inventor： J-M·西莫内 ,  D·儒弗 ,  F·拉努瓦

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/872 ,  H01L27/02

Abstract: 本公开涉及瞬态电压抑制器件和电子电路，包括：单晶半导体衬底，掺杂有第一导电类型并且包括第一相对表面和第二相对表面；半导体区，掺杂有与第一导电类型相反的第二导电类型，从第一表面延伸到衬底中；第一导电电极，在第一侧上与半导体区接触；以及第二导电电极，在第二侧上与衬底接触；第一界面，在衬底与半导体区之间形成TVS二极管的结；以及第二界面，在第一导电电极与半导体区之间或在衬底与第二导电电极之间形成肖特基二极管的结。