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公开(公告)号：CN109217708B
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN201810717308.6
申请日：2018-06-29
Applicant: 意法半导体(图尔)公司
Abstract: 一种可逆变换器，包括在DC电压的第一端子和第二端子之间串联耦合的第一场效应晶体管和第二场效应晶体管。第一三端双向可控硅开关元件和第二三端双向可控硅开关元件也在DC电压的第一端子和第二端子之间串联耦合。串联耦合的器件的中点通过电感元件耦合到AC电压的第一端子和第二端子。以不同的方式控制晶体管和三端双向可控硅开关元件的驱动，以在AC‑DC变换模式和DC‑AC变换模式下操作变换器。
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公开(公告)号：CN105717973A
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201510580542.5
申请日：2015-09-11
Applicant: 意法半导体(图尔)公司
IPC: G05F1/613
CPC classification number: H05B33/0887 , G05F1/577 , H03K17/12 , H03K17/14 , H03K17/74 , H05B33/0815
Abstract: 一种用于平衡流过相同类型半导体部件的并联组件的电流的电路，该电路对于每个部件包括调节电路，包括：将表示流过部件电流的第一信号与参考信号作比较的比较器；以及由所述比较器控制的、可设置电阻的电阻元件。
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公开(公告)号：CN109217708A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201810717308.6
申请日：2018-06-29
Applicant: 意法半导体(图尔)公司
Abstract: 一种可逆变换器，包括在DC电压的第一端子和第二端子之间串联耦合的第一场效应晶体管和第二场效应晶体管。第一三端双向可控硅开关元件和第二三端双向可控硅开关元件也在DC电压的第一端子和第二端子之间串联耦合。串联耦合的器件的中点通过电感元件耦合到AC电压的第一端子和第二端子。以不同的方式控制晶体管和三端双向可控硅开关元件的驱动，以在AC-DC变换模式和DC-AC变换模式下操作变换器。
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公开(公告)号：CN109217707A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201810665680.7
申请日：2018-06-26
Applicant: 意法半导体(图尔)公司
Abstract: 本公开涉及可逆AC-DC和DC-AC晶闸管转换器。一种可逆转换器，包括第一场效应晶体管和第二场效应晶体管，串联耦合在用于DC电压的第一端子和第二端子之间。第一晶闸管和第二晶闸管串联耦合在用于DC电压的第一和第二端子之间。第三晶闸管和第四晶闸管也串联耦合在用于DC电压端子的第一和第二端子之间，但是相对于第一和第二晶闸管具有相反的连接极性。第一和第二场效应晶体管之间的连接的中点以及第一与第二晶闸管之间和第三与第四晶闸管之间的连接的公共中点被耦合至AC电压端子。以不同的方式控制晶体管和晶闸管的致动，以在AC-DC转换模式和DC-AC转换模式中操作转换器。
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公开(公告)号：CN109217707B
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN201810665680.7
申请日：2018-06-26
Applicant: 意法半导体(图尔)公司(FR)
Abstract: 本公开涉及可逆AC‑DC和DC‑AC晶闸管转换器。一种可逆转换器，包括第一场效应晶体管和第二场效应晶体管，串联耦合在用于DC电压的第一端子和第二端子之间。第一晶闸管和第二晶闸管串联耦合在用于DC电压的第一和第二端子之间。第三晶闸管和第四晶闸管也串联耦合在用于DC电压端子的第一和第二端子之间，但是相对于第一和第二晶闸管具有相反的连接极性。第一和第二场效应晶体管之间的连接的中点以及第一与第二晶闸管之间和第三与第四晶闸管之间的连接的公共中点被耦合至AC电压端子。以不同的方式控制晶体管和晶闸管的致动，以在AC‑DC转换模式和DC‑AC转换模式中操作转换器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115377183A
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202210486147.0
申请日：2022-05-06
Applicant: 意法半导体(图尔)公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/872 , H01L27/02
Abstract: 本公开涉及单向瞬态电压抑制器件，包括：单晶半导体衬底，掺杂有第一导电类型并且包括第一相对表面和第二相对表面；半导体区，掺杂有与第一导电类型相反的第二导电类型，从第一表面延伸到衬底中；第一导电电极，在第一侧上与半导体区接触；以及第二导电电极，在第二侧上与衬底接触；第一界面，在衬底与半导体区之间形成TVS二极管的结；以及第二界面，在第一导电电极与半导体区之间或在衬底与第二导电电极之间形成肖特基二极管的结。
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公开(公告)号：CN209170244U
公开(公告)日：2019-07-26
申请号：CN201820984992.X
申请日：2018-06-26
Applicant: 意法半导体(图尔)公司
Abstract: 本公开涉及可逆转换器。一种可逆转换器，包括第一场效应晶体管和第二场效应晶体管，串联耦合在用于DC电压的第一端子和第二端子之间。第一晶闸管和第二晶闸管串联耦合在用于DC电压的第一和第二端子之间。第三晶闸管和第四晶闸管也串联耦合在用于DC电压端子的第一和第二端子之间，但是相对于第一和第二晶闸管具有相反的连接极性。第一和第二场效应晶体管之间的连接的中点以及第一与第二晶闸管之间和第三与第四晶闸管之间的连接的公共中点被耦合至AC电压端子。以不同的方式控制晶体管和晶闸管的致动，以在AC-DC转换模式和DC-AC转换模式中操作转换器。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN218513459U
公开(公告)日：2023-02-21
申请号：CN202221064333.7
申请日：2022-05-06
Applicant: 意法半导体(图尔)公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/872 , H01L27/02
Abstract: 本公开涉及瞬态电压抑制器件和电子电路，包括：单晶半导体衬底，掺杂有第一导电类型并且包括第一相对表面和第二相对表面；半导体区，掺杂有与第一导电类型相反的第二导电类型，从第一表面延伸到衬底中；第一导电电极，在第一侧上与半导体区接触；以及第二导电电极，在第二侧上与衬底接触；第一界面，在衬底与半导体区之间形成TVS二极管的结；以及第二界面，在第一导电电极与半导体区之间或在衬底与第二导电电极之间形成肖特基二极管的结。
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公开(公告)号：CN208589931U
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201821040019.9
申请日：2018-06-29
Applicant: 意法半导体(图尔)公司
IPC: H02M7/797
Abstract: 一种可逆变换器，包括在DC电压的第一端子和第二端子之间串联耦合的第一场效应晶体管和第二场效应晶体管。第一三端双向可控硅开关元件和第二三端双向可控硅开关元件也在DC电压的第一端子和第二端子之间串联耦合。串联耦合的器件的中点通过电感元件耦合到AC电压的第一端子和第二端子。以不同的方式控制晶体管和三端双向可控硅开关元件的驱动，以在AC-DC变换模式和DC-AC变换模式下操作变换器。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN204967615U
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201520706979.4
申请日：2015-09-11
Applicant: 意法半导体(图尔)公司
IPC: H02M3/158
CPC classification number: H05B33/0887 , G05F1/577 , H03K17/12 , H03K17/14 , H03K17/74 , H05B33/0815
Abstract: 一种用于平衡流过相同类型半导体部件的并联组件的电流的电路，该电路对于每个部件包括调节电路，包括：将表示流过部件电流的第一信号与参考信号作比较的比较器；以及由所述比较器控制的、可设置电阻的电阻元件。
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