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公开(公告)号：CN108111023B
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN201810037075.5
申请日：2014-10-30
Applicant: 意法半导体(图尔)公司
IPC: H02M3/335
Abstract: 本发明涉及用于半桥二极管的控制电路。提供一种电路，包括第一场效应晶体管和第二场效应晶体管。第一场效应晶体管包括第一二极管以及漏极、源极、栅极和第一附加电极。第二场效应晶体管包括第二二极管以及漏极、源极、栅极和第二附加电极。第一开关选择性地连接第一场效应晶体管的栅极和漏极电极。第二开关选择性地连接第二场效应晶体管的栅极和漏极电极。控制电路控制第一开关和第二开关。第一附加电极耦合至第二场效应晶体管的栅极电极，而第二附加电极耦合至第一场效应晶体管的栅极电极。
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公开(公告)号：CN107302019A
公开(公告)日：2017-10-27
申请号：CN201611081662.1
申请日：2016-11-30
Applicant: 意法半导体(图尔)公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/861
CPC classification number: H01L29/063 , H01L27/0629 , H01L27/0922 , H01L29/1095 , H01L29/42364 , H01L29/7802 , H01L29/861 , H02M3/158 , H01L29/8613 , H01L29/0696
Abstract: 本公开的实施例涉及竖直半导体结构。一种二极管包括上部和下部电极以及连接至下部电极的第一和第二N型掺杂的半导体衬底部分。第一竖直晶体管和第二晶体管形成在第一部分中并且串联连接在电极之间。第一晶体管的栅极被N型掺杂并且耦合至上部电极。第二晶体管具有P沟道并且具有P型掺杂的栅极。第二传导类型的第一和第二掺杂区域位于第二部分中并且通过上覆有另一N型掺杂的栅极的衬底部分分离。第一掺杂区域耦合至第二晶体管的栅极。第二掺杂区域和另一栅极耦合至上部电极。
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公开(公告)号：CN107302019B
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN201611081662.1
申请日：2016-11-30
Applicant: 意法半导体(图尔)公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/861
Abstract: 本公开的实施例涉及竖直半导体结构。一种二极管包括上部和下部电极以及连接至下部电极的第一和第二N型掺杂的半导体衬底部分。第一竖直晶体管和第二晶体管形成在第一部分中并且串联连接在电极之间。第一晶体管的栅极被N型掺杂并且耦合至上部电极。第二晶体管具有P沟道并且具有P型掺杂的栅极。第二传导类型的第一和第二掺杂区域位于第二部分中并且通过上覆有另一N型掺杂的栅极的衬底部分分离。第一掺杂区域耦合至第二晶体管的栅极。第二掺杂区域和另一栅极耦合至上部电极。
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公开(公告)号：CN115513053A
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202210633599.7
申请日：2022-06-06
Applicant: 意法半导体有限公司 , 意法半导体(图尔)公司
IPC: H01L21/329 , H01L21/336 , H01L21/8249 , H01L27/06 , H01L29/861 , H01L29/78
Abstract: 本公开的各实施例涉及电荷耦合场效应整流二极管及其制造方法。以第一绝缘层内衬半导体衬底中的沟槽。使用沉积在第一绝缘层上的硬掩模层控制蚀刻的执行，该蚀刻从上沟槽部分选择性地去除第一绝缘层的第一部分，同时在下沟槽部分中留下第一绝缘层的第二部分。在去除硬掩模层之后，以第二绝缘层内衬沟槽的上部。然后通过单次沉积填充形成场效应整流二极管的单一栅极/场板导体的多晶硅材料来填充沟槽中的开口，该开口包括由第一绝缘层的第二部分在下沟槽部分中界定的下开口部分以及由第二绝缘层在上沟槽部分处界定的上开口部分。
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公开(公告)号：CN104600991B
公开(公告)日：2018-02-27
申请号：CN201410598199.2
申请日：2014-10-30
Applicant: 意法半导体(图尔)公司
IPC: H02M3/335
CPC classification number: H02M3/33546 , H02M1/08 , H03K3/012 , H03K17/161 , H03K17/6871 , H03K17/74
Abstract: 本发明涉及用于半桥二极管的控制电路。提供一种电路，包括第一场效应晶体管和第二场效应晶体管。第一场效应晶体管包括第一二极管以及漏极、源极、栅极和第一附加电极。第二场效应晶体管包括第二二极管以及漏极、源极、栅极和第二附加电极。第一开关选择性地连接第一场效应晶体管的栅极和漏极电极。第二开关选择性地连接第二场效应晶体管的栅极和漏极电极。控制电路控制第一开关和第二开关。第一附加电极耦合至第二场效应晶体管的栅极电极，而第二附加电极耦合至第一场效应晶体管的栅极电极。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115377183A
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202210486147.0
申请日：2022-05-06
Applicant: 意法半导体(图尔)公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/872 , H01L27/02
Abstract: 本公开涉及单向瞬态电压抑制器件，包括：单晶半导体衬底，掺杂有第一导电类型并且包括第一相对表面和第二相对表面；半导体区，掺杂有与第一导电类型相反的第二导电类型，从第一表面延伸到衬底中；第一导电电极，在第一侧上与半导体区接触；以及第二导电电极，在第二侧上与衬底接触；第一界面，在衬底与半导体区之间形成TVS二极管的结；以及第二界面，在第一导电电极与半导体区之间或在衬底与第二导电电极之间形成肖特基二极管的结。
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公开(公告)号：CN110970490A
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201910924245.6
申请日：2019-09-27
Applicant: 意法半导体(图尔)公司
Inventor： F·拉努瓦
IPC: H01L29/06 , H01L29/861 , H01L27/06 , H01L21/329 , H01L21/8248
Abstract: 本文描述了二极管结构。本发明涉及一种结构，该结构在衬底的沟槽中包括：第一传导区域，其与衬底分离第一距离，第一距离短于约10nm；以及第二传导区域，其比第一区域更深地延伸。
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公开(公告)号：CN108111023A
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201810037075.5
申请日：2014-10-30
Applicant: 意法半导体(图尔)公司
IPC: H02M3/335
CPC classification number: H02M3/33546 , H02M1/08 , H03K3/012 , H03K17/161 , H03K17/6871 , H03K17/74
Abstract: 本发明涉及用于半桥二极管的控制电路。提供一种电路，包括第一场效应晶体管和第二场效应晶体管。第一场效应晶体管包括第一二极管以及漏极、源极、栅极和第一附加电极。第二场效应晶体管包括第二二极管以及漏极、源极、栅极和第二附加电极。第一开关选择性地连接第一场效应晶体管的栅极和漏极电极。第二开关选择性地连接第二场效应晶体管的栅极和漏极电极。控制电路控制第一开关和第二开关。第一附加电极耦合至第二场效应晶体管的栅极电极，而第二附加电极耦合至第一场效应晶体管的栅极电极。
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公开(公告)号：CN104600991A
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201410598199.2
申请日：2014-10-30
Applicant: 意法半导体(图尔)公司
IPC: H02M3/335
CPC classification number: H02M3/33546 , H02M1/08 , H03K3/012 , H03K17/161 , H03K17/6871 , H03K17/74
Abstract: 本发明涉及用于半桥二极管的控制电路。提供一种电路，包括第一场效应晶体管和第二场效应晶体管。第一场效应晶体管包括第一二极管以及漏极、源极、栅极和第一附加电极。第二场效应晶体管包括第二二极管以及漏极、源极、栅极和第二附加电极。第一开关选择性地连接第一场效应晶体管的栅极和漏极电极。第二开关选择性地连接第二场效应晶体管的栅极和漏极电极。控制电路控制第一开关和第二开关。第一附加电极耦合至第二场效应晶体管的栅极电极，而第二附加电极耦合至第一场效应晶体管的栅极电极。
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公开(公告)号：CN218602431U
公开(公告)日：2023-03-10
申请号：CN202221398372.0
申请日：2022-06-06
Applicant: 意法半导体有限公司 , 意法半导体(图尔)公司
IPC: H01L27/06 , H01L29/861 , H01L29/78 , H01L21/329 , H01L21/336 , H01L21/8249
Abstract: 本公开的各实施例涉及集成电路。以第一绝缘层内衬半导体衬底中的沟槽。使用沉积在第一绝缘层上的硬掩模层控制蚀刻的执行，该蚀刻从上沟槽部分选择性地去除第一绝缘层的第一部分，同时在下沟槽部分中留下第一绝缘层的第二部分。在去除硬掩模层之后，以第二绝缘层内衬沟槽的上部。然后通过单次沉积填充形成场效应整流二极管的单一栅极/场板导体的多晶硅材料来填充沟槽中的开口，该开口包括由第一绝缘层的第二部分在下沟槽部分中界定的下开口部分以及由第二绝缘层在上沟槽部分处界定的上开口部分。本实用新型的实施例提供了一种具有特定结构的集成电路。
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