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公开(公告)号:CN105122387B
公开(公告)日:2019-01-11
申请号:CN201380075745.8
申请日:2013-09-18
Applicant: 恩耐公司
IPC: H01C17/22 , H01C17/075 , H01C17/26
Abstract: 一种用于处理透明基板的方法包括产生至少一种激光脉冲,所述激光脉冲具有被选择用于将安置在所述透明基板上的导电层以非烧蚀性方式改变成不导电特征的激光参数;及将所述脉冲导引到所述导电层。一种保护膜可以附着在所述透明基板的表面上并且在所述基板的处理期间无需移除。处理之后,经处理区域与未处理的区域可以是目测不可区别的。
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公开(公告)号:CN107052585B
公开(公告)日:2019-06-11
申请号:CN201710000835.0
申请日:2017-01-03
Applicant: 恩耐公司
IPC: H01S3/10 , B23K26/362
CPC classification number: B23K26/0624 , B23K26/0006 , B23K26/0648 , B23K26/082 , B23K26/083 , B23K26/352 , B23K26/359 , B23K2101/35 , B23K2103/10 , B23K2103/166 , B23K2103/172 , B41M5/0052 , B41M5/0058 , B41M5/262 , B41M2205/04 , H01S3/0071 , H01S3/067 , H01S3/06754 , H01S3/094076 , H01S3/0941 , H01S3/2308
Abstract: 一种方法,包括:生成多个脉冲突发,在每个脉冲突发内具有预定数量的突发内脉冲并且在突发内脉冲之间具有时间间隔,且具有一个脉冲突发频率;以及,以一个扫描速率横跨一个阳极氧化靶标扫描所述脉冲突发,使得所述脉冲突发在该阳极氧化靶标处重叠一个在重叠损害阈值以上的量并且所述突发内脉冲提供一个在该阳极氧化靶标的烧蚀阈值以下的峰值功率和峰值注量,从而在该阳极氧化靶标上产生一个具有小于或等于30的L值的激光标记而不损害该阳极氧化靶标的阳极氧化层。
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公开(公告)号:CN108698164A
公开(公告)日:2018-10-23
申请号:CN201780009754.5
申请日:2017-01-19
Applicant: 恩耐公司
IPC: B23K26/042 , B23K26/02 , B23K26/03 , B23K26/035 , B23K26/04 , G01B11/03
Abstract: 一种方法,包括:确定(i)校准图案的一组预期图案位置与(ii)所述校准图案的一组测量图案位置之间的一组图案位置误差,所述校准图案在被定位在激光系统的激光处理场中的激光目标上并且是基于与所述激光系统的扫描光学器件相关联的一组初始扫描光学器件致动校正产生的;基于所述一组初始扫描光学器件致动校正来确定一组扫描光学器件致动速率;以及基于所述一组扫描光学器件致动速率和所述一组图案位置误差来更新所述一组初始扫描光学器件致动校正,以便形成与所述一组图案位置误差的至少一部分的减少相关联的一组更新的扫描光学器件致动校正。
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公开(公告)号:CN108698164B
公开(公告)日:2021-01-29
申请号:CN201780009754.5
申请日:2017-01-19
Applicant: 恩耐公司
IPC: G02B26/10 , B23K26/042 , B23K26/02 , B23K26/03 , B23K26/035 , B23K26/04 , G01B11/03
Abstract: 一种方法,包括:确定(i)校准图案的一组预期图案位置与(ii)所述校准图案的一组测量图案位置之间的一组图案位置误差,所述校准图案在被定位在激光系统的激光处理场中的激光目标上并且是基于与所述激光系统的扫描光学器件相关联的一组初始扫描光学器件致动校正产生的;基于所述一组初始扫描光学器件致动校正来确定一组扫描光学器件致动速率;以及基于所述一组扫描光学器件致动速率和所述一组图案位置误差来更新所述一组初始扫描光学器件致动校正,以便形成与所述一组图案位置误差的至少一部分的减少相关联的一组更新的扫描光学器件致动校正。
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公开(公告)号:CN104416289B
公开(公告)日:2017-09-12
申请号:CN201410455972.X
申请日:2014-09-09
Applicant: 恩耐公司
Inventor: K·格罗斯
IPC: B23K26/352 , B23K26/082 , B23K26/046 , B23K26/064 , B23K26/70
Abstract: 本发明涉及对高分辨率数字编码激光扫描器的优化以进行精细特征标记。本文公开的是激光扫描系统及其使用方法。在一些实施例中,激光扫描系统可以被用于以烧蚀方式或非烧蚀方式扫描材料的表面。一些实施例包括扫描多层结构的方法。一些实施例包括对聚焦调节光学系统进行平移,从而改变激光束直径。一些实施例利用了20比特的激光扫描系统。
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公开(公告)号:CN107052585A
公开(公告)日:2017-08-18
申请号:CN201710000835.0
申请日:2017-01-03
Applicant: 恩耐公司
IPC: B23K26/362
CPC classification number: B23K26/0624 , B23K26/0006 , B23K26/0648 , B23K26/082 , B23K26/083 , B23K26/352 , B23K26/359 , B23K2101/35 , B23K2103/10 , B23K2103/166 , B23K2103/172 , B41M5/0052 , B41M5/0058 , B41M5/262 , B41M2205/04 , H01S3/0071 , H01S3/067 , H01S3/06754 , H01S3/094076 , H01S3/0941 , H01S3/2308 , B23K26/361
Abstract: 一种方法,包括:生成多个脉冲突发,在每个脉冲突发内具有预定数量的突发内脉冲并且在突发内脉冲之间具有时间间隔,且具有一个脉冲突发频率;以及,以一个扫描速率横跨一个阳极氧化靶标扫描所述脉冲突发,使得所述脉冲突发在该阳极氧化靶标处重叠一个在重叠损害阈值以上的量并且所述突发内脉冲提供一个在该阳极氧化靶标的烧蚀阈值以下的峰值功率和峰值注量,从而在该阳极氧化靶标上产生一个具有小于或等于30的L值的激光标记而不损害该阳极氧化靶标的阳极氧化层。
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公开(公告)号:CN104956466B
公开(公告)日:2018-03-02
申请号:CN201380068763.3
申请日:2013-12-19
Applicant: 恩耐公司
IPC: H01L21/268
CPC classification number: H01L21/268 , B23K26/0006 , B23K26/0624 , B23K2103/56 , H01L21/02532 , H01L21/02686
Abstract: 来自脉冲式光纤激光器的激光脉冲被导引至非晶硅层以通过重复的熔化和再结晶而产生包括结晶区域的无序排列的多晶硅层。可使用在10kHz至10MHz的重复率下、在约500nm与1000nm之间的波长范围下的约0.5到5ns的激光脉冲持续时间。可通过利用多模光纤中的拉曼散射使激光脉冲频谱展宽或通过将不同相位延迟应用到用激光脉冲形成的光束的不同部分来改善直线光束强度均一性,以减小光束相干性。
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