公开(公告)号：CN1289620C

公开(公告)日：2006-12-13

申请号：CN03152491.5

申请日：2003-08-01

Applicant: 恩益禧电子股份有限公司 ,  东京磁气印刷株式会社

Inventor： 土屋泰章 ,  井上智子 ,  樱井伸 ,  青柳健一 ,  板仓哲之

IPC: C09G1/02

CPC classification number: H01L21/3212 ,  C09G1/02

Abstract: 本发明涉及一种用于抛光铜基金属的浆，包括二氧化硅抛光材料，氧化剂，氨基酸，三唑类化合物和水，其中，所述氨基酸与所述三唑类化合物的含量比(氨基酸/三唑类化合物(重量比))为5-8。

公开(公告)号：CN1497029A

公开(公告)日：2004-05-19

申请号：CN03152491.5

申请日：2003-08-01

Applicant: 恩益禧电子股份有限公司 ,  东京磁气印刷株式会社

Inventor： 土屋泰章 ,  青柳健一 ,  井上智子 ,  板仓哲之 ,  樱井伸

IPC: C09G1/02

CPC classification number: H01L21/3212 ,  C09G1/02

Abstract: 本发明涉及一种用于抛光铜基金属的浆，包括二氧化硅抛光材料，氧化剂，氨基酸，三唑类化合物和水，其中，所述氨基酸与所述三唑类化合物的含量比(氨基酸/三唑类化合物(重量比))为5－8。

公开(公告)号：CN101447503A

公开(公告)日：2009-06-03

申请号：CN200810178821.9

申请日：2008-12-01

Applicant: 恩益禧电子股份有限公司

Inventor： 井上显 ,  井上智子

IPC: H01L27/28 ,  H01L23/532

CPC classification number: H01L27/0629 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/10811 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/10894 ,  H01L28/40

Abstract: 本发明提供一种具有电容器元件的半导体器件，包括：电容器元件，其具有提供在半导体衬底上方的平板型下电极、提供在下电极上方并且与之平行的平板型TiN膜和提供在下电极和TiN膜之间的电容器膜；以及第一Cu栓塞，其与下电极的底表面接触，并且由金属材料构成，其中该电容器膜具有包含有机分子作为成分的膜。