公开(公告)号：CN101546772A

公开(公告)日：2009-09-30

申请号：CN200910127913.9

申请日：2009-03-25

Applicant: 恩益禧电子股份有限公司

Inventor： 井上显

IPC: H01L27/105 ,  H01L29/423 ,  H01L21/8239 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/66621 ,  H01L27/10876 ,  H01L27/10894

Abstract: 本发明提供一种包括电容器元件的半导体器件及其制造方法。在半导体器件中，存储区域和逻辑区域提供在一个硅衬底上。沟槽提供在存储区域中的硅衬底中，存储单元晶体管提供在存储区域中并且逻辑晶体管提供在逻辑区域中。存储单元晶体管包括由金属材料构成的第一栅极电极。所述第一栅极电极被提供成掩埋在沟槽中并且突出到沟槽的外部。逻辑晶体管包括由与构成第一栅极电极的金属材料相同的材料构成的第二栅极电极。

公开(公告)号：CN1725497A

公开(公告)日：2006-01-25

申请号：CN200510087443.X

申请日：2005-07-22

Applicant: 恩益禧电子股份有限公司

Inventor： 服卷直美 ,  加藤芳健 ,  井上显

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L28/75 ,  H01L28/91

Abstract: 一种半导体器件包括圆柱形电容器。该电容器包括形成为具有形成在半导体衬底上的凹槽部分的第二绝缘层，形成在该凹槽部分中的圆柱形下电极，形成在下电极上的电容层，以及形成在电容层上的上电极。上电极包括由PVD形成的第一金属层和此后由CVD形成的第二金属层，并且第一金属层的圆柱形的侧壁具有2nm或更小的厚度。

公开(公告)号：CN1139993C

公开(公告)日：2004-02-25

申请号：CN99100712.3

申请日：1999-02-10

Applicant: 恩益禧电子股份有限公司

Inventor： 井上显 ,  菅原宽

IPC: H01L27/105 ,  H01L29/788 ,  H01L21/8239 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/66825 ,  H01L27/115 ,  H01L29/7881

Abstract: 一种制造半导体器件的方法，包括如下步骤：第一步骤，在第一导电型的半导体衬底上形成栅极绝缘膜；第二步骤，在栅极绝缘膜上形成下电极；第三步骤，在下电极和栅极绝缘膜的两侧区域的半导体衬底的表面上掺杂第二导电型杂质，从而形成源极和漏极；第四步骤，在下电极上形成保护膜；第五步骤，在源极和漏极上形成硅化物层；第六步骤，除去保护膜，随后形成具有T形截面以与下电极露出的上表面接触的上电极，从而形成包括上电极和下电极的浮置栅；第七步骤，形成隔离绝缘膜以覆盖上电极；和第八步骤，通过隔离绝缘膜在浮置栅上形成控制栅。

公开(公告)号：CN1118864C

公开(公告)日：2003-08-20

申请号：CN98121323.5

申请日：1998-10-07

Applicant: 恩益禧电子股份有限公司

Inventor： 井上显

IPC: H01L21/28

CPC classification number: H01L21/28518

Abstract: 在制造半导体器件过程中，形成有第一相结构的难熔金属硅化物层。在这情况下，在半导体衬底被加热的状态下，在进行难熔金属淀积操作期间，可形成有第一相结构难熔金属硅化物层。另一种办法是，首先在真空状态下淀积难熔金属膜，然后，在真空状态下加热半导体衬底，以便把难熔金属膜转变成有第一相结构的难熔金属硅化物层。此后，进行热处理，以便把有第一相结构的难熔金属硅化物层改变成有第二相结构的难熔金属硅化物层。

公开(公告)号：CN101447503A

公开(公告)日：2009-06-03

申请号：CN200810178821.9

申请日：2008-12-01

Applicant: 恩益禧电子股份有限公司

Inventor： 井上显 ,  井上智子

IPC: H01L27/28 ,  H01L23/532

CPC classification number: H01L27/0629 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/10811 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/10894 ,  H01L28/40

Abstract: 本发明提供一种具有电容器元件的半导体器件，包括：电容器元件，其具有提供在半导体衬底上方的平板型下电极、提供在下电极上方并且与之平行的平板型TiN膜和提供在下电极和TiN膜之间的电容器膜；以及第一Cu栓塞，其与下电极的底表面接触，并且由金属材料构成，其中该电容器膜具有包含有机分子作为成分的膜。

公开(公告)号：CN100388498C

公开(公告)日：2008-05-14

申请号：CN200510087443.X

申请日：2005-07-22

Applicant: 恩益禧电子股份有限公司

Inventor： 服卷直美 ,  加藤芳健 ,  井上显

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L28/75 ,  H01L28/91

Abstract: 一种半导体器件包括圆柱形电容器。该电容器包括形成为具有形成在半导体衬底上的凹槽部分的第二绝缘层，形成在该凹槽部分中的下电极，形成在下电极上并由高介电常数膜构成的电容层，以及形成在电容层上的上电极。上电极包括由PVD形成的第一金属层和此后由CVD形成的第二金属层，并且在第一金属层的圆柱形电容器的侧壁处具有2nm或更小的厚度。

公开(公告)号：CN1149641C

公开(公告)日：2004-05-12

申请号：CN98125028.9

申请日：1998-10-29

Applicant: 恩益禧电子股份有限公司

Inventor： 井上显 ,  安彦仁 ,  樋口实

IPC: H01L21/283 ,  C23C14/35 ,  C23C14/34 ,  H05K1/18

CPC classification number: H01J37/3447 ,  C23C14/35 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/2855

Abstract: 提供一种制造半导体器件的方法，用于形成高熔点金属硅化物层，在溅射设备不造成损坏的条件下溅射高熔点金属。还提供制造半导体器件的溅射设备。发明方法中，已形成有半导体元件栅电极的硅衬底上淀积高熔点金属形成高熔点金属膜，之后，热处理，在与高熔点金属膜的界面形成高熔点金属硅化物，在到达栅电极的电荷量小于5c/cm2的条件下用磁控溅设备溅射淀积高熔点金属膜。此外，溅射设备30设有导电材料构成的其中有许多从靶通向晶片的通孔的校准板，校准板位于靶夹具16与晶片夹具之间并接地。