公开(公告)号：CN109661481B

公开(公告)日：2021-11-30

申请号：CN201780054079.8

申请日：2017-07-13

Applicant: 恩特格里斯公司

Inventor： T·H·鲍姆 ,  P·S·H·陈 ,  R·赖特 ,  B·亨德里克斯 ,  孟双 ,  R·阿西翁

IPC: C23C16/04 ,  C23C16/14 ,  C23C16/455 ,  C23C16/02

Abstract: 本发明描述一种在衬底上形成含钼材料的方法，其中在气相沉积条件下将所述衬底与四氯氧化钼(MoOCl4)蒸气接触以在所述衬底上沉积所述含钼材料。在各种实施方案中，可采用所述衬底的二硼烷接触以建立用于(例如)通过例如脉冲化学气相沉积CVD的CVD技术的钼的后续块状沉积的有利成核条件。

公开(公告)号：CN109661481A

公开(公告)日：2019-04-19

申请号：CN201780054079.8

申请日：2017-07-13

Applicant: 恩特格里斯公司

Inventor： T·H·鲍姆 ,  P·S·H·陈 ,  R·赖特 ,  B·亨德里克斯 ,  孟双 ,  R·阿西翁

IPC: C23C16/04 ,  C23C16/14 ,  C23C16/455 ,  C23C16/02

Abstract: 本发明描述一种在衬底上形成含钼材料的方法，其中在气相沉积条件下将所述衬底与四氯氧化钼(MoOCl4)蒸气接触以在所述衬底上沉积所述含钼材料。在各种实施方案中，可采用所述衬底的二硼烷接触以建立用于(例如)通过例如脉冲化学气相沉积CVD的CVD技术的钼的后续块状沉积的有利成核条件。

公开(公告)号：CN209508405U

公开(公告)日：2019-10-18

申请号：CN201822048777.1

申请日：2018-12-06

Applicant: 恩特格里斯公司

Inventor： D·J·埃尔德里奇 ,  D·彼得斯 ,  R·赖特 ,  B·亨德里克斯 ,  S·L·巴特尔 ,  J·格雷格

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/448

Abstract: 本实用新型涉及一种化学品递送系统。所述化学品递送系统包含散装容器、运行/再填充腔室、第一导管及第二导管。所述散装容器存储前体。所述运行/再填充腔室包含多个间隔开的管，所述多个间隔开的管具有多个表面，所述多个表面用于以蒸汽形式接收所述前体并以固体形式存储所述前体。所述第一导管将所述散装容器连接到所述运行/再填充腔室，用于以蒸汽形式将所述前体从所述散装容器输送到所述运行/再填充腔室。所述第二导管将所述运行/再填充腔室连接到沉积腔室，用于以蒸汽形式将所述前体从所述运行/再填充腔室输送到所述沉积腔室。