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公开(公告)号：CN105026905B
公开(公告)日：2019-02-15
申请号：CN201480010876.2
申请日：2014-02-27
Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司
IPC: H01L21/00
Abstract: 一种封装的容性MEMS传感器装置100包括具有至少一个容性MEMS传感器单元100a的至少一个容性MEMS传感器元件，所述容性MEMS传感器单元100a包括具有厚电介质区域106和薄电介质区域107的第一衬底101。具有膜层120的第二衬底键合到厚电介质区域并在薄电介质区域上方以提供MEMS空腔114。膜层在MEMS空腔上方提供固定电极120a和释放的MEMS电极120b。第一穿透衬底通孔(TSV)111延伸通过MEME电极的顶侧并且第二TSV 112通过固定电极的顶侧。金属盖件132在第一TSV和第二TSV的顶部上。包括内部空腔144和给内部空腔加框的外部突出部分146的第三衬底140键合到厚电介质区域。第三衬底与第一衬底一起密封MEMS电极。
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公开(公告)号：CN105025802B
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：CN201480010856.5
申请日：2014-02-27
Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司
CPC classification number: B06B1/0292 , A61B8/4483 , B06B2201/76 , H02N1/002 , H02N1/006 , H02N1/008
Abstract: 一种电容式微加工超声换能器(CMUT)器件100，该器件包括至少一个CMUT单元101a，其包括具有顶部的第一衬底101，该顶部上包括图案化介电层，该图案化介电层包括厚介电区106和薄介电区107。隔膜层120b接合在该厚介电区上并且在薄介电区上方以在微机电系统(MEMS)腔114上方提供可移动隔膜。穿透衬底通孔(TSV)111包括介电衬垫，其从第一衬底的底部延伸到所述隔膜层的顶部表面。顶部金属层161包括TSV上方、可移动隔膜上方的第一部分，并且将TSV耦合到可移动隔膜。图案化的金属层167在第一衬底的底部表面上，包括与对TSV侧向的第一衬底的底部接触的第一图案化的层部分。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105025802A
公开(公告)日：2015-11-04
申请号：CN201480010856.5
申请日：2014-02-27
Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司
CPC classification number: B06B1/0292 , A61B8/4483 , B06B2201/76 , H02N1/002 , H02N1/006 , H02N1/008
Abstract: 一种电容式微加工超声换能器(CMUT)器件100，该器件包括至少一个CMUT单元101a，其包括具有顶部的第一衬底101，该顶部上包括图案化介电层，该图案化介电层包括厚介电区106和薄介电区107。隔膜层120b接合在该厚介电区上并且在薄介电区上方以在微机电系统(MEMS)腔114上方提供可移动隔膜。穿透衬底通孔(TSV)111包括介电衬垫，其从第一衬底的底部延伸到所述隔膜层的顶部表面。顶部金属层161包括TSV上方、可移动隔膜上方的第一部分，并且将TSV耦合到可移动隔膜。图案化的金属层167在第一衬底的底部表面上，包括与对TSV侧向的第一衬底的底部接触的第一图案化的层部分。
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公开(公告)号：CN104160721A
公开(公告)日：2014-11-19
申请号：CN201380011962.0
申请日：2013-03-15
Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司
CPC classification number: H01L29/84 , B06B1/0292 , G01N29/2406 , H01L27/0805 , H01L29/94
Abstract: 一种高频电容性微加工超声换能器(CMUT)(300)具有硅膜(320)以及上覆的金属硅化物层(326)，它们一起形成能够在腔(322)上方振动的导电结构。CMUT还具有金属结构(330)，其接触一组导电结构。金属结构具有开口(334)，其完全延伸穿过金属结构以暴露导电结构。
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公开(公告)号：CN105073280B
公开(公告)日：2017-07-28
申请号：CN201480009849.3
申请日：2014-02-27
Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司
IPC: B06B1/02
CPC classification number: B06B1/0292 , B06B2201/76 , B81B7/007 , B81B2203/0127 , B81B2207/096 , B81C1/00301 , B81C2201/013 , B81C2203/036 , H02N1/006 , H04R19/005 , H05K2201/09845 , H05K2201/09863
Abstract: 一种电容式微机械超声换能器(CMUT)装置100包括至少一个CMUT单元100a，其包括：单晶材料的第一衬底101，第一衬底101具有包括在其上的图形化介电层的顶侧，图形化介电层包括厚介电区域106和薄介电区域107；和延伸第一衬底的整个厚度的贯穿衬底通孔(TSV)111。TSV由单晶材料形成、并且由单晶材料中的隔离区域131电气隔离，而且位于第一衬底的顶侧接触区域102a下方。膜层120b接合到厚介电区域并且在薄介电区域上方，以在微机电系统(MEMS)腔体114上方提供可移动膜。金属层161在顶侧衬底接触区域上方并且在可移动膜上方，其包括顶侧衬底接触区域到可移动膜的耦合件。
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公开(公告)号：CN105073280A
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201480009849.3
申请日：2014-02-27
Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司
IPC: B06B1/02
CPC classification number: B06B1/0292 , B06B2201/76 , B81B7/007 , B81B2203/0127 , B81B2207/096 , B81C1/00301 , B81C2201/013 , B81C2203/036 , H02N1/006 , H04R19/005 , H05K2201/09845 , H05K2201/09863
Abstract: 一种电容式微机械超声换能器(CMUT)装置100包括至少一个CMUT单元100a，其包括：单晶材料的第一衬底101，第一衬底101具有包括在其上的图形化介电层的顶侧，图形化介电层包括厚介电区域106和薄介电区域107；和延伸第一衬底的整个厚度的贯穿衬底通孔(TSV)111。TSV由单晶材料形成、并且由单晶材料中的隔离区域131电气隔离，而且位于第一衬底的顶侧接触区域102a下方。膜层120b接合到厚介电区域并且在薄介电区域上方，以在微机电系统(MEMS)腔体114上方提供可移动膜。金属层161在顶侧衬底接触区域上方并且在可移动膜上方，其包括顶侧衬底接触区域到可移动膜的耦合件。
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公开(公告)号：CN105026905A
公开(公告)日：2015-11-04
申请号：CN201480010876.2
申请日：2014-02-27
Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司
IPC: G01L9/04
CPC classification number: G01P15/125 , B81B7/007 , B81B2201/0271 , B81B2203/0127 , B81B2207/096 , B81C1/00301 , B81C2201/013 , B81C2203/0109 , B81C2203/0118 , B81C2203/036 , H02N1/006 , H03H3/0072 , H03H9/1057 , H03H9/2468 , H03H9/2489 , H04R19/005 , Y10T29/49165
Abstract: 一种封装的容性MEMS传感器装置100包括具有至少一个容性MEMS传感器单元100a的至少一个容性MEMS传感器元件，所述容性MEMS传感器单元100a包括具有厚电介质区域106和薄电介质区域107的第一衬底101。具有膜层120的第二衬底键合到厚电介质区域并在薄电介质区域上方以提供MEMS空腔114。膜层在MEMS空腔上方提供固定电极120a和释放的MEMS电极120b。第一穿透衬底通孔(TSV)111延伸通过MEME电极的顶侧并且第二TSV 112通过固定电极的顶侧。金属盖件132在第一TSV和第二TSV的顶部上。包括内部空腔144和给内部空腔加框的外部突出部分146的第三衬底140键合到厚电介质区域。第三衬底与第一衬底一起密封MEMS电极。
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