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公开(公告)号：CN101682168A
公开(公告)日：2010-03-24
申请号：CN200880020133.8
申请日：2008-05-08
Applicant: 康宁股份有限公司
IPC: H01S5/0687 , H01S5/06 , H01S5/0683
CPC classification number: H01S5/0687 , H01S5/005 , H01S5/0092 , H01S5/0612 , H01S5/0617 , H01S5/06246 , H01S5/06256 , H01S5/06832 , H04N9/3129
Abstract: 根据本发明的一个实施方式，可编程光源包括一个或多个半导体激光器(10，110)、波长转换器件(20，120)以及激光控制器(130)。对控制器进行编程，用经调制的反馈控制信号来操作半导体激光器(10，110)。基于检测到的强度信号与反馈信号的比较结果，调节波长控制信号，以使激光发射波长与波长转换器件(20，120)的转换效率峰值对准。还提供了根据本发明的控制概念进行工作的激光控制器(130)和投影系统。
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公开(公告)号：CN101542853A
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200780028618.7
申请日：2007-07-18
Applicant: 康宁股份有限公司
Abstract: 提供了一种半导体激光器(10)，它包括半导体基板(20)、活性区域(30)、脊形波导(40)、驱动电极结构(50，52，54)和微型加热元件结构(61，64)。微型加热元件结构包括一对加热元件条带(62，64)，这些条带沿着半导体激光器的纵向延伸着。加热元件条带位于脊形波导的相对的两侧上，使得加热元件条带之一沿着脊形波导的一侧延伸着，同时剩下的那个加热元件条带沿着脊形波导的另一侧延伸着。该半导体激光器包括DBR激光器，该DBR激光器包括波长选择区域(12)、相位匹配区域(14)和增益区域(16)，这些区域通常沿着所述脊形波导的方向延伸着；并且所述微型加热元件结构的加热元件条带沿着波长选择区域、相位匹配区域和增益区域中的至少一个区域的至少一部分延伸着。
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公开(公告)号：CN1371539A
公开(公告)日：2002-09-25
申请号：CN00812210.5
申请日：2000-07-11
Applicant: 康宁股份有限公司
Inventor： C·-E·扎
CPC classification number: H01S5/026 , H01S5/0265 , H01S5/125 , H01S5/14
Abstract: 揭示一种具有滤波器锁定和波长锁定激光器两者优点的光发射器,其办法是为集成光调制器(14)而改进外腔(32)。外腔(32)为光传播提供了全程反射路径。把衬底(24)与外腔(32)相连接,至少一个增益元件(16)和光调制器(14)与衬底(24)构成一体。局部反射器(40)也与衬底(24)构成一体,并使至少一个增益元件(16)与光调制器(14)耦合。
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公开(公告)号：CN1371538A
公开(公告)日：2002-09-25
申请号：CN00812206.7
申请日：2000-07-11
Applicant: 康宁股份有限公司
Inventor： C·-E·扎
CPC classification number: H01S3/2383 , H01S3/08009 , H01S3/08086 , H01S3/2391 , H01S5/026 , H01S5/0265 , H01S5/1215 , H01S5/125 , H01S5/4025 , H01S5/4087
Abstract: 一种多波长激光器包括用于提供波长精度的相控阵列部分(2)以及与相控阵列部分(2)耦合以便与相控阵列部分(2)一起形成一激光腔(142)的分布式布喇格反射器部分(14)。
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公开(公告)号：CN101682170B
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN200880017685.3
申请日：2008-05-28
Applicant: 康宁股份有限公司
CPC classification number: G03F7/20 , H01S5/0425
Abstract: 本发明提供制造激光二极管金属触点结构的方法，其中所述方法包括提供紫外线透明半导体衬底、确定布置在蚀刻的外延层边缘之间的脊的紫外线透明半导体外延层，所述外延层安排在紫外线透明半导体衬底上，安排在外延层脊上的紫外线不透明金属层，在不透明金属层和外延层边缘上施加至少一层光刻胶层(正性光刻胶、图像反转光刻胶或负性光刻胶)，通过背面紫外线曝光使光刻胶层区域选择性显影，使用不透明金属层作为光刻用掩膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101682170A
公开(公告)日：2010-03-24
申请号：CN200880017685.3
申请日：2008-05-28
Applicant: 康宁股份有限公司
CPC classification number: G03F7/20 , H01S5/0425
Abstract: 本发明提供制造激光二极管金属触点结构的方法，其中所述方法包括提供紫外线透明半导体衬底、确定布置在蚀刻的外延层边缘之间的脊的紫外线透明半导体外延层，所述外延层安排在紫外线透明半导体衬底上，安排在外延层脊上的紫外线不透明金属层，在不透明金属层和外沿层边缘上施加至少一层光刻胶层(正性光刻胶、图像反转光刻胶或负性光刻胶)，通过背面紫外线曝光使光刻胶层区域选择性显影，使用不透明金属层作为光刻用掩膜。
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公开(公告)号：CN101529675A
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200780033774.2
申请日：2007-09-06
Applicant: 康宁股份有限公司
IPC: H01S5/026 , H01S5/06 , H01S5/0625 , H01S5/024 , H01S5/042 , H01S5/062 , H01S5/22 , H01S5/223 , G02F1/377
CPC classification number: H01S5/0261 , H01S5/024 , H01S5/0425 , H01S5/0612 , H01S5/06213 , H01S5/06251 , H01S5/06256 , H01S5/22 , H01S5/2231
Abstract: 本发明涉及用于利用结合在半导体激光器中的单片微加热器调制半导体激光器和与波长转换器波长匹配的方法。根据本发明一个实施例，提供了一种补偿半导体激光器中热诱导图案化效应例如波长偏移的方法，其中当激光器驱动电流ID处于相对低值时，激光器的加热元件驱动电流IH被设置成相对高值。在所述激光器驱动电流ID从所述相对低值向所述相对高值增大之前，加热元件驱动电流IH在时间Δt时从所述相对高值向所述相对低值减小。该半导体激光器可以是DBR激光二极管，其包括波长选择区(12)、相位匹配区(14)、以及增益区(16)，各个区均设置有一对加热元件条(62，64)。
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公开(公告)号：CN1890558A
公开(公告)日：2007-01-03
申请号：CN200480036838.0
申请日：2004-11-29
Applicant: 康宁股份有限公司
CPC classification number: G01N21/21 , H01S5/0014 , H01S5/4025 , H01S5/4031
Abstract: 阵列测试器(10)基于作为角位置的函数偏振分解各芯片(111)的光学远场测量来表征阵列(11)的半导体器件的各芯片(111)。两对TM和TE检测器(41a－b和42a－b)或一对位移九十度的，在垂直和水平弧路径中移动或者固定在阵列的选定器件的固定位置周围以采样所述远场。
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公开(公告)号：CN101849333B
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN200880115386.3
申请日：2008-09-30
Applicant: 康宁股份有限公司
IPC: H01S5/042 , H01S5/0625 , H01S5/125
CPC classification number: H01S5/06256 , H01S5/005 , H01S5/0092 , H01S5/0425 , H01S5/0612 , H01S5/0687
Abstract: 提供了一种半导体激光源，其中，激光二极管的波长选择部分(12)包括P+型电流约束层(20)以及形成于电流约束层(20)之上的第一(22)和第二(24)组交叉指型加热器电极。第一(22)和第二(24)组交叉指型加热器电极中的各个电极指(23，25)沿着激光二极管的有源波导层所限定的光传播方向连续地交替。相对于激光二极管阴极(26)且相对于第二(24)组交叉指型加热器电极，第一(22)组交叉指型加热器电极是正或负偏压的，使得该相对偏压小于P-N结的正向偏置导通电压或该相对偏压的绝对值小于P-N结的反向击穿电压。
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公开(公告)号：CN101536274B
公开(公告)日：2011-06-08
申请号：CN200780041041.3
申请日：2007-09-14
Applicant: 康宁股份有限公司
IPC: H01S5/0625 , G02F1/37
CPC classification number: H01S5/06804 , H01S5/0612 , H01S5/06256
Abstract: 本发明总地涉及半导体激光器，更具体地，涉及测量和控制半导体激光器温度的方案和使半导体激光器的波长稳定的方案。根据本发明的一个实施例，提供一种驱动半导体激光器(10)中的温度控制机构(62、64)的方法。根据这种方法，产生表征半导体激光器的工作温度和周围温度的信号，并建立作为周围温度信号的函数的目标激光器工作温度。然后驱动半导体激光器的温度控制机构以增加工作温度信号和目标激光器工作温度之间的相关程度。
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