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公开(公告)号：CN118380366A
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202410327908.7
申请日：2019-02-28
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 爱德华四世·P·哈蒙德 , 白宗薰
IPC: H01L21/683 , H01L21/68 , H01L21/687 , H01J37/32 , H02N13/00 , H05H1/24
Abstract: 本公开涉及用于控制在基板边缘附近的等离子体壳层的方法和设备。改变跨在基板组件内的内部电极和外部电极的电压/电流分布促成等离子体跨基板的空间分布。所述方法包括：将第一射频功率提供到嵌入在基板支撑组件中的中心电极；将第二射频功率提供到嵌入在所述基板支撑组件中位于与所述中心电极不同的位置处的环形电极，其中所述环形电极周向地环绕所述中心电极；监测所述第一射频功率和所述第二射频功率的参数；以及基于所监测的参数来调整所述第一射频功率和所述第二射频功率中的一者或两者。
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公开(公告)号：CN112136202A
公开(公告)日：2020-12-25
申请号：CN201980033026.7
申请日：2019-05-20
Applicant: 应用材料公司
Inventor： S·S·阿迪帕利 , S·卡坦布里 , M·G·库尔卡尼 , H·K·帕纳瓦拉皮尔库马兰库提 , V·K·普拉巴卡尔 , 爱德华四世·P·哈蒙德 , J·C·罗查
IPC: H01J37/32 , C23C16/505 , C23C16/458
Abstract: 本公开的实施例总体上涉及用于PECVD腔室的金属屏蔽件。金属屏蔽件包括基板支撑部分和轴部分。轴部分包括具有壁厚度的管状壁。管状壁具有嵌入其中的冷却剂通道的供应通道和冷却剂通道的返回通道。供应通道和返回通道中的各者是管状壁中的螺旋。螺旋供应通道和螺旋返回通道具有相同的旋转方向且彼此平行。供应通道和返回通道在管状壁中交错。通过在金属屏蔽件中交错的供应通道和返回通道，减小了金属屏蔽件中的热梯度。
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公开(公告)号：CN118448237A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410624390.3
申请日：2019-04-23
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本公开的实施例总体上涉及用于工艺腔室的基板支撑件以及与其一起使用的RF接地配置。还描述了将RF电流接地的方法。腔室主体至少部分地在其中界定工艺容积。第一电极设置在工艺容积中。基座与第一电极相对地设置。第二电极设置在基座中。RF滤波器通过导电杆耦接到第二电极。RF滤波器包括耦接到导电杆和接地的第一电容器。RF滤波器还包括耦接到馈通箱的第一电感器。馈通箱包括以串联耦接的第二电容器和第二电感器。用于第二电极的直流(DC)功率供应器耦接在第二电容器和第二电感器之间。
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公开(公告)号：CN112106169B
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN201980029768.2
申请日：2019-04-23
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本公开的实施例总体上涉及用于工艺腔室的基板支撑件以及与其一起使用的RF接地配置。还描述了将RF电流接地的方法。腔室主体至少部分地在其中界定工艺容积。第一电极设置在工艺容积中。基座与第一电极相对地设置。第二电极设置在基座中。RF滤波器通过导电杆耦接到第二电极。RF滤波器包括耦接到导电杆和接地的第一电容器。RF滤波器还包括耦接到馈通箱的第一电感器。馈通箱包括以串联耦接的第二电容器和第二电感器。用于第二电极的直流(DC)功率供应器耦接在第二电容器和第二电感器之间。
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公开(公告)号：CN112955997B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN201980071231.2
申请日：2019-10-24
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本文中所述的实施例涉及用于工艺腔室中的射频(RF)相位控制的装置及技术。工艺容积通过面板电极及支撑底座界定在工艺腔室中。接地筒与工艺容积相对地围绕支撑底座设置在工艺腔室内。接地筒实质填充支撑底座下方除工艺容积以外的容积。相位调谐器电路耦接到设置在支撑底座中的RF网格、及面板电极。调谐器电路调整面板电极的相位与RF网格的相位之间的相位差。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112106169A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN201980029768.2
申请日：2019-04-23
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本公开的实施例总体上涉及用于工艺腔室的基板支撑件以及与其一起使用的RF接地配置。还描述了将RF电流接地的方法。腔室主体至少部分地在其中界定工艺容积。第一电极设置在工艺容积中。基座与第一电极相对地设置。第二电极设置在基座中。RF滤波器通过导电杆耦接到第二电极。RF滤波器包括耦接到导电杆和接地的第一电容器。RF滤波器还包括耦接到馈通箱的第一电感器。馈通箱包括以串联耦接的第二电容器和第二电感器。用于第二电极的直流(DC)功率供应器耦接在第二电容器和第二电感器之间。
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公开(公告)号：CN112041967A
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN201980028076.6
申请日：2019-03-21
Applicant: 应用材料公司
Inventor： B·S·权 , P·K·库尔施拉希萨 , K·D·李 , B·阿夫扎尔 , S·哈 , V·K·普拉巴卡尔 , V·卡尔塞卡尔 , S·托卡奇丘 , 爱德华四世·P·哈蒙德
IPC: H01L21/02 , H01L21/324 , H01L21/311 , H01L21/033
Abstract: 在一个或多个实施例中，一种用于通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)来沉积碳硬掩模材料的方法包括：将容纳在工艺腔室内的基板加热到在从约100℃至约700℃的范围内的温度；以及用发出大于3kW的RF功率的功率发生器产生等离子体。在一些示例中，温度在从约300℃至约700℃的范围内，并且RF功率大于3kW至约7kW。方法还包括使烃前驱物流动到工艺腔室内的等离子体中，并且以大于5000/min(诸如高达约10000/min或更快)的速率在基板上形成碳硬掩模层。
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公开(公告)号：CN112041967B
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN201980028076.6
申请日：2019-03-21
Applicant: 应用材料公司
Inventor： B·S·权 , P·K·库尔施拉希萨 , K·D·李 , B·阿夫扎尔 , S·哈 , V·K·普拉巴卡尔 , V·卡尔塞卡尔 , S·托卡奇丘 , 爱德华四世·P·哈蒙德
IPC: H01L21/02 , H01L21/324 , H01L21/311 , H01L21/033
Abstract: 在一个或多个实施例中，一种用于通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)来沉积碳硬掩模材料的方法包括：将容纳在工艺腔室内的基板加热到在从约100℃至约700℃的范围内的温度；以及用发出大于3kW的RF功率的功率发生器产生等离子体。在一些示例中，温度在从约300℃至约700℃的范围内，并且RF功率大于3kW至约7kW。方法还包括使烃前驱物流动到工艺腔室内的等离子体中，并且以大于5000/min(诸如高达约10000/min或更快)的速率在基板上形成碳硬掩模层。
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公开(公告)号：CN119340265A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202411445795.7
申请日：2019-02-28
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 爱德华四世·P·哈蒙德 , 白宗薰
IPC: H01L21/683 , H01L21/67 , H01J37/32 , C23C16/458 , C23C16/52 , C23C16/505
Abstract: 本公开涉及用于控制在基板边缘附近的等离子体壳层的方法和设备。改变跨在基板组件内的内部电极和外部电极的电压/电流分布促成等离子体跨基板的空间分布。所述方法包括：将第一射频功率提供到嵌入在基板支撑组件中的中心电极；将第二射频功率提供到嵌入在所述基板支撑组件中位于与所述中心电极不同的位置处的环形电极，其中所述环形电极周向地环绕所述中心电极；监测所述第一射频功率和所述第二射频功率的参数；以及基于所监测的参数来调整所述第一射频功率和所述第二射频功率中的一者或两者。
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公开(公告)号：CN116982137B
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202280021016.3
申请日：2022-02-03
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 爱德华四世·P·哈蒙德 , Y·特拉查克 , D·A·迪兹尔诺
Abstract: 一种电源电路包括：可切换匹配；可连接至负载的高电压总线和低电压总线，使得负载串联在总线之间；至少两个具有固定电容的电容器，所述至少两个具有固定电容的电容器可连接在高电压总线和低电压总线之间；以及多个固态开关，所述多个固态开关在数量上等于可连接在高电压总线和低电压总线之间的具有固定电容的电容器的数量，每个开关经配置且经布置以将高电压总线和低电压总线之间的电容器中的一者连接进高电压总线和低电压总线之间的电通信中或与所述电通信断开；以及变频电源，所述变频电源包括高电压输出连接，所述高电压连接连接至高电压总线。
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