公开(公告)号：CN115769361A

公开(公告)日：2023-03-07

申请号：CN202180048104.8

申请日：2021-07-06

Applicant: 应用材料公司

Inventor： H·K·帕纳瓦拉皮尔库马兰库提 ,  S·M·佐伊特 ,  S·R·恭德哈勒卡尔 ,  W·G·博伊德 ,  B·拉马穆尔蒂 ,  S·阿特尼 ,  A·K·卡拉尔 ,  杰伊二世·D·平森

IPC: H01L21/683

Abstract: 本公开内容的实施例提供了用于在处理期间固定基板的静电卡盘。本公开内容的一些实施例提供了用于增加跨基板的径向轮廓的温度控制的方法和装置。本公开内容的一些实施例提供了用于在高密度等离子体(HDP)工艺期间控制处理的膜中的氢浓度的方法和装置。

公开(公告)号：CN109023310B

公开(公告)日：2022-08-26

申请号：CN201810494227.4

申请日：2018-05-22

Applicant: 应用材料公司

Inventor： G·克利须那 ,  R·帕蒂尔 ,  H·K·帕纳瓦拉皮尔库马兰库提 ,  S·卡帕迪亚 ,  S·库纳卡特

IPC: C23C16/50 ,  H01L21/67

Abstract: 公开了用于半导体处理腔室隔离以实现减少的颗粒和改善的均匀性的方法和设备。本公开内容的实现方式总体涉及用于在基板上均匀沉积薄膜的设备和方法。在一个实现方式中，等离子体处理腔室包括腔室主体，腔室主体包括腔室壁、腔室底板和盖支撑件。等离子体处理腔室进一步包括基板支撑组件，基板支撑组件至少部分地设置在腔室主体内并配置成支撑基板。等离子体处理腔室进一步包括盖组件，盖组件设置在支撑组件上方并定位在盖支撑件上，其中盖组件和腔室主体限定第一处理容积。等离子体腔室进一步包括底部隔离组件，底部隔离组件包围基板支撑组件的至少一部分并可从装载位置竖直地移动到处理位置。当底部隔离组件在处理位置中时，在底部隔离组件与盖组件之间形成密封。

公开(公告)号：CN108292589B

公开(公告)日：2023-05-16

申请号：CN201680068218.8

申请日：2016-11-01

Applicant: 应用材料公司

Inventor： K·C·保罗 ,  J·D·平森二世 ,  J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 ,  H·K·博尼坎帝 ,  R·乔德里 ,  S·阿特尼 ,  S·坎帕拉 ,  H·K·帕纳瓦拉皮尔库马兰库提

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/66 ,  H01L21/265

Abstract: 本公开的实施方案大体而言是关于一种改良的工厂接口，该工厂接口耦接到设以测量基板的膜性质的板载计量壳体。在一个实施方案中，一种设备包含工厂接口以及计量壳体，该计量壳体通过装载端口可移除地耦接到该工厂接口，该计量壳体包含板载计量组件，用于测量将被移送到该计量壳体中的基板的性质。

公开(公告)号：CN112136202A

公开(公告)日：2020-12-25

申请号：CN201980033026.7

申请日：2019-05-20

Applicant: 应用材料公司

Inventor： S·S·阿迪帕利 ,  S·卡坦布里 ,  M·G·库尔卡尼 ,  H·K·帕纳瓦拉皮尔库马兰库提 ,  V·K·普拉巴卡尔 ,  爱德华四世·P·哈蒙德 ,  J·C·罗查

IPC: H01J37/32 ,  C23C16/505 ,  C23C16/458

Abstract: 本公开的实施例总体上涉及用于PECVD腔室的金属屏蔽件。金属屏蔽件包括基板支撑部分和轴部分。轴部分包括具有壁厚度的管状壁。管状壁具有嵌入其中的冷却剂通道的供应通道和冷却剂通道的返回通道。供应通道和返回通道中的各者是管状壁中的螺旋。螺旋供应通道和螺旋返回通道具有相同的旋转方向且彼此平行。供应通道和返回通道在管状壁中交错。通过在金属屏蔽件中交错的供应通道和返回通道，减小了金属屏蔽件中的热梯度。

公开(公告)号：CN109023310A

公开(公告)日：2018-12-18

申请号：CN201810494227.4

申请日：2018-05-22

Applicant: 应用材料公司

Inventor： G·克利须那 ,  R·帕蒂尔 ,  H·K·帕纳瓦拉皮尔库马兰库提 ,  S·卡帕迪亚 ,  S·库纳卡特

IPC: C23C16/50 ,  H01L21/67

CPC classification number: C23C16/50 ,  H01L21/67011

Abstract: 公开了用于半导体处理腔室隔离以实现减少的颗粒和改善的均匀性的方法和设备。本公开内容的实现方式总体涉及用于在基板上均匀沉积薄膜的设备和方法。在一个实现方式中，等离子体处理腔室包括腔室主体，腔室主体包括腔室壁、腔室底板和盖支撑件。等离子体处理腔室进一步包括基板支撑组件，基板支撑组件至少部分地设置在腔室主体内并配置成支撑基板。等离子体处理腔室进一步包括盖组件，盖组件设置在支撑组件上方并定位在盖支撑件上，其中盖组件和腔室主体限定第一处理容积。等离子体腔室进一步包括底部隔离组件，底部隔离组件包围基板支撑组件的至少一部分并可从装载位置竖直地移动到处理位置。当底部隔离组件在处理位置中时，在底部隔离组件与盖组件之间形成密封。

公开(公告)号：CN108292589A

公开(公告)日：2018-07-17

申请号：CN201680068218.8

申请日：2016-11-01

Applicant: 应用材料公司

Inventor： K·C·保罗 ,  J·D·平森二世 ,  J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 ,  H·K·博尼坎帝 ,  R·乔德里 ,  S·阿特尼 ,  S·坎帕拉 ,  H·K·帕纳瓦拉皮尔库马兰库提

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/66 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01L21/67253 ,  G05B19/041 ,  G05B19/401 ,  G05B2219/31459 ,  G05B2219/40066 ,  H01L21/67196 ,  H01L21/67201 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/67389 ,  H01L21/67724 ,  H01L21/67775 ,  H01L21/68707 ,  H01L21/68764

Abstract: 本公开的实施方案大体而言是关于一种改良的工厂接口，该工厂接口耦接到设以测量基板的膜性质的板载计量壳体。在一个实施方案中，一种设备包含工厂接口以及计量壳体，该计量壳体通过装载端口可移除地耦接到该工厂接口，该计量壳体包含板载计量组件，用于测量将被移送到该计量壳体中的基板的性质。

公开(公告)号：CN112136202B

公开(公告)日：2024-04-12

申请号：CN201980033026.7

申请日：2019-05-20

Applicant: 应用材料公司

Inventor： S·S·阿迪帕利 ,  S·卡坦布里 ,  M·G·库尔卡尼 ,  H·K·帕纳瓦拉皮尔库马兰库提 ,  V·K·普拉巴卡尔 ,  爱德华四世·P·哈蒙德 ,  J·C·罗查

IPC: H01J37/32 ,  C23C16/505 ,  C23C16/458

Abstract: 本公开的实施例总体上涉及用于PECVD腔室的金属屏蔽件。金属屏蔽件包括基板支撑部分和轴部分。轴部分包括具有壁厚度的管状壁。管状壁具有嵌入其中的冷却剂通道的供应通道和冷却剂通道的返回通道。供应通道和返回通道中的各者是管状壁中的螺旋。螺旋供应通道和螺旋返回通道具有相同的旋转方向且彼此平行。供应通道和返回通道在管状壁中交错。通过在金属屏蔽件中交错的供应通道和返回通道，减小了金属屏蔽件中的热梯度。

公开(公告)号：CN110603634A

公开(公告)日：2019-12-20

申请号：CN201880029349.4

申请日：2018-05-03

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 张轶珍 ,  R·乔德里 ,  J·D·平松二世 ,  J·M·舒浩勒 ,  H·K·帕纳瓦拉皮尔库马兰库提

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/67

Abstract: 本文的实施方式提供了一种用于在诸如等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺之类的等离子体增强沉积工艺期间直接地监测衬底的温度的衬底温度监测系统。在一个实施方式中，一种衬底支撑组件包括：支撑轴；衬底支撑件，所述衬底支撑件设置在所述支撑轴上；以及衬底温度监测系统，所述衬底温度监测系统用于测量待设置在所述衬底支撑件上的衬底的温度。所述衬底温度监测系统包括光纤管、耦接到所述光纤管的光导、以及围绕所述光纤管和所述光导的接合处设置的冷却组件。在本文中，所述光导的至少一部分设置在延伸穿过所述支撑轴并进入所述衬底支撑件的开口中，并且所述冷却组件在衬底处理期间维持所述光纤管处于低于约100℃的温度。