公开(公告)号：CN111373504A

公开(公告)日：2020-07-03

申请号：CN201980005856.9

申请日：2019-03-19

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 小林悟 ,  W·田 ,  S·拉乌夫 ,  J·金 ,  S·朴 ,  D·卢博米尔斯基

IPC: H01J37/32

Abstract: 提供了用于在工艺腔室中的离子轰击工艺期间减少喷头上的粒子产生的方法、系统及设备。将第一RF信号及第二RF信号从RF发生器供应到嵌入工艺腔室中的基板支撑件中的电极。响应于对第一RF振幅、第二RF振幅、第一RF相位及第二RF相位的测量，相对于第一RF信号调节第二RF信号。最大化在基板上的离子轰击并且最小化在喷头上产生的粒子的数量。本文描述的方法及系统提供了改进的离子蚀刻特性，同时减少从喷头产生的碎屑粒子的量。

公开(公告)号：CN111373504B

公开(公告)日：2023-01-06

申请号：CN201980005856.9

申请日：2019-03-19

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 小林悟 ,  W·田 ,  S·拉乌夫 ,  J·金 ,  S·朴 ,  D·卢博米尔斯基

IPC: H01J37/32

Abstract: 提供了用于在工艺腔室中的离子轰击工艺期间减少喷头上的粒子产生的方法、系统及设备。将第一RF信号及第二RF信号从RF发生器供应到嵌入工艺腔室中的基板支撑件中的电极。响应于对第一RF振幅、第二RF振幅、第一RF相位及第二RF相位的测量，相对于第一RF信号调节第二RF信号。最大化在基板上的离子轰击并且最小化在喷头上产生的粒子的数量。本文描述的方法及系统提供了改进的离子蚀刻特性，同时减少从喷头产生的碎屑粒子的量。