公开(公告)号：CN111288247B

公开(公告)日：2023-06-02

申请号：CN201911251108.7

申请日：2019-12-09

Applicant: 应用材料公司

Inventor： L·布恩卡特 ,  Y·杨 ,  R·乔德里 ,  A·坎古德

IPC: F16L59/02 ,  F16L59/04

Abstract: 本文所述的实施方式涉及用于工艺腔室中的机械隔离和热绝缘的装置和技术。在一个实施方式中，绝缘层被设置在圆顶组件和气体环之间。绝缘层被配置以维持圆顶组件的温度并且防止从圆顶组件到气体环的热能传递。绝缘层提供圆顶组件与气体环的机械隔离。绝缘层还在圆顶组件和气体环之间提供热绝缘。绝缘层可由含聚酰亚胺的材料制成，所述材料大幅地降低绝缘层变形的发生。

公开(公告)号：CN107710378B

公开(公告)日：2020-05-26

申请号：CN201680034055.1

申请日：2016-04-19

Applicant: 应用材料公司

Inventor： Y·杨 ,  K·拉马斯瓦米 ,  S·莱恩 ,  L·王 ,  S·拉乌夫 ,  A·恩古耶 ,  K·S·柯林斯 ,  R·A·林德利

IPC: H01J37/32

Abstract: 本文描述的实现方式提供一种基板支撑组件，该基板支撑组件实现等离子体腔室内的等离子体调谐。在一个实施例中，提供一种用于在腔室中调谐等离子体的方法。该方法包含以下步骤：向基板支撑组件中的第一电极提供第一射频功率及直流功率；向第二电极提供第二射频功率，该第二电极在该基板支撑组件中与第一电极不同的位置处；监测该第一和第二射频功率的参数；及基于所监测的参数，调整该第一和第二射频功率中的一者或两者。

公开(公告)号：CN113544310B

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN202080019065.4

申请日：2020-02-07

Applicant: 应用材料公司

Inventor： K·尼塔拉 ,  D·N·凯德拉亚 ,  K·嘉纳基拉曼 ,  Y·杨

IPC: C23C16/505 ,  C23C16/30 ,  C23C16/44 ,  C23C16/458

Abstract: 本文讨论了使用脉冲式RF等离子体来形成非晶膜和微晶膜的系统和方法。形成膜的方法可以包括：(a)由膜前驱物在处理腔室中形成等离子体以及(b)脉冲RF功率源以使由RF功率源产生的脉冲的工作循环的工作循环导通时间(TON)小于工作循环的总循环时间(TTOT)的约20％，以形成膜。方法可以进一步包括：(c)在处理腔室中的基板上沉积第一膜中间层；(d)在(c)之后，净化处理腔室；以及(e)在(d)之后，将氢等离子体引入处理腔室。此外，在方法中，重复(b)‑(e)以形成膜。膜可具有小于约10％的膜内氢含量。

公开(公告)号：CN116529850A

公开(公告)日：2023-08-01

申请号：CN202180077566.2

申请日：2021-10-04

Applicant: 应用材料公司

Inventor： Y·杨 ,  K·尼塔拉 ,  程睿 ,  K·嘉纳基拉曼 ,  D·凯德拉亚 ,  黄祖滨 ,  A·爱丁

IPC: H01L21/033

Abstract: 本技术的实施例包括用于制成具有改变的硼硅原子比的含硼与硅层的半导体处理方法。方法可包括使含硅前驱物流入半导体处理腔室的基板处理区域中，并且还使含硼前驱物及分子氢(H2)流入半导体处理腔室的基板处理区域中。含硼前驱物及H2可以一硼氢流速比流动。含硼前驱物及H2的流动速率可增加，同时在流动速率增加期间硼氢流速比保持恒定。含硼与硅层可在基板上沉积，并且可由从与基板接触的第一表面到最远离基板的含硼与硅层的第二表面的连续增加的硼硅比表征。

公开(公告)号：CN108998776B

公开(公告)日：2022-01-28

申请号：CN201810576218.X

申请日：2018-06-06

Applicant: 应用材料公司

Inventor： S·巴录佳 ,  Y·杨 ,  T·恩古耶 ,  N·南塔瓦拉努 ,  J·F·奥布充 ,  T·A·恩古耶 ,  K·嘉纳基拉曼

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/513

Abstract: 本公开涉及通过独立控制TEOS流量的沉积径向和边缘轮廓可维持性。本公开披露了用于处理基板的串联处理系统。至少一个处理腔室包括穿孔盖、设置在穿孔盖上的气体阻滞器以及设置在穿孔盖下方的基板支撑件。气体阻滞器包括：气体歧管、在气体歧管中形成的中心气体通道、设置在气体歧管下方的第一气体分配板、在气体歧管中形成的第一和第二气体通道、设置在第一气体分配板下方的第二气体分配板、设置在第二气体分配板下方的第三气体分配板、以及设置在第二气体分配板和第三气体分配板之间的多个直通通道。第二气体分配板包括穿过第二气体分配板的底部而形成的多个通孔、与中心气体通道流体连通的中心开口以及在第二气体分配板的顶表面中形成的凹陷区域。

公开(公告)号：CN113544310A

公开(公告)日：2021-10-22

申请号：CN202080019065.4

申请日：2020-02-07

Applicant: 应用材料公司

Inventor： K·尼塔拉 ,  D·N·凯德拉亚 ,  K·嘉纳基拉曼 ,  Y·杨

IPC: C23C16/505 ,  C23C16/30 ,  C23C16/44 ,  C23C16/458

Abstract: 本文讨论了使用脉冲式RF等离子体来形成非晶膜和微晶膜的系统和方法。形成膜的方法可以包括：(a)由膜前驱物在处理腔室中形成等离子体以及(b)脉冲RF功率源以使由RF功率源产生的脉冲的工作循环的工作循环导通时间(TON)小于工作循环的总循环时间(TTOT)的约20％，以形成膜。方法可以进一步包括：(c)在处理腔室中的基板上沉积第一膜中间层；(d)在(c)之后，净化处理腔室；以及(e)在(d)之后，将氢等离子体引入处理腔室。此外，在方法中，重复(b)‑(e)以形成膜。膜可具有小于约10％的膜内氢含量。

公开(公告)号：CN106558468B

公开(公告)日：2020-07-17

申请号：CN201610857555.7

申请日：2016-09-27

Applicant: 应用材料公司

Inventor： K·拉马斯瓦米 ,  L·王 ,  S·莱恩 ,  Y·杨 ,  S·D·耐马尼 ,  P·戈帕尔拉迦

IPC: H01J37/32

Abstract: 公开了一种利用等离子体点源的阵列处理工件的等离子体反应器。一种等离子体源，由等离子体点源的阵列组成，该等离子体源对用户界定的区域在空间上和时间上控制带电粒子和自由基的产生。

公开(公告)号：CN110709967A

公开(公告)日：2020-01-17

申请号：CN201880036516.8

申请日：2018-05-24

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 程睿 ,  Y·杨 ,  陈一宏 ,  K·嘉纳基拉曼 ,  A·B·玛里克

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/311 ,  H01L21/02

Abstract: 在一个实现方式中，提供了一种在处理腔室中的衬底上形成非晶硅层的方法。所述方法包括在衬底上沉积预定厚度的牺牲介电层。所述方法还包括通过去除所述牺牲介电层的部分以暴露所述衬底的上表面来在所述衬底上形成图案化特征。所述方法还包括对所述图案化特征执行等离子体处理。所述方法还包括在所述图案化特征和所述衬底的所述暴露上表面上沉积非晶硅层。所述方法还包括使用各向异性蚀刻工艺从所述图案化特征的上表面和所述衬底的所述上表面选择性去除所述非晶硅层，以提供填充在由所述非晶硅层形成的侧壁间隔件内的所述图案化特征。

公开(公告)号：CN107636793B

公开(公告)日：2019-10-25

申请号：CN201680024807.6

申请日：2016-01-15

Applicant: 应用材料公司

Inventor： K·S·柯林斯 ,  K·拉马斯瓦米 ,  J·D·卡达希 ,  S·拉夫 ,  L·多夫 ,  Y·杨

IPC: H01J37/32

Abstract: 一种具有高架电子束源的反应器，能够产生用于执行原子层蚀刻工艺的离子对离子等离子体。

公开(公告)号：CN116420213A

公开(公告)日：2023-07-11

申请号：CN202180071053.0

申请日：2021-10-18

Applicant: 应用材料公司

Inventor： R·拉杰夫 ,  Y·杨 ,  A·A·坎古德 ,  K·乔希

IPC: H01J37/32

Abstract: 示例性半导体处理室可以包括气箱，该气箱包括第一板，该第一板具有第一表面和与第一表面相对的第二表面。气箱的第一板可以界定从第一表面延伸到第二表面的中心孔。第一板可以在第二表面中界定环形凹槽。第一板可以界定从第一表面延伸到第二表面中的环形凹槽的多个孔。气箱可以包括第二板，该第二板由环形表征。第二板可以在环形凹槽处与第一板耦接，以在第一板内界定第一气室。