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公开(公告)号：CN119243117A
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202411221109.8
申请日：2017-08-23
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/455 , C23C16/50 , C23C16/458 , H01J37/32
Abstract: 本公开内容大体涉及一种用于确保沉积均匀性的气体分配板。所述气体分配板在下游侧上具有多个凹进部分，以确保在处理腔室的角部区域中的均匀沉积。
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公开(公告)号：CN105940341B
公开(公告)日：2020-02-14
申请号：CN201580006277.8
申请日：2015-01-20
Applicant: 应用材料公司
IPC: G02F1/13
Abstract: 本公开涉及一种拐角式扰流件，所述拐角式扰流件被设计成通过改变气体流动来使基板拐角区域上的较高沉积速率降低。在一个实施方式中，一种用于处理腔室的拐角式扰流件包括电介质材料制成的L形主体，其中所述L形主体被配置成改变在处理腔室中的基板的拐角处的等离子体分布。所述L形主体包括第一支脚和第二支脚，其中所述第一支脚与所述第二支脚在所述L形主体的内侧拐角和外侧拐角处相交。所述第一支脚或所述第二支脚的长度是所述第一支脚或所述第二支脚与所述内侧拐角之间界定的距离的两倍。在另一实施方式中，一种用于沉积腔室的遮蔽框架包括：矩形主体，所述矩形主体具有贯穿其的矩形开口；以及一或多个拐角式扰流件，所述一或多个拐角式扰流件在所述矩形主体的拐角处耦接到所述矩形主体。
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公开(公告)号：CN105679665B
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201610179357.X
申请日：2011-08-16
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/318 , C23C16/34 , C23C16/44
CPC classification number: H01L21/0217 , C23C16/345 , C23C16/4404 , H01L21/02274 , H01L21/02299
Abstract: 本发明实施方式提供用于在设置在处理腔室中的大尺寸基板上沉积含氮材料的方法。在个实施方式中,所述方法包括:在处理腔室中处理批基板,以在出自所述批基板的基板上沉积含氮材料;以及在处理所述批基板期间以预定间隔执行陈化处理,以在设置在所述处理腔室中的腔室组件的表面上沉积导电陈化层。所述腔室组件可包括气体分配板,所述气体分配板由未经阳极化处理的裸铝制成。在个实例中,所述导电陈化层可包括非晶硅、掺杂非晶硅、掺杂硅、掺杂多晶硅、掺杂碳化硅或其他同类物。
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公开(公告)号：CN103379945A
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN201380000449.1
申请日：2013-03-19
Applicant: 应用材料公司
IPC: A99Z99/00
CPC classification number: C23C14/042 , C23C16/042
Abstract: 在此叙述一种用以处理基板的装置。一种用于控制基板上的沉积的装置可包括腔室、基板支撑件、以及遮蔽框，腔室包括遮蔽框支撑件，基板支撑件包括基板支撑表面，遮蔽框具有遮蔽框主体及可分离式唇部，遮蔽框主体包括第一支撑面以及相对于第一面的第二支撑面，可分离式唇部与遮蔽框主体连接。可分离式唇部可包括支撑连接件、第一唇部表面、第二唇部表面、第一边缘、以及第二边缘，第一唇部表面面对基板，第二唇部表面相对于第一唇部表面，第一边缘设置在第一支撑面上方，第二边缘相对于第一边缘以接触基板。
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公开(公告)号：CN111051569B
公开(公告)日：2022-05-24
申请号：CN201880056414.2
申请日：2018-09-14
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/455 , C23C16/458 , H01J37/32
Abstract: 本公开内容的实施方式总体涉及一种遮蔽框架，所述遮蔽框架包括相邻于两个相对的次侧面框架构件的两个相对的主侧面框架构件，用角支架将所述主侧面框架构件与所述次侧面框架构件耦接在一起，其中所述角支架包括具有多个支腿的角镶嵌件，这些支腿在彼此大致上正交的方向延伸。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114514337A
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN201980100764.9
申请日：2019-09-26
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 苏海尔·安瓦尔 , 古田学 , 兰吉特·英德拉吉特·辛德
IPC: C23C16/458 , C23C16/44 , C23C16/505 , H01J37/32
Abstract: 本公开内容的方面涉及用于基板处理的支撑支架设备和方法，诸如等离子体处理腔室。在一个实施方式中，一种基板处理腔室包括腔室主体。所述腔室主体包括一个或多个侧壁，并且所述一个或多个侧壁中的每一者包括内表面。所述基板处理腔室还包括：基座，所述基座具有支撑表面；处理空间，所述处理空间在所述基座上方；以及下部空间，所述下部空间在所述基座下方。所述基板处理腔室还包括支架，所述支架安装到所述一个或多个侧壁中的侧壁的所述内表面。所述支架包括第一端、第二端和在所述第一端与所述第二端之间的纵向长度。所述支架还包括在所述支架中形成在所述第一端与所述第二端之间的气体开口。所述气体开口允许气体流过所述气体开口。
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公开(公告)号：CN112823406A
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN201980066147.1
申请日：2019-09-04
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 朴范洙 , R·L·迪纳 , 吴桑贞 , 古田学 , 艾伦·K·刘 , 李建恒 , 赵来 , 崔寿永 , 吉万·普拉卡什·塞奎拉 , 陈威廷 , 杨晓玲 , 徐成航 , 成元镐 , 洪贤英
IPC: H01J37/32
Abstract: 本公开内容的方面涉及用于在等离子体处理腔室的盖组件内使用的导热间隔件。在一个实施方式中，等离子体处理腔室包括腔室主体和盖组件，所述盖组件耦接至所述腔室主体，从而限定处理空间。所述盖组件包括耦接至所述腔室主体的背板，以及具有从中穿过而形成的多个气体开口的扩散器。所述盖组件还包括设置在所述背板与所述扩散器之间的导热间隔件，以将热从所述扩散器传递至所述背板。所述等离子体处理腔室包括设置在所述处理空间内的基板支撑件。
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公开(公告)号：CN105529238A
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201610018038.0
申请日：2009-04-09
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01J37/32 , C23C16/452 , C23C16/455 , C23C16/509
CPC classification number: C23C16/5096 , C23C16/4405 , C23C16/45561 , H01J37/32091 , H01J37/32357 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , C23C16/452 , C23C16/45565 , C23C16/45572
Abstract: 本发明大致包括等离子体增强化学汽相沉积处理腔室，其具有在与气源分隔位置处耦接至背板的RF功率源。通过在与RF功率分隔位置处供给气体进入处理腔室，可减少通到处理腔室的气体管中形成寄生等离子体。可在复数个位置供给气体至腔室。各个位置上，气源经过远端等离子体源以及RF扼流器或RF电阻器而供给气体至处理腔室。
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公开(公告)号：CN105308211A
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201480032438.6
申请日：2014-03-12
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/44 , C23C16/455
CPC classification number: C23C16/505 , C23C16/45565
Abstract: 在一个实施例中，用于沉积腔室的扩散器包括板和多个气体通道，所述板具有数个边缘区域、数个角落区域和中央区域，所述多个气体通道包括孔洞，所述多个气体通道形成在所述板的上游侧与下游侧之间，其中，在所述板的角落区域或边缘区域中的一个或多个中的孔洞的长度或直径中的一项或多项与在所述板的中央区域中的孔洞的对应长度或对应直径不同。
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公开(公告)号：CN101647090B
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN200880009630.8
申请日：2008-02-29
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/20
CPC classification number: H01J37/32082 , H01J37/32623 , H01J37/32651 , H01J2237/0206
Abstract: 本发明一般包括用于等离子体工艺设备的RF遮板组件。RF遮板组件可降低工艺期间蔓延至(creep)基板及遮蔽框下方的等离子体的量，因而减少发生在不期望的表面上的沉积量。通过减少在不期望的表面上的沉积量，粒子剥落现象降低，因此可减少基板的污染情形。
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