公开(公告)号：CN115152009A

公开(公告)日：2022-10-04

申请号：CN202180016910.7

申请日：2021-01-19

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 潘尧令 ,  P·J·唐 ,  L·泰德斯奇 ,  J·孙 ,  P·A·克劳斯 ,  李晓璞 ,  K·贝拉 ,  M·D·威尔沃斯 ,  阿尔伯特三世·B·希克斯 ,  L·J·恩曼 ,  M·J·萨利 ,  D·T·麦克科米克

IPC: H01L21/67 ,  H01J37/32 ,  H05H1/00

Abstract: 本文中公开的实施例包括一种传感器。在一实施例中，传感器包括：基板，所述基板具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面。在一实施例中，传感器进一步包括：第一电极，所述第一电极在所述基板的所述第一表面之上；以及第二电极，所述第二电极在所述基板的所述第一表面之上且相邻于所述第一电极。在一实施例中，传感器进一步包括：阻挡层，所述阻挡层在所述第一电极和所述第二电极之上。

公开(公告)号：CN115135967A

公开(公告)日：2022-09-30

申请号：CN202180015393.1

申请日：2021-01-20

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 潘尧令 ,  P·J·唐 ,  L·泰德斯奇 ,  M·D·威尔沃斯 ,  D·T·麦克科米克

IPC: G01D11/24 ,  H01L21/67 ,  G01D5/14

Abstract: 本文公开的实施例包括传感器组件。在实施例中，传感器组件包括传感器模块和壳体组件。在实施例中，所述传感器模块包括；基板；电容器，所述电容器具有在所述基板上的第一电极和第二电极；以及电容到数字转换器(CDC)，所述CDC电耦合至所述第一电极和所述第二电极。在实施例中，所述壳体组件附接至所述传感器模块并且包括：轴件，其中所述轴件是中空的；以及帽，所述帽在所述轴件的第一端上，其中所述帽具有暴露所述电容器的开口。

公开(公告)号：CN115176328A

公开(公告)日：2022-10-11

申请号：CN202180016547.9

申请日：2021-01-15

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 潘尧令 ,  P·J·唐 ,  M·D·威尔沃斯 ,  L·泰德斯奇 ,  K-S·N·尚 ,  M·V·塔拉布钦 ,  C·R·哈迪 ,  S·纳加拉贾

IPC: H01J37/32 ,  H05H1/00

Abstract: 描述了用于等离子体腔室条件监测的电容传感器和电容感测数据集成。在示例中，等离子体腔室监测系统包括：多个电容传感器；电容数字转换器；以及应用处理服务器，所述应用处理服务器耦合至所述电容数字转换器，所述应用处理服务器包括系统软件。所述电容数字转换器包括：绝缘接口，所述绝缘接口耦合至所述多个电容传感器；电源，所述电源耦合至所述绝缘接口；现场可编程门阵列固件，所述现场可编程门阵列固件耦合至所述绝缘接口；以及专用集成电路，所述专用集成电路耦合至所述现场可编程门阵列固件。

公开(公告)号：CN113597659A

公开(公告)日：2021-11-02

申请号：CN202080021717.8

申请日：2020-01-31

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 潘尧令 ,  P·J·唐 ,  M·D·威尔沃斯 ,  L·M·泰德斯奇 ,  D·S·卞 ,  P·A·克劳斯 ,  P·A·克里米诺儿 ,  C·李 ,  R·丁德萨 ,  A·施密特 ,  D·M·库萨

IPC: H01J37/32

Abstract: 本公开内容总体上涉及一种用于确定与在等离子体处理腔室内的蚀刻中使用的环组件的腐蚀有关的度量的方法和设备。在一个示例中，设备被配置为获取指示在等离子体处理腔室中设置在基板支撑组件上的边缘环上的腐蚀的度量。传感器获取边缘环的度量。度量与边缘环中的腐蚀量相关。在另一示例中，环传感器可布置在基板支撑组件的外周的外部。度量可由环传感器通过等离子体屏来获取。

公开(公告)号：CN113597659B

公开(公告)日：2024-08-20

申请号：CN202080021717.8

申请日：2020-01-31

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 潘尧令 ,  P·J·唐 ,  M·D·威尔沃斯 ,  L·M·泰德斯奇 ,  D·S·卞 ,  P·A·克劳斯 ,  P·A·克里米诺儿 ,  C·李 ,  R·丁德萨 ,  A·施密特 ,  D·M·库萨

IPC: H01J37/32

Abstract: 本公开内容总体上涉及一种用于确定与在等离子体处理腔室内的蚀刻中使用的环组件的腐蚀有关的度量的方法和设备。在一个示例中，设备被配置为获取指示在等离子体处理腔室中设置在基板支撑组件上的边缘环上的腐蚀的度量。传感器获取边缘环的度量。度量与边缘环中的腐蚀量相关。在另一示例中，环传感器可布置在基板支撑组件的外周的外部。度量可由环传感器通过等离子体屏来获取。

公开(公告)号：CN115066737A

公开(公告)日：2022-09-16

申请号：CN202180013444.7

申请日：2021-01-14

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 潘尧令 ,  P·J·唐 ,  L·泰德斯奇 ,  P·A·克劳斯 ,  M·D·威尔沃斯

IPC: H01J37/32 ,  H05H1/00

Abstract: 描述了用于等离子体腔室条件监测的电容传感器及电容感测位置。在一示例中，等离子体处理腔室包括腔室壁，所述腔室壁环绕处理区域。腔室盖在所述腔室壁之上并且在所述处理区域上方。腔室地板在所述腔室壁下并且在所述处理区域下方。支撑基座在所述处理区域中且在所述腔室盖下方并且在所述腔室地板上方，并且所述支撑基座被所述腔室壁环绕。电容传感器模块可在所述腔室壁的开口中。腔室盖可包括电容传感器模块。腔室地板可包括排气端口及在所述排气端口内或相邻于所述排气端口的电容传感器模块。支撑基座可包括环结构，所述环结构环绕基板支撑区域，并且电容传感器模块在所述环结构的开口中。