公开(公告)号：CN112189254B

公开(公告)日：2024-09-27

申请号：CN201880093723.7

申请日：2018-05-30

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 马库斯·哈尼卡 ,  约阿希姆·松嫩申 ,  萨宾·宾德 ,  西蒙·刘 ,  于尔根·格里尔迈尔 ,  朴炫灿

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/677 ,  H01L21/687 ,  C23C14/50 ,  C23C14/56

Abstract: 本公开内容提供在处理系统中的载体(212)的热处理的装置(200)。装置包括载体(212)，所述载体(212)被配置以在基板接收区域(232)中支撑基板(230)，所述载体(212)具有延伸到基板接收区域(232)之外的一个或多个边缘部分(214)，和被配置以提供热能至一个或多个边缘部分(214)的加热布置(240)。

公开(公告)号：CN114630922B

公开(公告)日：2025-03-11

申请号：CN202080076762.3

申请日：2020-02-24

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 陈春诚 ,  张鸿文 ,  林信宏 ,  杨启昌 ,  克里斯托夫·蒙多夫 ,  托马斯·格比利 ,  于尔根·格里尔迈尔

IPC: C23C14/56 ,  C23C14/54

Abstract: 提供一种用于在基板上沉积材料的真空处理设备(110)。真空处理设备(110)包括：真空腔室，真空腔室包括处理区域(111)；在真空腔室的处理区域(111)内的沉积设备(112)；在真空腔室内部的冷却表面(113)；和在冷却表面(113)与处理区域(111)之间的一个或多个可移动的遮挡件(220)。

公开(公告)号：CN114630920A

公开(公告)日：2022-06-14

申请号：CN202080076552.4

申请日：2020-05-25

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 马库斯·本德 ,  于尔根·格里尔迈尔 ,  黄秀玉

IPC: C23C14/08 ,  C23C14/14 ,  C23C14/34 ,  H01L29/49 ,  H01L29/786

Abstract: 提供了一种制造图案化层堆叠物的方法。所述方法包括沉积层堆叠物。沉积层堆叠物包括：在包括惰性气体和氢的处理气体气氛中在基板上沉积第一透明导电氧化物层；在所述第一透明导电氧化物层上沉积金属层；以及在所述金属层上沉积第二透明导电氧化物层。所述方法进一步包括一步湿法蚀刻所述层堆叠物以制造图案化层堆叠物。

公开(公告)号：CN107430466B

公开(公告)日：2021-02-26

申请号：CN201480083233.0

申请日：2014-11-07

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 于尔根·格里尔迈尔 ,  高旭中

IPC: G06F3/044

Abstract: 提供一种适合用于触摸屏面板的层状系统(100)。层状系统(100)包括至少一个层堆叠，层堆叠具有三个或更多个层，三个或更多个层在相同的结构化工艺中被结构化。三个或更多个层包括金属层(110)、及两个或更多个其他的层，金属层(110)包括铝或铝合金。两个或更多个其他的层包括铟镓锌氧化物(IGZO)层或铟锌氧化物(IZO)层、以及第一层(120)，第一层(120)包括钼或钼合金。

公开(公告)号：CN112189254A

公开(公告)日：2021-01-05

申请号：CN201880093723.7

申请日：2018-05-30

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 马库斯·哈尼卡 ,  约阿希姆·松嫩申 ,  萨宾·宾德 ,  西蒙·刘 ,  于尔根·格里尔迈尔 ,  朴炫灿

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/677 ,  H01L21/687 ,  C23C14/50 ,  C23C14/56

Abstract: 本公开内容提供在处理系统中的载体(212)的热处理的装置(200)。装置包括载体(212)，所述载体(212)被配置以在基板接收区域(232)中支撑基板(230)，所述载体(212)具有延伸到基板接收区域(232)之外的一个或多个边缘部分(214)，和被配置以提供热能至一个或多个边缘部分(214)的加热布置(240)。

公开(公告)号：CN114651085A

公开(公告)日：2022-06-21

申请号：CN202080076497.9

申请日：2020-05-11

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 蔡韻竹 ,  任东吉 ,  罗德尼·顺隆·利马 ,  于尔根·格里尔迈尔 ,  金正培 ,  马库斯·本德

IPC: C23C14/08 ,  C23C14/34

Abstract: 一种使用溅射沉积源在基板上沉积薄膜晶体管的层的方法(480、580)，所述溅射沉积源包括至少一个第一电极对和至少一个第二电极对，所述方法包括将所述基板移动(482、582)到第一真空腔室；通过为所述至少一个第一电极对供应双极脉冲DC电压来在所述基板上沉积(484、584)所述层的第一层，其中所述第一层的第一材料包括第一金属氧化物；在不破坏真空的情况下将所述基板从所述第一真空腔室移动(486、586)到第二真空腔室；和通过为所述至少一个第二电极对供应双极脉冲DC电压来在所述第一层上沉积(488、588)所述层的第二层，其中所述第二层的第二材料包括第二金属氧化物，所述第二材料不同于所述第一材料。

公开(公告)号：CN114630922A

公开(公告)日：2022-06-14

申请号：CN202080076762.3

申请日：2020-02-24

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 陈春诚 ,  张鸿文 ,  林信宏 ,  杨启昌 ,  克里斯托夫·蒙多夫 ,  托马斯·格比利 ,  于尔根·格里尔迈尔

IPC: C23C14/56 ,  C23C14/54

Abstract: 提供一种用于在基板上沉积材料的真空处理设备(110)。真空处理设备(110)包括：真空腔室，真空腔室包括处理区域(111)；在真空腔室的处理区域(111)内的沉积设备(112)；在真空腔室内部的冷却表面(113)；和在冷却表面(113)与处理区域(111)之间的一个或多个可移动的遮挡件(220)。

公开(公告)号：CN110785512A

公开(公告)日：2020-02-11

申请号：CN201780092451.4

申请日：2017-06-26

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 拉尔夫·林登贝格 ,  于尔根·格里尔迈尔 ,  岭·灿 ,  约翰·M·怀特 ,  马库斯·哈尼卡

IPC: C23C14/04 ,  C23C14/54 ,  C23C16/04

Abstract: 提供了一种沉积设备。沉积设备包括第一沉积源和第二沉积源，经构造为用于在基板接收面积中沉积材料。沉积设备包括掩蔽元件。掩蔽元件经构造为用于掩蔽在第一方向上延伸的基板边缘区域。掩蔽元件经构造以在至少第一方向上移动以补偿沉积材料在掩蔽元件上的积累。

公开(公告)号：CN107430466A

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：CN201480083233.0

申请日：2014-11-07

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 于尔根·格里尔迈尔 ,  高旭中

IPC: G06F3/044

Abstract: 提供一种适合用于触摸屏面板的层状系统(100)。层状系统(100)包括至少一个层堆叠，层堆叠具有三个或更多个层，三个或更多个层在相同的结构化工艺中被结构化。三个或更多个层包括金属层(110)、及两个或更多个其他的层，金属层(110)包括铝或铝合金。两个或更多个其他的层包括铟镓锌氧化物(IGZO)层或铟锌氧化物(IZO)层、以及第一层(120)，第一层(120)包括钼或钼合金。

公开(公告)号：CN214361638U

公开(公告)日：2021-10-08

申请号：CN201890001646.3

申请日：2018-05-30

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 于尔根·格里尔迈尔 ,  稻川真 ,  苏哈斯·博斯基 ,  细川昭弘 ,  奥利弗·格拉沃尔 ,  西蒙·刘

IPC: C23C14/04 ,  C23C16/04 ,  C23C14/54 ,  C23C16/52

Abstract: 描述了一种沉积设备。所述沉积设备包括：第一沉积源，所述第一沉积源被配置为在基板接收区域中沉积材料；以及掩蔽元件，所述掩蔽元件设置在所述第一沉积源与所述基板接收区域之间，所述掩蔽元件被配置为移动以调整距所述基板接收区域的掩模距离来沉积所述材料。