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公开(公告)号：CN114914167A
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202210815230.8
申请日：2022-07-11
Applicant: 广州粤芯半导体技术有限公司
Abstract: 本发明提供了一种清洗溶液的监测方法及其监测系统，清洗溶液的监测方法，包括：提供一裸硅晶圆，将所述裸硅晶圆放入含有双氧水的清洗溶液中清洗，所述裸硅晶圆的表面自然形成介质层；检测所述裸硅晶圆表面的所述介质层的厚度，并判断所述介质层的厚度是否位于所述介质层的目标厚度范围内，若否，则认定所述清洗溶液的配方异常。通过在裸硅晶圆清洗后，对裸硅晶圆表面的介质层厚度进行检测，通过判断介质层厚度是否正常来判断清洗溶液是否正常，当裸硅晶圆表面的介质层厚度超出正常目标厚度范围时，则是由于清洗溶液中混入了刻蚀介质层的溶液，及时发现清洗溶液的异常并进行更换异常的清洗溶液，避免大量的裸硅晶圆报废。
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公开(公告)号：CN114512400A
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202210413418.X
申请日：2022-04-20
Applicant: 广州粤芯半导体技术有限公司
IPC: H01L21/311
Abstract: 本发明提供一种半导体结构的制作方法，该方法包括以下步骤：提供一半导体层，半导体层包括位于顶层的硅层，硅层中设有第一沟槽，第一沟槽中设有二氧化硅填充层；形成多晶硅保护层于半导体层的预设区域表面，多晶硅保护层未遮盖第一沟槽；对半导体层进行湿法刻蚀以减薄二氧化硅填充层的至少一部分；氧化多晶硅保护层以得到二氧化硅牺牲层；去除二氧化硅牺牲层。本发明采用多晶硅保护层代替光阻作为阻挡层，可以完美地挡住不需要被刻蚀的部分，蚀刻液不会从侧面渗透而造成器件质量出现问题。此外，相对于直接去除多晶硅保护层的方案，本发明将多晶硅保护层氧化后再去除的方案可以很好地避免产生颗粒或其它缺陷而影响机台。
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公开(公告)号：CN115295402A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202211223887.1
申请日：2022-10-09
Applicant: 广州粤芯半导体技术有限公司
Abstract: 本申请公开了一种晶圆清洗方法及清洗设备，晶圆清洗方法包括：采用第一清洗液对晶圆进行第一清洗，其中，所述第一清洗液为硫酸与双氧水的混合水溶液；采用第二清洗液对所述晶圆进行第二清洗，其中，所述第二清洗液为氨水与双氧水的混合水溶液；采用第三清洗液对所述晶圆进行第三清洗，其中，所述第三清洗液为盐酸、双氧水与氢氟酸的混合水溶液。本申请可以避免清洗过程产生较厚的二氧化硅层而对器件的电性能造成影响，并且本申请的清洗步骤更少，可以提高清洗效率。
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公开(公告)号：CN114050109B
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202210029445.7
申请日：2022-01-12
Applicant: 广州粤芯半导体技术有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L21/311 , G03F1/80 , G03F1/76
Abstract: 本发明提供一种屏蔽栅沟槽功率器件的制造方法，在对第二沟槽中的第二氧化层进行湿法刻蚀之前，先形成图形化的阻挡层以覆盖衬底和第一沟槽中的第一氧化层，所述图形化的阻挡层的材质与所述第二氧化层的材质不同，故在对所述第二氧化层进行湿法刻蚀时，不会对图形化的阻挡层造成刻蚀，由此能够对湿法刻蚀的刻蚀溶液进行阻挡，从而可以防止第一沟槽中的第一氧化层被侧向侵蚀的问题。如此一来，可以有效避免电极连接栅与栅极之间出现短路现象，保证了器件的性能。
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公开(公告)号：CN115274409A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202211170522.7
申请日：2022-09-26
Applicant: 广州粤芯半导体技术有限公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/768 , B08B3/08
Abstract: 本发明提供了一种半导体结构的清洗方法以及半导体结构的制造方法，包括：将晶圆置于单片清洗机的吸盘上，晶圆上形成有金属互连结构，金属互连结构至少包括顶层金属层，所述顶层金属层的表面形成有残留物；执行第一清洗工艺，将第一清洗溶液喷吹至所述晶圆上并旋转所述晶圆，以至少去除部分所述顶层金属层的表面的残留物，其中，所述第一清洗溶液包括硫酸、双氧水和氢氟酸；执行第二清洗工艺，将第二清洗溶液喷吹至所述晶圆上并旋转所述晶圆，以去除所述第一清洗溶液；循环执行所述第一清洗工艺和所述第二清洗工艺，直至去除所述顶层金属层的表面的残留物。采用常用且价格便宜的清洗溶液，去除所述顶层金属层的表面的残留物，降低了生产成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114361010B
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202210266594.5
申请日：2022-03-18
Applicant: 广州粤芯半导体技术有限公司
Abstract: 本申请公开一种半导体器件的制备方法，能够缓解STI结构中的浅沟槽上下转角处过于尖锐时引发的尖端放电问题，使浅沟槽上下转角处更圆润，缓解因上下转角尖锐造成的应力和电性不良的问题。所述半导体器件的制备方法，包括以下步骤：提供衬底，所述衬底的上表面形成有沟槽；对所述沟槽的上转角和/或下转角进行离子掺杂，从而提高所述上转角和/或下转角处的衬底材料的被氧化活性，所述上转角对应至所述沟槽的侧壁与所述衬底的上表面之间构成的夹角，所述下转角对应至所述沟槽的底面和侧壁之间构成的夹角；对所述沟槽内表面进行氧化处理，至少在所述上转角和/或下转角处形成氧化衬底材料层。
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公开(公告)号：CN114512400B
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202210413418.X
申请日：2022-04-20
Applicant: 广州粤芯半导体技术有限公司
IPC: H01L21/311
Abstract: 本发明提供一种半导体结构的制作方法，该方法包括以下步骤：提供一半导体层，半导体层包括位于顶层的硅层，硅层中设有第一沟槽，第一沟槽中设有二氧化硅填充层；形成多晶硅保护层于半导体层的预设区域表面，多晶硅保护层未遮盖第一沟槽；对半导体层进行湿法刻蚀以减薄二氧化硅填充层的至少一部分；氧化多晶硅保护层以得到二氧化硅牺牲层；去除二氧化硅牺牲层。本发明采用多晶硅保护层代替光阻作为阻挡层，可以完美地挡住不需要被刻蚀的部分，蚀刻液不会从侧面渗透而造成器件质量出现问题。此外，相对于直接去除多晶硅保护层的方案，本发明将多晶硅保护层氧化后再去除的方案可以很好地避免产生颗粒或其它缺陷而影响机台。
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公开(公告)号：CN115020335B
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202210947270.8
申请日：2022-08-09
Applicant: 广州粤芯半导体技术有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/8238
Abstract: 本发明提供了一种半导体结构的形成方法，包括：提供一衬底，所述衬底上形成有多晶硅层；对所述多晶硅层的整个表面进行离子注入工艺，在所述多晶硅层的整个表面产生非晶层以降低所述多晶硅层的表面粗糙度；在所述多晶硅层的上方形成金属插塞，所述金属插塞与所述多晶硅层电连接。所述多晶硅层的表面粗糙度的降低，增大所述金属插塞与所述多晶硅层之间的接触面积，降低了所述金属插塞与所述多晶硅层之间接触电阻。并且，在进行所述多晶硅层的整个表面离子注入时，无需使用光罩和光刻胶作为掩模。进一步的，离子注入中的离子源可以为掺杂离子，也可以为非掺杂离子，非掺杂离子不会影响所述多晶硅层的电导率。
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公开(公告)号：CN115020335A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202210947270.8
申请日：2022-08-09
Applicant: 广州粤芯半导体技术有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/8238
Abstract: 本发明提供了一种半导体结构的形成方法，包括：提供一衬底，所述衬底上形成有多晶硅层；对所述多晶硅层的整个表面进行离子注入工艺，在所述多晶硅层的整个表面产生非晶层以降低所述多晶硅层的表面粗糙度；在所述多晶硅层的上方形成金属插塞，所述金属插塞与所述多晶硅层电连接。所述多晶硅层的表面粗糙度的降低，增大所述金属插塞与所述多晶硅层之间的接触面积，降低了所述金属插塞与所述多晶硅层之间接触电阻。并且，在进行所述多晶硅层的整个表面离子注入时，无需使用光罩和光刻胶作为掩模。进一步的，离子注入中的离子源可以为掺杂离子，也可以为非掺杂离子，非掺杂离子不会影响所述多晶硅层的电导率。
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公开(公告)号：CN114361010A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202210266594.5
申请日：2022-03-18
Applicant: 广州粤芯半导体技术有限公司
Abstract: 本申请公开一种半导体器件的制备方法，能够缓解STI结构中的浅沟槽上下转角处过于尖锐时引发的尖端放电问题，使浅沟槽上下转角处更圆润，缓解因上下转角尖锐造成的应力和电性不良的问题。所述半导体器件的制备方法，包括以下步骤：提供衬底，所述衬底的上表面形成有沟槽；对所述沟槽的上转角和/或下转角进行离子掺杂，从而提高所述上转角和/或下转角处的衬底材料的被氧化活性，所述上转角对应至所述沟槽的侧壁与所述衬底的上表面之间构成的夹角，所述下转角对应至所述沟槽的底面和侧壁之间构成的夹角；对所述沟槽内表面进行氧化处理，至少在所述上转角和/或下转角处形成氧化衬底材料层。
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