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公开(公告)号：CN115064432A
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN202210971522.0
申请日：2022-08-15
Applicant: 广州粤芯半导体技术有限公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/311
Abstract: 本申请公开了一种导体器件的制造方法及半导体器件。其中，该半导体器件的制造方法包括提供一半导体衬底，半导体衬底表面具有待处理区域；对待处理区域表面进行湿法氧化，形成覆盖待处理区域的牺牲氧化层；采用湿法蚀刻工艺去除牺牲氧化层。本方案可以提升半导体器件的性能。
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公开(公告)号：CN114512400B
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202210413418.X
申请日：2022-04-20
Applicant: 广州粤芯半导体技术有限公司
IPC: H01L21/311
Abstract: 本发明提供一种半导体结构的制作方法，该方法包括以下步骤：提供一半导体层，半导体层包括位于顶层的硅层，硅层中设有第一沟槽，第一沟槽中设有二氧化硅填充层；形成多晶硅保护层于半导体层的预设区域表面，多晶硅保护层未遮盖第一沟槽；对半导体层进行湿法刻蚀以减薄二氧化硅填充层的至少一部分；氧化多晶硅保护层以得到二氧化硅牺牲层；去除二氧化硅牺牲层。本发明采用多晶硅保护层代替光阻作为阻挡层，可以完美地挡住不需要被刻蚀的部分，蚀刻液不会从侧面渗透而造成器件质量出现问题。此外，相对于直接去除多晶硅保护层的方案，本发明将多晶硅保护层氧化后再去除的方案可以很好地避免产生颗粒或其它缺陷而影响机台。
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公开(公告)号：CN114446841A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202210376482.5
申请日：2022-04-12
Applicant: 广州粤芯半导体技术有限公司
Abstract: 本发明提供一种供酸装置及湿刻系统，装置包括储酸容器、气体管路、阀组件、液位传感器和控制模块；储酸容器沿竖向设有第一液位区；气体管路伸入储酸容器内，并靠近储酸容器的侧壁；阀组件用于开启或者关停气体管路；液位传感器用于在检测到储酸容器的第一液位区存在液体时输出一次报警信号；控制模块用于记录报警信号的接收次数；当控制模块记录报警信号的接收次数小于或等于预设值时，使阀组件根据预设时长开启气体管路。如此，当第一液位区附着有酸液时，控制模块根据报警信号的次数驱使阀组件开启气体管路，使得氮气将附着在储酸容器的侧壁的酸液进行吹拂而下落，保证第一液位区不会附着酸液，进而解除液位传感器的报警信号，避免误报警。
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公开(公告)号：CN114050109A
公开(公告)日：2022-02-15
申请号：CN202210029445.7
申请日：2022-01-12
Applicant: 广州粤芯半导体技术有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L21/311 , G03F1/80 , G03F1/76
Abstract: 本发明提供一种屏蔽栅沟槽功率器件的制造方法，在对第二沟槽中的第二氧化层进行湿法刻蚀之前，先形成图形化的阻挡层以覆盖衬底和第一沟槽中的第一氧化层，所述图形化的阻挡层的材质与所述第二氧化层的材质不同，故在对所述第二氧化层进行湿法刻蚀时，不会对图形化的阻挡层造成刻蚀，由此能够对湿法刻蚀的刻蚀溶液进行阻挡，从而可以防止第一沟槽中的第一氧化层被侧向侵蚀的问题。如此一来，可以有效避免电极连接栅与栅极之间出现短路现象，保证了器件的性能。
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公开(公告)号：CN113921382A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202111514081.3
申请日：2021-12-13
Applicant: 广州粤芯半导体技术有限公司
Abstract: 本发明提供了一种基板的清洗方法及半导体器件的制备方法。在利用含氢氟酸的第一溶液对基板进行清洗之后，将基板置于预定温度下，在该预定温度下可促使偏硅酸分解。因此，在较高浓度的氢氟酸清洗完成后并转移基板的过程中，即使在基板表面上会产生有偏硅酸，此时将基板置于预定温度下即可使偏硅酸分解，以利于进一步去除偏硅酸，从而可有效解决由氢氟酸清洗所带来的工艺缺陷。
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公开(公告)号：CN115662893A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202211701245.8
申请日：2022-12-29
Applicant: 广州粤芯半导体技术有限公司
IPC: H01L21/3115 , H01L21/311 , H01L29/423 , H01L21/02
Abstract: 本发明提供一种半导体器件的形成方法，涉及半导体制造领域，并通过在形成图形化的光刻胶层之前，增加了通过离子注入工艺对所述氧化硅层注入非电性元素，改变了所述氧化硅层表面的富氧状况，达到了对氧化硅层的材料改性的效果，增加了所述光刻胶层与所述氧化硅层之间的粘附性，同时降低了湿法刻蚀工艺时BOE溶液对所述氧化硅层的刻蚀速率，达到改善湿法刻蚀工艺形成钻蚀及在光刻胶下方由于BOE溶液渗透导致的额外的冲刷，改善了BOE溶液对所述氧化硅层的横向蚀刻和纵向蚀刻的蚀刻比例，增加了半导体器件的工艺窗口，从而避免了SGT器件的沟槽内的多晶硅栅极和位于沟槽上方的多晶硅源极接触的风险，使得SGT器件不会失效。
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公开(公告)号：CN114512400A
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202210413418.X
申请日：2022-04-20
Applicant: 广州粤芯半导体技术有限公司
IPC: H01L21/311
Abstract: 本发明提供一种半导体结构的制作方法，该方法包括以下步骤：提供一半导体层，半导体层包括位于顶层的硅层，硅层中设有第一沟槽，第一沟槽中设有二氧化硅填充层；形成多晶硅保护层于半导体层的预设区域表面，多晶硅保护层未遮盖第一沟槽；对半导体层进行湿法刻蚀以减薄二氧化硅填充层的至少一部分；氧化多晶硅保护层以得到二氧化硅牺牲层；去除二氧化硅牺牲层。本发明采用多晶硅保护层代替光阻作为阻挡层，可以完美地挡住不需要被刻蚀的部分，蚀刻液不会从侧面渗透而造成器件质量出现问题。此外，相对于直接去除多晶硅保护层的方案，本发明将多晶硅保护层氧化后再去除的方案可以很好地避免产生颗粒或其它缺陷而影响机台。
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公开(公告)号：CN114446841B
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210376482.5
申请日：2022-04-12
Applicant: 广州粤芯半导体技术有限公司
Abstract: 本发明提供一种供酸装置及湿刻系统，装置包括储酸容器、气体管路、阀组件、液位传感器和控制模块；储酸容器沿竖向设有第一液位区；气体管路伸入储酸容器内，并靠近储酸容器的侧壁；阀组件用于开启或者关停气体管路；液位传感器用于在检测到储酸容器的第一液位区存在液体时输出一次报警信号；控制模块用于记录报警信号的接收次数；当控制模块记录报警信号的接收次数小于或等于预设值时，使阀组件根据预设时长开启气体管路。如此，当第一液位区附着有酸液时，控制模块根据报警信号的次数驱使阀组件开启气体管路，使得氮气将附着在储酸容器的侧壁的酸液进行吹拂而下落，保证第一液位区不会附着酸液，进而解除液位传感器的报警信号，避免误报警。
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公开(公告)号：CN114050109B
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202210029445.7
申请日：2022-01-12
Applicant: 广州粤芯半导体技术有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L21/311 , G03F1/80 , G03F1/76
Abstract: 本发明提供一种屏蔽栅沟槽功率器件的制造方法，在对第二沟槽中的第二氧化层进行湿法刻蚀之前，先形成图形化的阻挡层以覆盖衬底和第一沟槽中的第一氧化层，所述图形化的阻挡层的材质与所述第二氧化层的材质不同，故在对所述第二氧化层进行湿法刻蚀时，不会对图形化的阻挡层造成刻蚀，由此能够对湿法刻蚀的刻蚀溶液进行阻挡，从而可以防止第一沟槽中的第一氧化层被侧向侵蚀的问题。如此一来，可以有效避免电极连接栅与栅极之间出现短路现象，保证了器件的性能。
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