本发明提供了一种半导体结构的清洗方法以及半导体结构的制造方法，包括：将晶圆置于单片清洗机的吸盘上，晶圆上形成有金属互连结构，金属互连结构至少包括顶层金属层，所述顶层金属层的表面形成有残留物；执行第一清洗工艺，将第一清洗溶液喷吹至所述晶圆上并旋转所述晶圆，以至少去除部分所述顶层金属层的表面的残留物，其中，所述第一清洗溶液包括硫酸、双氧水和氢氟酸；执行第二清洗工艺，将第二清洗溶液喷吹至所述晶圆上并旋转所述晶圆，以去除所述第一清洗溶液；循环执行所述第一清洗工艺和所述第二清洗工艺，直至去除所述顶层金属层的表面的残留物。采用常用且价格便宜的清洗溶液，去除所述顶层金属层的表面的残留物，降低了生产成本。