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公开(公告)号：CN119812932A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202411939264.3
申请日：2024-12-26
Applicant: 广州光电存算芯片融合创新中心
Abstract: 本发明涉及一种O波段硅基异质集成的光发射器件及其制备方法，属于光学器件技术领域。本发明通过晶圆键合的方式在硅基光子平台上集成InP及铌酸锂材料，有源、无源器件对准是通过光刻过程实现的，无需考虑对准的问题，且可以通过晶圆键合方式进行大批量的生产，可以降低单个器件的成本，还具有高集成度、节约成本、利于量产化的优势；本发明通过BCB聚合物辅助键合技术或低温直接键合技术可以克服硅基光子平台的硅与InP及铌酸锂材料存在晶格失配、热膨胀系数失配的缺陷，从而实现不同功能材料在硅基光子平台的集成；本发明通过设计相应的模斑转换器结构来实现不同材料波导之间的模式匹配。
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公开(公告)号：CN119812931A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202411939262.4
申请日：2024-12-26
Applicant: 广州光电存算芯片融合创新中心
Abstract: 本发明涉及一种C波段硅基异质集成的光发射器件及其制备方法，属于光学器件技术领域。本发明通过硅基光子波导层与第一波导层和第二波导层分别垂直倏逝波耦合，形成Si/InP模斑转换器且保持模式匹配，硅基光子波导层通过Si/InP模斑转换器以垂直倏逝波耦合的方式与InP波导层光学互连，从而实现光产生、探测、放大等功能；本发明将所述InP波导层设计成两层波导级联的结构，这种结构能更有效地提高耦合效率，减少端面寄生反射。
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公开(公告)号：CN119511445A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411915050.2
申请日：2024-12-24
Applicant: 广州光电存算芯片融合创新中心
Abstract: 本发明涉及光通信技术领域，尤其涉及一种基于双层波导的90度光混频器及其制备方法，包括衬底以及设于衬底上的氧化层、第一波导层、第二波导层以及包层；第一波导层和第二波导层均设置于包层中，且第二波导层通过另一层氧化层与第一波导层在垂直于波导传输平面的方向上间隔设置，形成层间结构；第一波导层和第二波导层之间设置有层间定向耦合部分；层间定向耦合部分用于提供第一波导层与第二波导层之间的光信号耦合，以使信号光和本振光在所述第一波导层和所述第二波导层之间传输，并在各自的多模干涉区内发生混频。本发明提出的90度光混频器通过双层波导结构，显著降低了交叉波导的传输损耗和串扰，实现了高性能、高集成度的光信号混频。
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