公开(公告)号：CN119812932A

公开(公告)日：2025-04-11

申请号：CN202411939264.3

申请日：2024-12-26

Applicant: 广州光电存算芯片融合创新中心

Inventor： 张仙 ,  王瑞军 ,  王冰 ,  余思远

IPC: H01S5/026 ,  G02B6/42 ,  G02B6/12 ,  G02B6/14

Abstract: 本发明涉及一种O波段硅基异质集成的光发射器件及其制备方法，属于光学器件技术领域。本发明通过晶圆键合的方式在硅基光子平台上集成InP及铌酸锂材料，有源、无源器件对准是通过光刻过程实现的，无需考虑对准的问题，且可以通过晶圆键合方式进行大批量的生产，可以降低单个器件的成本，还具有高集成度、节约成本、利于量产化的优势；本发明通过BCB聚合物辅助键合技术或低温直接键合技术可以克服硅基光子平台的硅与InP及铌酸锂材料存在晶格失配、热膨胀系数失配的缺陷，从而实现不同功能材料在硅基光子平台的集成；本发明通过设计相应的模斑转换器结构来实现不同材料波导之间的模式匹配。

公开(公告)号：CN119812931A

公开(公告)日：2025-04-11

申请号：CN202411939262.4

申请日：2024-12-26

Applicant: 广州光电存算芯片融合创新中心

Inventor： 张仙 ,  王瑞军 ,  王冰 ,  余思远

IPC: H01S5/026 ,  G02B6/42 ,  G02B6/12 ,  G02B6/14

Abstract: 本发明涉及一种C波段硅基异质集成的光发射器件及其制备方法，属于光学器件技术领域。本发明通过硅基光子波导层与第一波导层和第二波导层分别垂直倏逝波耦合，形成Si/InP模斑转换器且保持模式匹配，硅基光子波导层通过Si/InP模斑转换器以垂直倏逝波耦合的方式与InP波导层光学互连，从而实现光产生、探测、放大等功能；本发明将所述InP波导层设计成两层波导级联的结构，这种结构能更有效地提高耦合效率，减少端面寄生反射。