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公开(公告)号：CN107877269B
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN201711015132.1
申请日：2017-10-26
Applicant: 广东工业大学
Abstract: 本发明公开了一种集群磁流变高效抛光加工高精度球的装置及抛光方法，包括上下抛光盘和磁场发生器。在磁场的作用下，进入抛光盘V型槽中的磁流变液在极短的时间内黏度变大，磁链串夹持磨粒形成柔性抛光垫，陶瓷球在V型槽中被柔性抛光垫包覆，且随着抛光盘的运动一边自转一边公转,磁流变柔性抛光垫中的磨粒将对陶瓷球表面进行抛光。本发明不需采用循环装置对磁流变液进行更新，一次装夹可实现球体粗抛光到精抛光的全过程，所获工件表面一致性好，形状精度稳定，加工效率高，无表面和亚表面损伤，且成本低，适合陶瓷球轴承中的高精度陶瓷球的高效率超光滑均匀研抛加工。
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公开(公告)号：CN113618502B
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202110930698.7
申请日：2021-08-13
Applicant: 广东工业大学
Abstract: 本发明涉及金刚石抛光技术领域，公开了一种金刚石晶片抛光的材料去除率计算方法，包括：S1、在未抛光的金刚石晶片的表面加工划痕；S2、测量划痕的深度h0；S3、对金刚石晶片具有划痕的表面进行抛光，记录抛光所用的时间t；S4、测量金刚石晶片抛光后的划痕的深度h；S5、根据MRR＝(h0‑h)/t计算材料去除率MRR。由于金刚石的硬度极大，抛光加工MRR极低，难于快速准确的计算，本发明采用的材料去除率计算方法中，利用表面轮廓仪测量金刚石抛光前后表面划痕深度变化。其测量直观方便，且测量结果准性高、精度高，进而使抛光加工时微小材料去除率的计算准确性高，便于金刚石晶片抛光方法优劣的评价。本发明还提供一种实现上述方法的金刚石晶片抛光的材料去除率计算系统。
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公开(公告)号：CN114559302A
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN202210199935.1
申请日：2022-03-01
Applicant: 广东工业大学
Abstract: 本发明属于抛光技术领域，更具体地，涉及一种抛光液、磷化铟抛光装置及方法，其中抛光液包括基液以及混合于基液中的金属粉末、磨料；金属粉末与磨料的质量比为1:2～1:4，金属粉末的金属性强于铟。本发明中一方面通过金属接触腐蚀反应将磷化铟表面氧化，从而降低磷化铟表面的硬度，其避免了使用酸性物质或碱性物质生成有毒气体危害工作人员安全或污染环境，同时还避免了抛光液对抛光装置的腐蚀。
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公开(公告)号：CN113770816A
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN202111058349.7
申请日：2021-09-09
Applicant: 广东工业大学
IPC: B24B1/00 , B24B31/14 , B24B31/112 , C09G1/02 , C09K3/14
Abstract: 本发明公开了一种磁流变弹性体及其制备方法和应用。磁流变弹性体，按重量分数计，包括如下组分：聚氨酯预聚体30～70份，磁性粒子30～60份，磨粒2～20份，发泡剂2～5份，增塑剂3～6份，扩链交联剂1～6份，催化剂0.03～0.07份，其中，磁性粒子为羰基铁粉和/或四氧化三铁。本发明以磁性粒子作为载体，在预结构化过程中的定向磁场作用下，形成与磁场线方向一致的磁链串将磨料、发泡剂等物质夹持在磁链串内，硫化后最终形成磁性粒子、磨粒和气孔定向排布且能够发生固相芬顿反应的磁流变弹性体，可运用于硬脆光电材料研磨、抛光加工，有效的提高了加工效率，能够实现粗精抛光同步实现，获得高质量的加工表面。
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公开(公告)号：CN115533738B
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202211084919.4
申请日：2022-09-06
Applicant: 广东工业大学
Abstract: 本发明提供一种固相反应的研磨块，所述研磨块包括如下重量份数的组分：磨料15～35份，粘结剂45～60份，液体弹珠15～25份；所述研磨块还包括分布在研磨块内的气孔；所述液体弹珠包括外壁与芯部；所述外壁为疏水纳米磁性颗粒，所述芯部为反应液或润滑液；所述研磨块中液体弹珠和磨料定向排布于粘结剂中。在研磨半导体晶片过程中，在摩擦作用下研磨块中定向排布在磨料附近的液体弹珠在机械力的作用下破碎，其内部的液体逐渐释放出来，与被研磨半导体晶面表面发生固相反应生成钝化层，并且液体弹珠会因机械作用而形成凹坑能起到容屑的作用，提高了固相反应研磨盘的自锐性，研磨后得到低表面粗糙度的半导体晶片。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116803605A
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN202310697473.0
申请日：2023-06-13
Applicant: 广东工业大学
IPC: B24B1/00 , B24B41/04 , B24B31/112 , B24B49/16
Abstract: 本发明涉及半导体晶圆的超精密抛光技术领域，具体涉及一种利用磁流变弹性体控制大尺寸晶圆平坦化抛光方法，包括以下步骤：将大尺寸晶圆吸附于旋转型CMP设备的具有磁流变弹性体的抛光头上；对大尺寸晶圆进行第一步抛光，并获取大尺寸晶圆的厚度分布数据；根据第一步抛光后的厚度分布数据设置磁场分布与磁场强度，控制磁流变弹性体对大尺寸晶圆进行第二步抛光，通过优化磁场分布和磁场强度使第二步抛光后的大尺寸晶圆达到平坦化抛光效果；建立该大尺寸晶圆的平坦化磁控抛光工艺，最终实现磁流变弹性体控制大尺寸晶圆平坦化抛光。
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公开(公告)号：CN113977437A
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202111179233.9
申请日：2021-10-09
Applicant: 广东工业大学
Abstract: 本发明属于印刷电路板加工技术领域，更具体地，涉及一种用于抛光装置及应用其的金手指表面抛光方法，包括机架以及均设置于机架上用于夹持工件的若干夹持组件、用于对工件进行抛光的干式抛光装置以及控制装置，干式抛光装置位于夹持组件的上方，干式抛光装置包括抛光组件以及与抛光组件连接的第一驱动组件，抛光组件底面设置有柔性抛光层，第一驱动组件与控制装置电连接，第一驱动组件带动抛光组件及柔性抛光层相对工件运动.本发明的抛光装置可避免工件与液体接触而诱发锈蚀，提高产品质量；且通过检测装置可自动检测工件的合格率，提高生产效率。
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公开(公告)号：CN113618502A
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202110930698.7
申请日：2021-08-13
Applicant: 广东工业大学
Abstract: 本发明涉及金刚石抛光技术领域，公开了一种金刚石晶片抛光的材料去除率计算方法，包括：S1、在未抛光的金刚石晶片的表面加工划痕；S2、测量划痕的深度h0；S3、对金刚石晶片具有划痕的表面进行抛光，记录抛光所用的时间t；S4、测量金刚石晶片抛光后的划痕的深度h；S5、根据MRR＝(h0‑h)/t计算材料去除率MRR。由于金刚石的硬度极大，抛光加工MRR极低，难于快速准确的计算，本发明采用的材料去除率计算方法中，利用表面轮廓仪测量金刚石抛光前后表面划痕深度变化。其测量直观方便，且测量结果准性高、精度高，进而使抛光加工时微小材料去除率的计算准确性高，便于金刚石晶片抛光方法优劣的评价。本发明还提供一种实现上述方法的金刚石晶片抛光的材料去除率计算系统。
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公开(公告)号：CN113352230A
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN202110673634.3
申请日：2021-06-17
Applicant: 广东工业大学
Abstract: 本发明涉及半导体加工技术领域，公开一种金刚石晶片超精密加工方法，包括如下步骤：步骤一：对金刚石工件表面进行激光诱导石墨化加工，在金刚石表面形成硬度低、结合强度差的石墨层；步骤二：对金刚石工件表面进行化学机械抛光。抛光液利用化学反应改变石墨层性能，形成了相对较软的腐蚀层，在与抛光垫上的磨料的摩擦过程中极易被去除，金刚石表面被诱导形成的石墨层被去除后，露出与石墨层紧邻的新表面，新表面的金刚石原子与抛光液的化学剂发生反应，生成易被去除的化学反应层，实现了金刚石表面材料高效去除，且抛光所需压力较小，能够获得粗糙度低、亚表面损伤小的超光滑表面，提高金刚石加工表面的质量。本发明还提供实现上述方法的加工装置。
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公开(公告)号：CN112605719A
公开(公告)日：2021-04-06
申请号：CN202011345734.5
申请日：2020-11-25
Applicant: 广东工业大学
Abstract: 本发明公开了微钻刃口毛刺去除方法及装置。微钻刃口毛刺去除方法，包括如下步骤：步骤S1、将装有待加工微钻的料盘浸入抛光液中；步骤S2、驱动料盘带动微钻旋转运动的同时对微钻进行超声振动，对微钻进行刃口毛刺去除；步骤S3、将装有完成刃口毛刺去除的微钻的料盘从抛光液中转移至清洗液中；步骤S4、驱动料盘带动微钻在清洗液中旋转运动，对微钻表面进行清洗。本发明提供的微钻刃口毛刺去除装置，通过料盘、液桶、超声发生器的相互配合，可以实现对直径极小且具有复杂结构的微钻刃口毛刺的去除，降低刃口表面粗糙度，进而降低钻头使用时刃口磨损的速率，提高微钻的使用寿命和钻孔质量，同时能够清洗微钻表面污。
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