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公开(公告)号：CN112798472B
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202011554820.7
申请日：2020-12-24
Applicant: 广东工业大学
IPC: G01N11/14
Abstract: 本发明公开了一种用于石墨烯基复合材料生产的质量在线检测方法及装置，包括激光加工机构、光学检测模块和封装模块；所述激光加工机构设置在待加工材料的上方，所述激光加工机构的输出端与待加工材料相对；所述光学检测模块设置在所述激光加工机构，所述光学检测模块的输入端与所述激光加工机构连接；所述封装模块设置在所述激光加工机构的下方，所述封装模块带动待加工材料移动并进行封装；本申请旨在提供一种用于石墨烯基复合材料生产的质量在线检测方法及装置，具有低成本、易操作、高效率、高柔性并简化工艺等优点。
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公开(公告)号：CN117524927B
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202311467578.3
申请日：2023-11-06
Applicant: 广东工业大学
Abstract: 本发明涉及芯片转移封装技术领域，提供了一种LED芯片刺晶转移过程的检测装置，其包括刺晶拍摄平台、计算机和气压控制器；其中，所述刺晶拍摄平台包括固定架、可滑动连接于所述固定架上的相机和三轴微调滑台、设置于所述三轴微调滑台上的夹具、设置于所述夹具上的光源支架、设置于所述光源支架上的光源、设置于所述固定架一侧的Z轴微调滑台、设置于所述Z轴微调滑台上的剥离基板支架、龙门架、设置于所述龙门架的一侧的刺晶座以及设置于所述刺晶座上且位于所述剥离基板支架的顶部的刺针。本发明中的LED芯片刺晶转移过程的检测装置可以检测刺晶过程中刺针的运动路径以及刺晶转移效果，以减少刺晶工艺参数调节的成本且提升效率。
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公开(公告)号：CN112798472A
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN202011554820.7
申请日：2020-12-24
Applicant: 广东工业大学
IPC: G01N11/14
Abstract: 本发明公开了一种用于石墨烯基复合材料生产的质量在线检测方法及装置，包括激光加工机构、光学检测模块和封装模块；所述激光加工机构设置在待加工材料的上方，所述激光加工机构的输出端与待加工材料相对；所述光学检测模块设置在所述激光加工机构，所述光学检测模块的输入端与所述激光加工机构连接；所述封装模块设置在所述激光加工机构的下方，所述封装模块带动待加工材料移动并进行封装；本申请旨在提供一种用于石墨烯基复合材料生产的质量在线检测方法及装置，具有低成本、易操作、高效率、高柔性并简化工艺等优点。
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公开(公告)号：CN119497479A
公开(公告)日：2025-02-21
申请号：CN202411568774.4
申请日：2024-11-05
Applicant: 广东工业大学
Abstract: 本发明属于Mini‑LED芯片制造技术领域，公开一种可修正误差的平面拉伸式Mini‑LED芯片扩膜装置与方法。一种可修正误差的平面拉伸式芯片扩膜装置，包括第一扩膜机构、第二扩膜机构、压膜框、扫描相机和误差修正机构。采用第一扩膜机构和第二扩膜机构用于整体拉伸蓝膜，其后扫描相机检测蓝膜上芯片的位置，修正盘通过吸附通孔吸附以局部固定蓝膜中芯片位置没有偏移的部分，再通过弹子顶起蓝膜中芯片存在偏移没有被固定的部分，对蓝膜进行局部扩张，使得蓝膜上芯片位置得以修正，以精确调整芯片位置，解决常规扩膜装置无法任意调整蓝膜局部拉伸量，无法修正局部芯片位置偏移问题。
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公开(公告)号：CN119028888A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202411029571.8
申请日：2024-07-30
Applicant: 广东工业大学
IPC: H01L21/677 , H01L21/67 , H01L21/687 , H01L33/00
Abstract: 本发明公开了一种多刺晶头的Mini‑LED巨量转移装置及方法，涉及Mini‑LED晶圆巨量转移技术领域。本发明的Mini‑LED巨量转移装置，包括基板运输单元、晶圆运输单元和刺晶单元；基板运输单元用于运输基板，使基板可作X轴向和Y轴向运动；晶圆运输单元用于运输晶圆，使晶圆作X轴向和Y轴向运动；刺晶单元包括刺晶头Z轴向移动机构、刺晶头调距机构和多个刺晶头；刺晶头Z轴向移动机构用于调节刺晶头在Z轴向的位置，刺晶头调距机构用于调节相邻刺晶头的间距，刺晶头用于将晶圆上的Mini‑LED芯片刺到基板上。本发的Mini‑LED巨量转移装置可使基板和晶圆在持续运动下完成Mini‑LED芯片转移，并可由多个刺晶头同时作业，具有转移效率高、可避免高频启停和运输机构振动小等优点，可实现飞行刺晶。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113713806B
公开(公告)日：2022-05-20
申请号：CN202111004542.2
申请日：2021-08-30
Applicant: 广东工业大学
Abstract: 本发明涉及单原子催化剂制备技术领域，尤其涉及一种纳米金刚石/石墨烯负载Pt单原子催化剂的制备方法。一种纳米金刚石/石墨烯负载Pt单原子催化剂的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1.制备纳米金刚石/石墨烯复合材料：将柠檬酸和尿素溶解于去离子水中，加入纳米金刚石粉，依次经过超声混合、微波加热、真空干燥、研磨、高温煅烧处理和研磨后，得到纳米金刚石/石墨烯复合材料。所述纳米金刚石/石墨烯负载Pt单原子催化剂的制备方法，制备得到的催化剂具有高负载率、催化活性好、催化效率高的特点，且制备方法效率高、成本低、制备的质量稳定、工艺简单、无二次污染。
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公开(公告)号：CN113731456B
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202111128458.1
申请日：2021-09-26
Applicant: 广东工业大学
Abstract: 本发明涉及催化剂制备领域，尤其涉及一种金单原子催化剂的制备方法。金单原子催化剂的制备方法，包括以下步骤：S1：取MAX相，先使用氢氟酸刻蚀MAX相，再进行声波处理，得到第一中间产物，所述第一中间产物为二维MXene；S2：取第一中间产物加入到AuCl3溶液中，搅拌均匀，得到第二中间产物；S3：将第二中间产物进行多次高压放电加工，得到第三中间产物；S4：对第三中间产物进行酸洗，干燥，制得金单原子催化剂。本发明的金单原子催化剂的制备过程具有快速高效、稳定性高、工艺简单、污染小和高负载量的优点，解决了现有金单原子催化剂生产方法生产效率低和负载量较小的问题。
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公开(公告)号：CN112680195B
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202011556014.3
申请日：2020-12-24
Applicant: 广东工业大学
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯基聚乙二醇相变材料的制备方法和装置，一种石墨烯基聚乙二醇相变材料的制备方法，包括以下步骤：S1.制备聚氨酯海绵与炭黑的结合体：取炭黑分散在去离子水中，将聚氨酯海绵浸没在炭黑的去离子水分散液中，将聚氨酯海绵取出后干燥，得到聚氨酯海绵与炭黑的结合体；S2.对聚氨酯海绵与炭黑的结合体进行第一次放电加工，得到第一中间产物。所述石墨烯基聚乙二醇相变材料的制备方法，满足了石墨烯基聚乙二醇相变材料制备过程的高效、低成本、高稳定性、工艺简单、无二次污染的需求，所述石墨烯基聚乙二醇相变材料的制备装置，结构简单，能够实现快速、大面积制备石墨烯基聚乙二醇相变材料。
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公开(公告)号：CN112479191A
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：CN202011554659.3
申请日：2020-12-24
Applicant: 广东工业大学
IPC: C01B32/184
Abstract: 本发明公开了一种高压混合放电的石墨烯生产方法和装置，一种高压混合放电的石墨烯生产方法包括以下步骤：(1)预热阶段：向甲烷、氧气和碳源的混合物释放电流进行预热，使碳源升温，并达到甲烷的燃点，甲烷在氧气的助燃下剧烈燃烧；(2)第一次激发阶段：向甲烷、氧气和碳源的混合物释放电流进行第一次激发，使得温度在500ms～1200ms内到达4000℃以上；(3)第二次激发阶段：进行高压电极的正负极调换，向甲烷、氧气和碳源的混合物释放电流进行第二次激发。所述高压混合放电的石墨烯生产方法，生产效率高、易操作、环保无污染、产物纯度高的特点，所述高压混合放电的石墨烯生产装置，结构简单，能够实现使用电场控制碳源反应的目的。
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公开(公告)号：CN117524927A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311467578.3
申请日：2023-11-06
Applicant: 广东工业大学
Abstract: 本发明涉及芯片转移封装技术领域，提供了一种LED芯片刺晶转移过程的检测装置，其包括刺晶拍摄平台、计算机和气压控制器；其中，所述刺晶拍摄平台包括固定架、可滑动连接于所述固定架上的相机和三轴微调滑台、设置于所述三轴微调滑台上的夹具、设置于所述夹具上的光源支架、设置于所述光源支架上的光源、设置于所述固定架一侧的Z轴微调滑台、设置于所述Z轴微调滑台上的剥离基板支架、龙门架、设置于所述龙门架的一侧的刺晶座以及设置于所述刺晶座上且位于所述剥离基板支架的顶部的刺针。本发明中的LED芯片刺晶转移过程的检测装置可以检测刺晶过程中刺针的运动路径以及刺晶转移效果，以减少刺晶工艺参数调节的成本且提升效率。
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