一种氮化镓晶体的生长方法

    公开(公告)号:CN110629284A

    公开(公告)日:2019-12-31

    申请号:CN201911047773.4

    申请日:2019-10-30

    Abstract: 本发明涉及一种氮化镓晶体的生长方法,包括以下步骤:(1)在玻璃基板上沉积金属薄膜,然后高温退火,得到已沉积金属薄膜的玻璃基板;(2)将步骤(1)所得的已沉积金属薄膜的玻璃基板置于晶体生长炉内,在晶体生长炉内通入酸性气体腐蚀,然后通入吹扫气体吹扫;(3)吹扫结束后通入氨气和氯化镓气体,并在金属薄膜上沉积氮化镓晶体,晶体生长完成后,将已沉积氮化镓晶体和金属薄膜的玻璃基板置于腐蚀液中,将金属薄膜腐蚀,得到氮化镓晶体。本发明的生长方法制备得到的氮化镓晶体结晶性能良好,无多晶等缺陷;且该生长方法成本低,适合大规模产业化。

    高纯磷化锌的制备方法
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN106495113A

    公开(公告)日:2017-03-15

    申请号:CN201610881001.0

    申请日:2016-10-08

    CPC classification number: C01B25/08 C01P2006/80

    Abstract: 本发明提供一种高纯磷化锌的制备方法,属于化工原料生产领域,制备过程包括一次加热合成和二次加热挥发除杂。在通有流动惰性气体的环境下,通过一次加热合成得到粗磷化锌,再经过二次加热挥发除去未反应的锌和磷,得到高纯磷化锌。本发明同时设计了一种含磷尾气的净化吸收系统,以防止在工业生产过程中有磷化物排放到环境中,做到安全环保生产。本发明工艺流程短,所需设备简单,成本较低,适用于工业化生产磷化锌。

    一种氧化镓晶体及其生长方法和生长装置

    公开(公告)号:CN110484965A

    公开(公告)日:2019-11-22

    申请号:CN201910948208.9

    申请日:2019-09-30

    Abstract: 本发明公开了一种氧化镓晶体的生长方法,所述生长方法为水平布里奇曼法,具体包括如下步骤:(1)将镓和氧化镓装入坩埚中,在坩埚的籽晶槽中放入氧化镓籽晶;(2)将坩埚放入生长炉内,将生长炉抽真空后,充入惰性气体,加热熔化氧化镓,使氧化镓熔体与籽晶接触;(3)氧化镓完全熔化后,依次进行引晶、放肩和等径生长的晶体生长过程;(4)晶体生长结束后,冷却,取出氧化镓晶体。本发明将镓和氧化镓放入坩埚内,晶体生长过程中,氧化镓漂浮于镓溶体之上,与坩埚脱离,避免了生成的晶体与坩埚黏连,提高了晶体的质量,使晶体易于取出。且镓的存在能吸收氧化镓晶体生长过程中释放的氧气,生成氧化镓,既不会引入杂质,还保护坩埚不被氧化。

    二碲化钼的生产方法
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN109179342A

    公开(公告)日:2019-01-11

    申请号:CN201810851488.7

    申请日:2018-07-30

    Abstract: 本发明涉及一种高纯二碲化钼的制备方法,其包括S1、混合物料;S2、加热合成;S3、低真空度挥发除碲。本二碲化钼的生产方法,工艺简单,生产流程短,处理量大,可实现产业化;合成反应过程采用通流动保护气流的低压生产方式,在大批量生产时能很好地控制碲的蒸汽压,防止爆管,做到安全生产;采用低真空度系统,对设备整体结构要求简单,产品纯度高;对挥发的碲进行收集回收,综合降低生产成本,保护环境。

    高纯磷化锌的制备方法
    7.
    发明授权

    公开(公告)号:CN106495113B

    公开(公告)日:2018-07-03

    申请号:CN201610881001.0

    申请日:2016-10-08

    Abstract: 本发明提供一种高纯磷化锌的制备方法,属于化工原料生产领域,制备过程包括一次加热合成和二次加热挥发除杂。在通有流动惰性气体的环境下,通过一次加热合成得到粗磷化锌,再经过二次加热挥发除去未反应的锌和磷,得到高纯磷化锌。本发明同时设计了一种含磷尾气的净化吸收系统,以防止在工业生产过程中有磷化物排放到环境中,做到安全环保生产。本发明工艺流程短,所需设备简单,成本较低,适用于工业化生产磷化锌。

    锗酸铋单晶体的生长方法

    公开(公告)号:CN106757353A

    公开(公告)日:2017-05-31

    申请号:CN201710082989.9

    申请日:2017-02-16

    CPC classification number: C30B29/32 C30B11/003

    Abstract: 本发明公开了一种锗酸铋单晶体的生长方法,属于晶体生长领域。本发明采用可旋转多坩埚技术与垂直梯度凝固法相结合的方法生长锗酸铋单晶体。本发明提供的方法,改善了晶体生长界面温度场的径向对称性,提高锗酸铋单晶体的生长质量,同时有利于组分扩散,促进组分均匀分布,加快了锗酸铋单晶体的生长速度。本发明程序控制程度高,温度精确度高,波动小,重复性好,产量大,成本低。

    一种氧化镓晶体及其生长方法和生长装置

    公开(公告)号:CN110484965B

    公开(公告)日:2021-06-11

    申请号:CN201910948208.9

    申请日:2019-09-30

    Abstract: 本发明公开了一种氧化镓晶体的生长方法,所述生长方法为水平布里奇曼法,具体包括如下步骤:(1)将镓和氧化镓装入坩埚中,在坩埚的籽晶槽中放入氧化镓籽晶;(2)将坩埚放入生长炉内,将生长炉抽真空后,充入惰性气体,加热熔化氧化镓,使氧化镓熔体与籽晶接触;(3)氧化镓完全熔化后,依次进行引晶、放肩和等径生长的晶体生长过程;(4)晶体生长结束后,冷却,取出氧化镓晶体。本发明将镓和氧化镓放入坩埚内,晶体生长过程中,氧化镓漂浮于镓溶体之上,与坩埚脱离,避免了生成的晶体与坩埚黏连,提高了晶体的质量,使晶体易于取出。且镓的存在能吸收氧化镓晶体生长过程中释放的氧气,生成氧化镓,既不会引入杂质,还保护坩埚不被氧化。

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