公开(公告)号：CN1239319A

公开(公告)日：1999-12-22

申请号：CN99102154.1

申请日：1999-02-09

Applicant: 岸本产业株式会社 ,  第三化成株式会社

Inventor： 木元寿勇 ,  望月励

IPC: H01L21/312

CPC classification number: H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T428/24355 ,  Y10T428/31544 ,  Y10T428/31667 ,  Y10T428/31692 ,  Y10T428/31855 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供了一种具有低介电常数且其性能足以胜任作为半导体装置的中间层绝缘膜的一种绝缘膜，和使用该绝缘膜的半导体装置。用作半导体装置的中间层绝缘膜的一种半导体装置绝缘膜，该绝缘膜主要由聚－α，α－二氟亚对二甲苯组成并具有2.1—2.7的相对介电常数。用作半导体装置的中间层绝缘膜的一种半导体装置的绝缘膜，该绝缘膜主要由聚α，α－二氟亚对二甲苯组成和具有0.4—0.9的台阶覆盖率。能够填充缝隙的用于半导体装置的绝缘膜，该绝缘膜主要由聚α，α－二氟亚对二甲苯组成，和其深度(D)和开口宽度(L)之比(D/L)是1或1以上。

公开(公告)号：CN1146962C

公开(公告)日：2004-04-21

申请号：CN99102154.1

申请日：1999-02-09

Applicant: 岸本产业株式会社 ,  第三化成株式会社

Inventor： 木元寿勇 ,  望月励

IPC: H01L21/312 ,  C07C25/28 ,  C07C25/00

CPC classification number: H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T428/24355 ,  Y10T428/31544 ,  Y10T428/31667 ,  Y10T428/31692 ,  Y10T428/31855 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供了一种具有低介电常数且其性能足以胜任作为半导体装置的中间层绝缘膜的一种绝缘膜，和使用该绝缘膜的半导体装置。用作半导体装置的中间层绝缘膜的一种半导体装置绝缘膜，该绝缘膜主要由聚-α，α-二氟亚对二甲苯组成并具有2.1-2.7的相对介电常数。用作半导体装置的中间层绝缘膜的一种半导体装置的绝缘膜，该绝缘膜主要由聚α，α-二氟亚对二甲苯组成和具有0.4-0.9的台阶覆盖率。能够填充缝隙的用于半导体装置的绝缘膜，该绝缘膜主要由聚α，α-二氟亚对二甲苯组成，和其深度(D)和开口宽度(L)之比(D/L)是1或1以上。