公开(公告)号：CN112601528A

公开(公告)日：2021-04-02

申请号：CN201980055505.9

申请日：2019-08-29

Applicant: 第三化成株式会社

Inventor： 长岛直 ,  井上奈穗

IPC: A61K31/575 ,  A61K8/63 ,  A61P3/04 ,  A61Q19/00

Abstract: 根据本发明，提供含有植物甾酮的用于减少皮下脂肪的经皮吸收剂。由此，进一步提供皮下脂肪的减少方法。

公开(公告)号：CN1910216A

公开(公告)日：2007-02-07

申请号：CN200380111049.4

申请日：2003-12-19

Applicant: 第三化成株式会社

Inventor： 丸山宏 ,  望月励 ,  井上崇

IPC: C08G61/02

CPC classification number: C08G61/025 ,  C08G61/02 ,  C08G2261/3424 ,  C08L65/04

Abstract: 本发明提供不损害蒸镀性、经济性即可谋求提高聚对二甲苯及其衍生物膜的耐热性的聚对二甲苯及其衍生物膜的热稳定性提高方法以及提高了耐热性的聚对二甲苯衍生物，该方法在通过化学蒸镀法成膜通式1所示的聚对二甲苯或其衍生物膜时，在通式2所示的(2.2)－对环芬化合物中混入通式3所示的氨基－(2.2)－对环芬化合物作为其原料，进行成膜。通式1(式1中，X1、X2表示氢、低级烷基或卤原子，X1、X2可相同也可不同。n表示聚合度)通式2(式2中，X1、X2含义与式1中的相同)通式3(式3中，X3表示氢或低级烷基，Y1、Y2表示氢或氨基，Y1、Y2两者不同时为氢。)

公开(公告)号：CN101511903A

公开(公告)日：2009-08-19

申请号：CN200680055853.9

申请日：2006-07-28

Applicant: 第三化成株式会社 ,  吉世科有限公司

Inventor： 望月励 ,  井上崇 ,  上武一孝

IPC: C08G61/02 ,  C23C16/44

CPC classification number: C08G61/025 ,  B05D1/60 ,  C08G2261/3424

Abstract: 一种化学气相沉积装置，包括：填充气相沉积原料的填充部(10)；分解气相沉积原料的分解炉(2)；连结填充部(10)和分解炉(2)的开关阀(4)；使分解炉(2)中分解的气相沉积原料聚合，并在被沉积物的表面上形成涂膜的聚合部(3)，其中，使填充到填充部(10)的气相沉积原料汽化，通过打开开关阀(4)将所述汽化的气相沉积原料供应到分解炉(3)，形成涂膜。

公开(公告)号：CN1239319A

公开(公告)日：1999-12-22

申请号：CN99102154.1

申请日：1999-02-09

Applicant: 岸本产业株式会社 ,  第三化成株式会社

Inventor： 木元寿勇 ,  望月励

IPC: H01L21/312

CPC classification number: H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T428/24355 ,  Y10T428/31544 ,  Y10T428/31667 ,  Y10T428/31692 ,  Y10T428/31855 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供了一种具有低介电常数且其性能足以胜任作为半导体装置的中间层绝缘膜的一种绝缘膜，和使用该绝缘膜的半导体装置。用作半导体装置的中间层绝缘膜的一种半导体装置绝缘膜，该绝缘膜主要由聚－α，α－二氟亚对二甲苯组成并具有2.1—2.7的相对介电常数。用作半导体装置的中间层绝缘膜的一种半导体装置的绝缘膜，该绝缘膜主要由聚α，α－二氟亚对二甲苯组成和具有0.4—0.9的台阶覆盖率。能够填充缝隙的用于半导体装置的绝缘膜，该绝缘膜主要由聚α，α－二氟亚对二甲苯组成，和其深度(D)和开口宽度(L)之比(D/L)是1或1以上。

公开(公告)号：CN100500726C

公开(公告)日：2009-06-17

申请号：CN200380111049.4

申请日：2003-12-19

Applicant: 第三化成株式会社

Inventor： 丸山宏 ,  望月励 ,  井上崇

IPC: C08G61/02

CPC classification number: C08G61/025 ,  C08G61/02 ,  C08G2261/3424 ,  C08L65/04

Abstract: 本发明提供不损害蒸镀性、经济性即可谋求提高聚对二甲苯及其衍生物膜的耐热性的聚对二甲苯及其衍生物膜的热稳定性提高方法以及提高了耐热性的聚对二甲苯衍生物，该方法在通过化学蒸镀法成膜下述通式1所示的聚对二甲苯或其衍生物膜时，在下述通式2所示的(2.2)-对环芬化合物中混入下述通式3所示的氨基-(2.2)-对环芬化合物作为其原料，进行成膜。 通式1(式1中，X1、X2表示氢、低级烷基或卤原子，X1、X2可相同也可不同。n表示聚合度)。 通式2(式2中，X1、X2含义与式1中的相同)。 通式3(式3中，X3表示氢或低级烷基，Y1、Y2表示氢或氨基，Y1、Y2两者不同时为氢)。

公开(公告)号：CN1146962C

公开(公告)日：2004-04-21

申请号：CN99102154.1

申请日：1999-02-09

Applicant: 岸本产业株式会社 ,  第三化成株式会社

Inventor： 木元寿勇 ,  望月励

IPC: H01L21/312 ,  C07C25/28 ,  C07C25/00

CPC classification number: H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T428/24355 ,  Y10T428/31544 ,  Y10T428/31667 ,  Y10T428/31692 ,  Y10T428/31855 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供了一种具有低介电常数且其性能足以胜任作为半导体装置的中间层绝缘膜的一种绝缘膜，和使用该绝缘膜的半导体装置。用作半导体装置的中间层绝缘膜的一种半导体装置绝缘膜，该绝缘膜主要由聚-α，α-二氟亚对二甲苯组成并具有2.1-2.7的相对介电常数。用作半导体装置的中间层绝缘膜的一种半导体装置的绝缘膜，该绝缘膜主要由聚α，α-二氟亚对二甲苯组成和具有0.4-0.9的台阶覆盖率。能够填充缝隙的用于半导体装置的绝缘膜，该绝缘膜主要由聚α，α-二氟亚对二甲苯组成，和其深度(D)和开口宽度(L)之比(D/L)是1或1以上。