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公开(公告)号：CN1242415C
公开(公告)日：2006-02-15
申请号：CN02132186.8
申请日：2002-08-27
Applicant: 尔必达存储器股份有限公司 , 日立超大规模集成电路系统株式会社 , 株式会社日立制作所
IPC: G11C11/401 , G11C11/4063
CPC classification number: G11C7/1018 , G11C11/406 , G11C2207/2227
Abstract: 提供一种能够在等待状态极大地降低功耗的半导体存储器件的功率控制方法和半导体存储器件。该功率控制方法用于在等待状态中实行功率控制的超低功耗模式。在超低功耗模式中，提供突发自刷新状态，断电状态和通电状态。在突发自刷新状态，以集中方式刷新存储单元。在断电状态，可以部分地断开内部电源电路。在通电状态，接通已经被部分断开的内部电源。因此，可以极大地降低在等待状态下的功耗。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1402258A
公开(公告)日：2003-03-12
申请号：CN02132186.8
申请日：2002-08-27
Applicant: 尔必达存储器股份有限公司 , 日立超大规模集成电路系统株式会社 , 株式会社日立制作所
IPC: G11C11/401 , G11C11/4063
CPC classification number: G11C7/1018 , G11C11/406 , G11C2207/2227
Abstract: 提供一种能够在等待状态极大地降低功耗的半导体存储器件的功率控制方法和半导体存储器件。该功率控制方法用于在等待状态中实行功率控制的超低功耗模式。在超低功耗模式中，提供突发自刷新状态，断电状态和通电状态。在突发自刷新状态，以集中方式刷新存储单元。在断电状态，可以部分地断开内部电源电路。在通电状态，接通已经被部分断开的内部电源。因此，可以极大地降低在等待状态下的功耗。
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公开(公告)号：CN101211656A
公开(公告)日：2008-07-02
申请号：CN200710160123.1
申请日：2007-12-24
Applicant: 尔必达存储器股份有限公司
Inventor： 中井洁
Abstract: 根据本发明的半导体存储装置具有储存单元，该储存单元包括：层间绝缘膜、嵌入到层间绝缘膜中的下电极层、以及设置在层间绝缘膜上的记录层和上电极层。当向储存单元传送预定的电流时，通过大体上超过熔点来加热记录层，并且在记录层和下电极层之间的界面附近形成腔体。结果，将记录层与下电极层物理分离，并且没有电流流过储存单元。当将记录层与下电极层物理分离时，这些层不会再次回到接触状态。因此，可以不可逆地存储信息。
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公开(公告)号：CN101211656B
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN200710160123.1
申请日：2007-12-24
Applicant: 尔必达存储器股份有限公司
Inventor： 中井洁
Abstract: 根据本发明的半导体存储装置具有储存单元，该储存单元包括：层间绝缘膜、嵌入到层间绝缘膜中的下电极层、以及设置在层间绝缘膜上的记录层和上电极层。当向储存单元传送预定的电流时，通过大体上超过熔点来加热记录层，并且在记录层和下电极层之间的界面附近形成腔体。结果，将记录层与下电极层物理分离，并且没有电流流过储存单元。当将记录层与下电极层物理分离时，这些层不会再次回到接触状态。因此，可以不可逆地存储信息。
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公开(公告)号：CN1971932B
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN200610163036.7
申请日：2006-11-27
Applicant: 尔必达存储器股份有限公司
IPC: H01L27/24 , H01L27/105 , H01L29/423 , G11C11/56
CPC classification number: G11C13/003 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C2213/74 , G11C2213/79 , H01L27/2436 , H01L27/2463 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/148
Abstract: 一种半导体存储装置，其中包括多个有源区、以及排列在每一个有源区上的呈鱼骨形状的栅电极。在每一个有源区中，多个源极区与多个漏极区以矩阵方式排列。源极区共同连接到源极线，漏极区的每一个与不同存储元件的下部电极相连。根据本发明，可以向一个存储元件分配并联的三个单元晶体管，从而进一步增加有效栅极宽度。
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公开(公告)号：CN1971932A
公开(公告)日：2007-05-30
申请号：CN200610163036.7
申请日：2006-11-27
Applicant: 尔必达存储器股份有限公司
IPC: H01L27/24 , H01L27/105 , H01L29/423 , G11C11/56
CPC classification number: G11C13/003 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C2213/74 , G11C2213/79 , H01L27/2436 , H01L27/2463 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/148
Abstract: 一种半导体存储装置，其中包括多个有源区、以及排列在每一个有源区上的呈鱼骨形状的栅电极。在每一个有源区中，多个源极区与多个漏极区以矩阵方式排列。源极区共同连接到源极线，漏极区的每一个与不同存储元件的下部电极相连。根据本发明，可以向一个存储元件分配并联的三个单元晶体管，从而进一步增加有效栅极宽度。
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