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公开(公告)号:CN1242415C
公开(公告)日:2006-02-15
申请号:CN02132186.8
申请日:2002-08-27
Applicant: 尔必达存储器股份有限公司 , 日立超大规模集成电路系统株式会社 , 株式会社日立制作所
IPC: G11C11/401 , G11C11/4063
CPC classification number: G11C7/1018 , G11C11/406 , G11C2207/2227
Abstract: 提供一种能够在等待状态极大地降低功耗的半导体存储器件的功率控制方法和半导体存储器件。该功率控制方法用于在等待状态中实行功率控制的超低功耗模式。在超低功耗模式中,提供突发自刷新状态,断电状态和通电状态。在突发自刷新状态,以集中方式刷新存储单元。在断电状态,可以部分地断开内部电源电路。在通电状态,接通已经被部分断开的内部电源。因此,可以极大地降低在等待状态下的功耗。
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公开(公告)号:CN1402258A
公开(公告)日:2003-03-12
申请号:CN02132186.8
申请日:2002-08-27
Applicant: 尔必达存储器股份有限公司 , 日立超大规模集成电路系统株式会社 , 株式会社日立制作所
IPC: G11C11/401 , G11C11/4063
CPC classification number: G11C7/1018 , G11C11/406 , G11C2207/2227
Abstract: 提供一种能够在等待状态极大地降低功耗的半导体存储器件的功率控制方法和半导体存储器件。该功率控制方法用于在等待状态中实行功率控制的超低功耗模式。在超低功耗模式中,提供突发自刷新状态,断电状态和通电状态。在突发自刷新状态,以集中方式刷新存储单元。在断电状态,可以部分地断开内部电源电路。在通电状态,接通已经被部分断开的内部电源。因此,可以极大地降低在等待状态下的功耗。
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