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公开(公告)号:CN1971932B
公开(公告)日:2011-05-04
申请号:CN200610163036.7
申请日:2006-11-27
Applicant: 尔必达存储器股份有限公司
IPC: H01L27/24 , H01L27/105 , H01L29/423 , G11C11/56
CPC classification number: G11C13/003 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C2213/74 , G11C2213/79 , H01L27/2436 , H01L27/2463 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/148
Abstract: 一种半导体存储装置,其中包括多个有源区、以及排列在每一个有源区上的呈鱼骨形状的栅电极。在每一个有源区中,多个源极区与多个漏极区以矩阵方式排列。源极区共同连接到源极线,漏极区的每一个与不同存储元件的下部电极相连。根据本发明,可以向一个存储元件分配并联的三个单元晶体管,从而进一步增加有效栅极宽度。
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公开(公告)号:CN1971932A
公开(公告)日:2007-05-30
申请号:CN200610163036.7
申请日:2006-11-27
Applicant: 尔必达存储器股份有限公司
IPC: H01L27/24 , H01L27/105 , H01L29/423 , G11C11/56
CPC classification number: G11C13/003 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C2213/74 , G11C2213/79 , H01L27/2436 , H01L27/2463 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/148
Abstract: 一种半导体存储装置,其中包括多个有源区、以及排列在每一个有源区上的呈鱼骨形状的栅电极。在每一个有源区中,多个源极区与多个漏极区以矩阵方式排列。源极区共同连接到源极线,漏极区的每一个与不同存储元件的下部电极相连。根据本发明,可以向一个存储元件分配并联的三个单元晶体管,从而进一步增加有效栅极宽度。
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