被加工物的磨削方法
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114589562A

    公开(公告)日:2022-06-07

    申请号:CN202011417321.3

    申请日:2020-12-07

    Inventor: 木村祐辅

    Abstract: 提供被加工物的磨削方法,利用卡盘工作台对产生了翘曲的被加工物进行吸引保持,适当地对该被加工物进行磨削。被加工物的磨削方法在磨削装置中对该被加工物进行磨削,该磨削装置具有卡盘工作台和磨削单元,该卡盘工作台在上表面具有第1多孔部和围绕该第1多孔部的环状的第2多孔部,该磨削单元具有磨削磨具,该被加工物的磨削方法具有如下的步骤:第1磨削步骤,对中央部分被该卡盘工作台的该第1多孔部吸引保持的该被加工物进行磨削;以及第2磨削步骤,对该中央部分和外周部分被该卡盘工作台的该第1多孔部和该第2多孔部吸引保持的该被加工物进行磨削。

    半导体单晶片保护构件与半导体单晶片的磨削方法

    公开(公告)号:CN1496581A

    公开(公告)日:2004-05-12

    申请号:CN03800051.2

    申请日:2003-01-09

    CPC classification number: B24B7/228 B24B41/06 H01L21/6838

    Abstract: 使用至少由具有吸引区域(1)和框体(2)的吸盘(17)和磨削保持于吸盘(17)上的半导体单晶片(W)的磨削单元(30)构成的磨削装置磨削外径(D1)比吸引区域(1)小的半导体单晶片的情况下,将外径(D3)比半导体单晶片(W)的外径(D1)大且也比吸引区域(1)的外径(D2)大的半导体单晶片保护构件(3)贴附于半导体单晶片(W)的非磨削面上,将半导体单晶片保护构件(3)朝下地在吸引区域(1)保持半导体单晶体(W)的整个面,以磨削单元(30)磨削所保持的半导体单晶片(W)的露出面,可防止在半导体单晶体(W)的外周部分产生裂纹、缺口、断裂等。

    被加工物的保持方法
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN112658986A

    公开(公告)日:2021-04-16

    申请号:CN202011089936.8

    申请日:2020-10-13

    Inventor: 木村祐辅

    Abstract: 本发明提供被加工物的保持方法,能够通过保持工作台可靠地保持翘曲的状态的被加工物。该被加工物的保持方法将按照正面侧呈凸状弯曲且背面侧呈凹状弯曲的方式翘曲的被加工物利用保持工作台的保持面进行保持,其中,该被加工物的保持方法具有如下的步骤:固定步骤,将被加工物的正面侧固定于支承基台的背面侧,该支承基台具有圆形的凹部和围绕该凹部的环状的外周部,该凹部设置于该支承基台的正面侧的中央部并且直径比所述保持面大;以及保持步骤,按照将保持面定位于凹部的内部的方式将支承基台配置于保持工作台上,并且对保持面作用负压,从而将支承基台的外周部拉向保持面侧,并且将该凹部的底面利用该保持面进行吸引保持。

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